MOS管的Ciss和Qg是不是越小越好呢？
正在做一個同步BUCK電源，想要選擇合適的MOS 管，有點(diǎn)糾結(jié)，有些導(dǎo)通電阻和電流合適的，Ciss和Qg又偏大，而有些Ciss和Qg合適的，導(dǎo)通電阻和電流又不合適了，不知道Ciss和Qg是不是越小越好呢？望各位大神賜教！謝謝！
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開關(guān)變換器中MOS管的開關(guān)速度實(shí)際上是受驅(qū)動電路的驅(qū)動能力影響，很少會因驅(qū)動電路的驅(qū)動能力過剩而MOS管的速度或自身特性限制了開關(guān)速度。MOS管的電荷量是影響開關(guān)速度的最主要因素。例如100nC的柵極電荷用100mA的電流將其充滿或放盡，需要的時間為1us，而30nC的電荷則僅需要300ns的時間?；蛘呤窃谙嗤尿?qū)動時間，則驅(qū)動電流可以下降為30mA。實(shí)際上決定MOS管的開關(guān)速度的因素是柵-漏電荷（Qgd），也就是MOS管從導(dǎo)通轉(zhuǎn)換到關(guān)斷或從關(guān)斷轉(zhuǎn)換到導(dǎo)通過程中越過“放大區(qū)”所需要的電荷“米勒電荷”。以IRF740系列的MOS管為例，740 : 32nC; 740A : 16nC。可以看到即使同一型號，經(jīng)過改進(jìn)后柵極電荷可以減小。但是如果不是一代的MOS管，則柵極電荷較小的更明顯，以IRFP450和ST公司的STW14N50相比，結(jié)果是前者的柵極電荷75nC,而后者則為28nC,幾乎是1/3。這樣或者對驅(qū)動能力的要求隨之降低到1/3或開關(guān)速度快2倍。由此可見，在選擇主開關(guān)時，應(yīng)盡可能選擇新品。
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