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請教變壓器方面的專家

我測試的時候發(fā)現(xiàn),我用兩個開關電源,其中一個電源對另一個電源造成嚴重干擾,導致電壓有跌落現(xiàn)象,已經證實是電壓器產生的干擾,我用的EC42 ,頻率是120K,除了布線,變壓器怎么自身降低干擾?
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2008-05-14 18:36
變壓器的兩邊是不是有氣隙.或者某個地方存在很大的漏磁存在!!
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貝多芬
LV.7
3
2008-05-14 20:46
@transformer1
變壓器的兩邊是不是有氣隙.或者某個地方存在很大的漏磁存在!!
如果變壓器兩邊有氣隙,可以外面焊接一個屏蔽銅片來屏蔽輻射信號.
屏蔽銅片的厚度可以用0.05MM,寬度約為繞線寬度的三分之一.
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2008-05-14 20:49
@貝多芬
如果變壓器兩邊有氣隙,可以外面焊接一個屏蔽銅片來屏蔽輻射信號.屏蔽銅片的厚度可以用0.05MM,寬度約為繞線寬度的三分之一.
現(xiàn)在樓主還沒吱聲,目前還不能確定是氣隙引起..
  樓主:
  能不能把你變壓器的規(guī)格及結構大概的描述一下..
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2008-05-15 16:24
@transformer1
現(xiàn)在樓主還沒吱聲,目前還不能確定是氣隙引起..  樓主:  能不能把你變壓器的規(guī)格及結構大概的描述一下..
我設計的電源是反激的,變壓器是開氣息的.是在整個變壓器外面加上屏蔽罩嗎?我已經試過用銅片給罩了起來,還沒沒有效果.順便問一下,銅對磁有屏蔽作用嗎?好像沒有吧.要鐵的才能起到屏蔽作用是不是?
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貝多芬
LV.7
6
2008-05-15 17:03
@咸菜簍子
我設計的電源是反激的,變壓器是開氣息的.是在整個變壓器外面加上屏蔽罩嗎?我已經試過用銅片給罩了起來,還沒沒有效果.順便問一下,銅對磁有屏蔽作用嗎?好像沒有吧.要鐵的才能起到屏蔽作用是不是?
我認為,

金屬對電和磁都有屏蔽作用.
屏蔽銅片在這里的工作原理是:輻射的磁信號在通過銅片時候,引起渦流,從而把輻射信號損耗了,也就是“屏蔽”了.當然這對變壓器的效率有點小影響.
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2008-05-15 17:22
@貝多芬
我認為,金屬對電和磁都有屏蔽作用.屏蔽銅片在這里的工作原理是:輻射的磁信號在通過銅片時候,引起渦流,從而把輻射信號損耗了,也就是“屏蔽”了.當然這對變壓器的效率有點小影響.
還有一種辦法就是在變壓器一/二次側之間加一個"Y" 電容...
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2008-05-16 14:08
@transformer1
還有一種辦法就是在變壓器一/二次側之間加一個"Y"電容...
屏蔽主要是反射,吸收只是很小的一部分.還有Y電容我己經加了.
三明治繞法,關于初級繞線,如果初級繞40匝,分兩層繞,請問是每層都繞40匝好?還是分繞組一半繞好,也就是說每層繞20匝?都有什么優(yōu)缺點?
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2008-05-16 14:29
@咸菜簍子
屏蔽主要是反射,吸收只是很小的一部分.還有Y電容我己經加了.三明治繞法,關于初級繞線,如果初級繞40匝,分兩層繞,請問是每層都繞40匝好?還是分繞組一半繞好,也就是說每層繞20匝?都有什么優(yōu)缺點?
當然有優(yōu)缺點,主要影響就是Lk,現(xiàn)分開來講:
1) 分兩層繞,也就是多每層繞20turns,其中在其之間加上副邊繞組.這樣對你的Lk會有好處的.
2)如是每層繞40Turns,這樣不利于Lk的管控.
