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求助:磁芯開(kāi)氣隙與墊氣隙片有何區(qū)別?

要達(dá)到同樣的電感量磁芯開(kāi)氣隙與墊氣隙片有何區(qū)別?
請(qǐng)求高手指點(diǎn),舉例:比如說(shuō)需要開(kāi)0.5mm的氣隙,但是墊氣隙片卻不是0.5mm,為什么?
全部回復(fù)(23)
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wwqwwq
LV.4
2
2008-04-25 16:55
看磁路具體怎么走?如:EE、EI等開(kāi)氣隙是墊氣隙的2倍
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tj-zjh
LV.4
3
2008-04-25 16:55
之間的比例我通過(guò)實(shí)驗(yàn)倒是知道,只是對(duì)知識(shí)的探索....
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tj-zjh
LV.4
4
2008-04-25 16:57
@wwqwwq
看磁路具體怎么走?如:EE、EI等開(kāi)氣隙是墊氣隙的2倍
謝謝,我只是想知道為什么.
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tj-zjh
LV.4
5
2008-04-25 17:18
@wwqwwq
我也想知道,誰(shuí)會(huì)就說(shuō)說(shuō)吧,謝謝了
謝謝,我們一起期待吧....
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tj-zjh
LV.4
6
2008-04-25 17:58
@tj-zjh
謝謝,我們一起期待吧....
希望大家積極參與...謝謝
開(kāi)氣隙要優(yōu)于墊氣隙片,這樣對(duì)PCB板周圍的干擾會(huì)更小....
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pzdy
LV.6
7
2008-04-26 09:29
@tj-zjh
希望大家積極參與...謝謝開(kāi)氣隙要優(yōu)于墊氣隙片,這樣對(duì)PCB板周圍的干擾會(huì)更小....
此帖已被刪除
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tj-zjh
LV.4
8
2008-04-26 09:34
@pzdy
此帖已被刪除
謝謝....
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2008-04-26 13:15
@tj-zjh
謝謝....
其實(shí)墊紙片還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)就是會(huì)比磨氣息的效率要高點(diǎn)...
  但墊紙片的生產(chǎn)工時(shí)太慢了,不太適合生產(chǎn)..
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wwqwwq
LV.4
10
2008-04-26 15:09
@tj-zjh
之間的比例我通過(guò)實(shí)驗(yàn)倒是知道,只是對(duì)知識(shí)的探索....
我也想知道,誰(shuí)會(huì)就說(shuō)說(shuō)吧,謝謝了
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貝多芬
LV.7
11
2008-05-01 15:10
@transformer1
其實(shí)墊紙片還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)就是會(huì)比磨氣息的效率要高點(diǎn)...  但墊紙片的生產(chǎn)工時(shí)太慢了,不太適合生產(chǎn)..
完全同意transformer1的意見(jiàn),掂氣隙的效率比中間蘑氣隙的效率要高點(diǎn).
但EMI比中間蘑氣隙要差點(diǎn),建議增加EMI屏蔽銅片
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transformer1
LV.10
12
2008-05-01 20:01
@貝多芬
完全同意transformer1的意見(jiàn),掂氣隙的效率比中間蘑氣隙的效率要高點(diǎn).但EMI比中間蘑氣隙要差點(diǎn),建議增加EMI屏蔽銅片
是哦!
  我們公司只要兩邊有墊氣息的都會(huì)在成品外面搞一個(gè)屏蔽shielding !
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cafetea
LV.4
13
2008-06-03 13:21
假設(shè)氣隙設(shè)計(jì)需要2mm,對(duì)于中柱磨氣隙,磁力線穿過(guò)磁芯中柱再通過(guò)邊柱閉合時(shí),串在整個(gè)磁路中的氣隙就是2mm.而對(duì)于邊柱墊氣隙,每個(gè)邊柱只墊1mm(此時(shí)中柱也會(huì)自然出現(xiàn)1mm氣隙),磁力線穿過(guò)中柱再通過(guò)邊柱閉合時(shí),串在整個(gè)磁路中的氣隙仍是2mm,所以墊氣隙比磨氣隙要少一半.

墊氣隙效率高,是因?yàn)闅庀堕L(zhǎng)度小,漏磁少,切割周圍的線包損耗較小.但由于邊柱墊氣隙后,漏磁直接釋放到周圍空氣中,對(duì)EMI不利.采用中柱磨氣隙,氣隙處的漏磁被線包全部包裹住,類似于天然屏蔽,所以EMI比墊氣隙小,但也正因?yàn)槁┐啪o靠線包,切割損耗較大,所以效率比墊氣隙略低.
