請問各位大神,為啥驅(qū)動電路要串一個電容和穩(wěn)壓管?圖中紅色圓圈部分。這個是管子irfb4227的驅(qū)動電路,上面驅(qū)動電路比下面驅(qū)動電路多串了一個電容和穩(wěn)壓管,上面和下面后級驅(qū)動的管子是一樣的。上下波形以互補的方式輸出,中間的死區(qū)時間大概是80ns。
管子irfb4227的驅(qū)動電路分析
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@001study
很怪異的用法
這沒有啥好奇怪, 早期IGBT需要加速關(guān)斷時, 就必須使用負(fù)壓加速關(guān)斷, 當(dāng)砷化鎵場管問世, 負(fù)壓使用更是需要, 上述為其中一種, 另一種為上下管驅(qū)動獨立供電, 再利用二極體箝位一個負(fù)壓於P晶體上作為OFF加速, 且上下都要, 這時操作頻率可以上到200K以上.....
即使現(xiàn)在使用SIC元件, 很多工程師還是會利用負(fù)壓加速, 因為不管砷化鎵或碳化硅, 都是標(biāo)準(zhǔn)MOS_PN結(jié)的架構(gòu)
只有一種不需要, 那叫"CasCode" 結(jié)構(gòu).......
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@juntion
這沒有啥好奇怪,早期IGBT需要加速關(guān)斷時,就必須使用負(fù)壓加速關(guān)斷,當(dāng)砷化鎵場管問世,負(fù)壓使用更是需要,上述為其中一種,另一種為上下管驅(qū)動獨立供電,再利用二極體箝位一個負(fù)壓於P晶體上作為OFF加速,且上下都要,這時操作頻率可以上到200K以上.....即使現(xiàn)在使用SIC元件,很多工程師還是會利用負(fù)壓加速,因為不管砷化鎵或碳化硅,都是標(biāo)準(zhǔn)MOS_PN結(jié)的架構(gòu)只有一種不需要,那叫"CasCode"結(jié)構(gòu).......
原來如此,還沒怎么折騰IGBT

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