但不管怎麼排,要注意的就是:如一層排不下,也就是說每層只能排19turns或者說是每層只能繞39turns,則必須用兩層排時,就要注意咯(也就是說不要刻意一定需要20turns or 40 turns)根據(jù)實際情況而定.
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haonan_ren
LV.5
10
2008-05-16 17:28
@transformer1
當然有優(yōu)缺點,主要影響就是Lk,現(xiàn)分開來講:1)分兩層繞,也就是多每層繞20turns,其中在其之間加上副邊繞組.這樣對你的Lk會有好處的.2)如是每層繞40Turns,這樣不利于Lk的管控.但不管怎麼排,要注意的就是:如一層排不下,也就是說每層只能排19turns或者說是每層只能繞39turns,則必須用兩層排時,就要注意咯(也就是說不要刻意一定需要20turnsor40turns)根據(jù)實際情況而定.
談一點點個人看法:
變壓器開氣隙后,氣隙中儲存會儲存能量,加大漏磁.而且氣隙越大,儲存的能量越大,漏磁也越大,對周圍產品的干擾范圍、干擾強度也會增大.
個人建議:采用分段氣隙的方法,將原來的單個氣隙高度減小,分成多段氣隙,這樣每個氣隙中儲存的能量減小(可能總能量還是相當),對周圍產品的干擾范圍、干擾強度也會大大減小.
(俺不做電源,只是就是論事,如果不對,還請不要見怪)
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transformer1
LV.10
11
2008-05-16 18:58
@haonan_ren
談一點點個人看法:變壓器開氣隙后,氣隙中儲存會儲存能量,加大漏磁.而且氣隙越大,儲存的能量越大,漏磁也越大,對周圍產品的干擾范圍、干擾強度也會增大.個人建議:采用分段氣隙的方法,將原來的單個氣隙高度減小,分成多段氣隙,這樣每個氣隙中儲存的能量減小(可能總能量還是相當),對周圍產品的干擾范圍、干擾強度也會大大減小.(俺不做電源,只是就是論事,如果不對,還請不要見怪)
haonan_ren :
   你這樣的做法會提升其效率,降低了其損耗!
但對對干擾而言,沒有多大的幫助,可能會在某一個點上的效果優(yōu)越于之前.
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貝多芬
LV.7
12
2008-05-19 08:05
@transformer1
當然有優(yōu)缺點,主要影響就是Lk,現(xiàn)分開來講:1)分兩層繞,也就是多每層繞20turns,其中在其之間加上副邊繞組.這樣對你的Lk會有好處的.2)如是每層繞40Turns,這樣不利于Lk的管控.但不管怎麼排,要注意的就是:如一層排不下,也就是說每層只能排19turns或者說是每層只能繞39turns,則必須用兩層排時,就要注意咯(也就是說不要刻意一定需要20turnsor40turns)根據(jù)實際情況而定.
頂,高手,

其實從磁路原理上來分析,“分兩層繞,也就是多每層繞20turns, ”這種方式漏電感的確是比“每層繞40Turns”漏電感要小.

“分兩層繞,也就是多每層繞20turns”,這種方式,在變壓器初級有空PIN的情況下,是很容易實現(xiàn)的.
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2008-05-19 09:00
@transformer1
當然有優(yōu)缺點,主要影響就是Lk,現(xiàn)分開來講:1)分兩層繞,也就是多每層繞20turns,其中在其之間加上副邊繞組.這樣對你的Lk會有好處的.2)如是每層繞40Turns,這樣不利于Lk的管控.但不管怎麼排,要注意的就是:如一層排不下,也就是說每層只能排19turns或者說是每層只能繞39turns,則必須用兩層排時,就要注意咯(也就是說不要刻意一定需要20turnsor40turns)根據(jù)實際情況而定.
能不能講講為什么漏感會更大?
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wm4811923
LV.5
14
2008-05-19 09:38
@咸菜簍子
能不能講講為什么漏感會更大?