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transformer1
LV.10
14
2008-06-03 14:53
@cafetea
假設(shè)氣隙設(shè)計(jì)需要2mm,對(duì)于中柱磨氣隙,磁力線穿過(guò)磁芯中柱再通過(guò)邊柱閉合時(shí),串在整個(gè)磁路中的氣隙就是2mm.而對(duì)于邊柱墊氣隙,每個(gè)邊柱只墊1mm(此時(shí)中柱也會(huì)自然出現(xiàn)1mm氣隙),磁力線穿過(guò)中柱再通過(guò)邊柱閉合時(shí),串在整個(gè)磁路中的氣隙仍是2mm,所以墊氣隙比磨氣隙要少一半.墊氣隙效率高,是因?yàn)闅庀堕L(zhǎng)度小,漏磁少,切割周圍的線包損耗較小.但由于邊柱墊氣隙后,漏磁直接釋放到周圍空氣中,對(duì)EMI不利.采用中柱磨氣隙,氣隙處的漏磁被線包全部包裹住,類似于天然屏蔽,所以EMI比墊氣隙小,但也正因?yàn)槁┐啪o靠線包,切割損耗較大,所以效率比墊氣隙略低.
cafetea兄:
分析的很透澈!!!
頂...
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貝多芬
LV.7
15
2008-06-03 18:02
@cafetea
假設(shè)氣隙設(shè)計(jì)需要2mm,對(duì)于中柱磨氣隙,磁力線穿過(guò)磁芯中柱再通過(guò)邊柱閉合時(shí),串在整個(gè)磁路中的氣隙就是2mm.而對(duì)于邊柱墊氣隙,每個(gè)邊柱只墊1mm(此時(shí)中柱也會(huì)自然出現(xiàn)1mm氣隙),磁力線穿過(guò)中柱再通過(guò)邊柱閉合時(shí),串在整個(gè)磁路中的氣隙仍是2mm,所以墊氣隙比磨氣隙要少一半.墊氣隙效率高,是因?yàn)闅庀堕L(zhǎng)度小,漏磁少,切割周圍的線包損耗較小.但由于邊柱墊氣隙后,漏磁直接釋放到周圍空氣中,對(duì)EMI不利.采用中柱磨氣隙,氣隙處的漏磁被線包全部包裹住,類似于天然屏蔽,所以EMI比墊氣隙小,但也正因?yàn)槁┐啪o靠線包,切割損耗較大,所以效率比墊氣隙略低.
確實(shí)是這樣,應(yīng)該給cafetea兄加分
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transformer1
LV.10
16
2008-06-03 18:42
@貝多芬
確實(shí)是這樣,應(yīng)該給cafetea兄加分
我加不了, 只有給他好評(píng)咯..
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tj-zjh
LV.4
17
2008-06-06 13:24
@cafetea
假設(shè)氣隙設(shè)計(jì)需要2mm,對(duì)于中柱磨氣隙,磁力線穿過(guò)磁芯中柱再通過(guò)邊柱閉合時(shí),串在整個(gè)磁路中的氣隙就是2mm.而對(duì)于邊柱墊氣隙,每個(gè)邊柱只墊1mm(此時(shí)中柱也會(huì)自然出現(xiàn)1mm氣隙),磁力線穿過(guò)中柱再通過(guò)邊柱閉合時(shí),串在整個(gè)磁路中的氣隙仍是2mm,所以墊氣隙比磨氣隙要少一半.墊氣隙效率高,是因?yàn)闅庀堕L(zhǎng)度小,漏磁少,切割周圍的線包損耗較小.但由于邊柱墊氣隙后,漏磁直接釋放到周圍空氣中,對(duì)EMI不利.采用中柱磨氣隙,氣隙處的漏磁被線包全部包裹住,類似于天然屏蔽,所以EMI比墊氣隙小,但也正因?yàn)槁┐啪o靠線包,切割損耗較大,所以效率比墊氣隙略低.
說(shuō)的很有道理,贊
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tonical
LV.2
18
2008-06-06 13:44
@cafetea
假設(shè)氣隙設(shè)計(jì)需要2mm,對(duì)于中柱磨氣隙,磁力線穿過(guò)磁芯中柱再通過(guò)邊柱閉合時(shí),串在整個(gè)磁路中的氣隙就是2mm.而對(duì)于邊柱墊氣隙,每個(gè)邊柱只墊1mm(此時(shí)中柱也會(huì)自然出現(xiàn)1mm氣隙),磁力線穿過(guò)中柱再通過(guò)邊柱閉合時(shí),串在整個(gè)磁路中的氣隙仍是2mm,所以墊氣隙比磨氣隙要少一半.墊氣隙效率高,是因?yàn)闅庀堕L(zhǎng)度小,漏磁少,切割周圍的線包損耗較小.但由于邊柱墊氣隙后,漏磁直接釋放到周圍空氣中,對(duì)EMI不利.采用中柱磨氣隙,氣隙處的漏磁被線包全部包裹住,類似于天然屏蔽,所以EMI比墊氣隙小,但也正因?yàn)槁┐啪o靠線包,切割損耗較大,所以效率比墊氣隙略低.