影響漏感主要有三大因素:1,變壓器BOBBIN的長寬比 2,繞線順序 3,耦合電容.
變壓器的屏蔽層,在EMI干擾較強的情況下,常在變壓器的初次級之間加入一層屏蔽層,通過加入屏蔽層切斷了初次級間雜散電容的路徑,讓其都對地形成電容,其屏蔽效果非常好,可以大為減少EMI,同時對于電網串入的瞬態(tài)干擾也有一定的抑制作用.但變壓器的制作工藝和成本都上升.屏蔽層有銅層和繞線層兩種,銅層的效果最佳.
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transformer1
LV.10
15
2008-05-19 09:42
@wm4811923
影響漏感主要有三大因素:1,變壓器BOBBIN的長寬比2,繞線順序3,耦合電容.變壓器的屏蔽層,在EMI干擾較強的情況下,常在變壓器的初次級之間加入一層屏蔽層,通過加入屏蔽層切斷了初次級間雜散電容的路徑,讓其都對地形成電容,其屏蔽效果非常好,可以大為減少EMI,同時對于電網串入的瞬態(tài)干擾也有一定的抑制作用.但變壓器的制作工藝和成本都上升.屏蔽層有銅層和繞線層兩種,銅層的效果最佳.
樓上的兄弟分析的不錯.
但是還有一點就是被測繞組與主繞組之間的距離,如距離(也就是中間間隔的繞組越多,則被測繞組Lk就越大),同理如是距離越小,相對Lk就會小些..
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haonan_ren
LV.5
16
2008-05-20 10:37
@transformer1
haonan_ren:  你這樣的做法會提升其效率,降低了其損耗!但對對干擾而言,沒有多大的幫助,可能會在某一個點上的效果優(yōu)越于之前.
關于干擾問題,俺也沒研究過,只是去年趙修科老師到我們公司講課的時候,提到過這個,就拿來套用了... 見笑
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haonan_ren
LV.5
17
2008-05-20 10:40
@transformer1
樓上的兄弟分析的不錯.但是還有一點就是被測繞組與主繞組之間的距離,如距離(也就是中間間隔的繞組越多,則被測繞組Lk就越大),同理如是距離越小,相對Lk就會小些..
學習
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transformer1
LV.10
18
2008-05-20 10:44
@haonan_ren
學習
好男人愛好學習應該好好學習!!
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haonan_ren
LV.5
19
2008-05-20 10:54
@transformer1
好男人愛好學習應該好好學習!!
繼續(xù)學習....
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mimosa
LV.4
20
2008-05-20 11:18
@transformer1
樓上的兄弟分析的不錯.但是還有一點就是被測繞組與主繞組之間的距離,如距離(也就是中間間隔的繞組越多,則被測繞組Lk就越大),同理如是距離越小,相對Lk就會小些..
還有之外,還有還有,還有的就是繞組的厚度,越厚Lk越大.
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transformer1
LV.10
21
2008-05-20 11:29
@mimosa
還有之外,還有還有,還有的就是繞組的厚度,越厚Lk越大.
偏離了一個基點,那就是離主圈數(shù)的距離越遠或越厚Lk就會越大.
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mimosa
LV.4
22
2008-05-20 11:39
@transformer1
偏離了一個基點,那就是離主圈數(shù)的距離越遠或越厚Lk就會越大.
主繞組和次繞組的厚度同樣重要.
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xiaofeng131
LV.1
23
2008-05-20 19:07
@haonan_ren
談一點點個人看法:變壓器開氣隙后,氣隙中儲存會儲存能量,加大漏磁.而且氣隙越大,儲存的能量越大,漏磁也越大,對周圍產品的干擾范圍、干擾強度也會增大.個人建議:采用分段氣隙的方法,將原來的單個氣隙高度減小,分成多段氣隙,這樣每個氣隙中儲存的能量減小(可能總能量還是相當),對周圍產品的干擾范圍、干擾強度也會大大減小.(俺不做電源,只是就是論事,如果不對,還請不要見怪)
你的觀點我不認同.現(xiàn)在來講變壓器受到外來電磁波的干擾,你采作多段GAP,只能是在CORE間墊GAP,那樣的話邊柱GAP將產生的漏磁,即干擾或被干擾的可能增大啦.