墊氣隙時(shí)磁路上有兩個(gè)氣隙,每個(gè)氣隙上只有約一半的磁動(dòng)勢(shì)(MMF),擴(kuò)散磁通(fringing flux)峰值較小,氣隙附近的線圈渦流損耗較小.帶來(lái)的問(wèn)題是生產(chǎn)不方便,墊的氣隙可能因墊的材料受氣溫濕度影響而變化,而且氣隙在外面產(chǎn)生的RFI也較大,當(dāng)然處理的好也是沒(méi)問(wèn)題的.
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twtujtishg
LV.5
19
2008-06-19 18:19
@tonical
墊氣隙時(shí)磁路上有兩個(gè)氣隙,每個(gè)氣隙上只有約一半的磁動(dòng)勢(shì)(MMF),擴(kuò)散磁通(fringingflux)峰值較小,氣隙附近的線圈渦流損耗較小.帶來(lái)的問(wèn)題是生產(chǎn)不方便,墊的氣隙可能因墊的材料受氣溫濕度影響而變化,而且氣隙在外面產(chǎn)生的RFI也較大,當(dāng)然處理的好也是沒(méi)問(wèn)題的.
學(xué)習(xí)
頂起
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transformer1
LV.10
20
2008-06-19 18:39
@twtujtishg
學(xué)習(xí)頂起
開(kāi)氣隙這個(gè)問(wèn)題的研究..
  福州大學(xué)的陳為博導(dǎo)有過(guò)很多文獻(xiàn)討論過(guò)..
其中有一篇就是<<功率電感器損耗分析與設(shè)計(jì)考慮----福州大學(xué)功率變換與磁技術(shù)研究室>>
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2008-06-19 21:40
@transformer1
開(kāi)氣隙這個(gè)問(wèn)題的研究..  福州大學(xué)的陳為博導(dǎo)有過(guò)很多文獻(xiàn)討論過(guò)..其中有一篇就是
有個(gè)問(wèn)題,請(qǐng)大家?guī)兔?變壓器帶不起負(fù)載的原因都有哪些?輸出電流小了怎樣解決?輸入電流小了怎樣解決,輸出電壓小了怎樣解決?輸入電壓小了怎樣解決?對(duì)你們來(lái)說(shuō)簡(jiǎn)單,可是對(duì)我來(lái)說(shuō)就不簡(jiǎn)單啦.無(wú)奈!!!請(qǐng)大家?guī)兔?/div>
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2008-06-21 09:24
@wwqwwq
看磁路具體怎么走?如:EE、EI等開(kāi)氣隙是墊氣隙的2倍
說(shuō)的對(duì),支持

我們也是這樣計(jì)算的
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120421322
LV.6
23
2009-02-18 14:18
@lwj371809196
有個(gè)問(wèn)題,請(qǐng)大家?guī)兔?變壓器帶不起負(fù)載的原因都有哪些?輸出電流小了怎樣解決?輸入電流小了怎樣解決,輸出電壓小了怎樣解決?輸入電壓小了怎樣解決?對(duì)你們來(lái)說(shuō)簡(jiǎn)單,可是對(duì)我來(lái)說(shuō)就不簡(jiǎn)單啦.無(wú)奈!!!請(qǐng)大家?guī)兔?/span>
帶不起負(fù)載有可能是自身功率不夠,或者輔助繞組的電壓太低,不知道你的是個(gè)什么電路,對(duì)于我自己搞的東東,輸出電流小了就是負(fù)載帶不起,輸入電流是跟著負(fù)載和輸入電壓的變化而變化的,輸出電壓小了的話可能是你的取樣有問(wèn)題,輸入電壓小去找供電局啊
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背影子
LV.6
24
2009-02-19 11:30
@lwj371809196
有個(gè)問(wèn)題,請(qǐng)大家?guī)兔?變壓器帶不起負(fù)載的原因都有哪些?輸出電流小了怎樣解決?輸入電流小了怎樣解決,輸出電壓小了怎樣解決?輸入電壓小了怎樣解決?對(duì)你們來(lái)說(shuō)簡(jiǎn)單,可是對(duì)我來(lái)說(shuō)就不簡(jiǎn)單啦.無(wú)奈!!!請(qǐng)大家?guī)兔?/span>
到我的電源網(wǎng)博客http://jixiuxicicl.blog.dianyuan.com/,或我的個(gè)人網(wǎng)站http://xinxincicl.ik8.cn/去找,多得很.
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