我覺得對于第一貼朋友提出的問題,我應該考慮一下你所使用CORE的材質,再一個繞給采用三明治繞法,初資級間增加屏蔽銅帶,且屏蔽接到反饋繞組的接地腳側,如果不考慮成本的說可次級可采用三層絕緣, 其初次間的安規(guī)便可不加MARGIN TAPE,可大大減小漏感啦,再者為減小耦合電容,可以將繞組的繞向作一些更改,如果立式的話,初次繞兩層時,每層繞線均為從PIN端繞向頂端, 次級繞組繞線時可采用從頂端繞向PIN端,讓初級間產生的自感方向相反,且將初次的電位差減小到最小,以減少耦合電容啦,臥式同之
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temp1234
LV.5
24
2008-05-20 19:12
@咸菜簍子
屏蔽主要是反射,吸收只是很小的一部分.還有Y電容我己經加了.三明治繞法,關于初級繞線,如果初級繞40匝,分兩層繞,請問是每層都繞40匝好?還是分繞組一半繞好,也就是說每層繞20匝?都有什么優(yōu)缺點?
Do you solve your problem? Per your descriptions, it may not just a transformer's issue!
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transformer1
LV.10
25
2008-05-20 19:15
@temp1234
Doyousolveyourproblem?Peryourdescriptions,itmaynotjustatransformer'sissue!
No, wait for your suggestion
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temp1234
LV.5
26
2008-05-21 10:49
@transformer1
No,waitforyoursuggestion
Sorry, need more information! How tow power connectted? how close they are? how much the interfer between?
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transformer1
LV.10
27
2008-05-21 11:18
@temp1234
Sorry,needmoreinformation!Howtowpowerconnectted?howclosetheyare?howmuchtheinterferbetween?
Temp1234 brother :
  The these of yours "? " Number, should ask the"咸菜簍子"to answer oh
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temp1234
LV.5
28
2008-05-21 11:29
@transformer1
Temp1234brother:  Thetheseofyours"?"Number,shouldaskthe"咸菜簍子"toansweroh
Yes! Actually, "咸菜簍子" needs to identify the problem first!
I see a lot of DC/DC modules have a Fly-back circuit to provide power for house-keeping circuits and aux-power for seconday-side controller. their are very close to each-others!
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transformer1
LV.10
29
2008-05-21 13:26
@temp1234
Yes!Actually,"咸菜簍子"needstoidentifytheproblemfirst!IseealotofDC/DCmoduleshaveaFly-backcircuittoprovidepowerforhouse-keepingcircuitsandaux-powerforseconday-sidecontroller.theirareveryclosetoeach-others!
There is fewer Flyback converter main transformer Primary turns, the indirect one says, its Lk will be smaller. But if control with aux-power, all right on performance, but not very desirable in practical application, it is synchronous and whole that we can use! Flow
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2008-05-23 10:45
@transformer1
ThereisfewerFlybackconvertermaintransformerPrimaryturns,theindirectonesays,itsLkwillbesmaller.Butifcontrolwithaux-power,allrightonperformance,butnotverydesirableinpracticalapplication,itissynchronousandwholethatwecanuse!Flow
這個電源峰值功率是240W,我開的氣息是1.8毫米.這次新的變壓器我就已經在初次級加屏蔽了,變壓器還沒有回來.
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transformer1
LV.10
31
2008-05-23 11:21
@咸菜簍子
這個電源峰值功率是240W,我開的氣息是1.8毫米.這次新的變壓器我就已經在初次級加屏蔽了,變壓器還沒有回來.
這麼大一個氣隙,是中柱還是兩邊?
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