全盤設(shè)計要是能再祥細些就好了，謝謝分享！

好的，盡力而為。

好貼，收藏

這就像一個一個蹺蹺板，一般占空比大了反射電壓比較大，原邊MOS電流應(yīng)力要求較小，電壓應(yīng)力要求較大，反之亦然。考慮平衡性，性價比

一、輸入電容

輸入電路先近似等效為整流橋后接濾波電容和負載電阻，見下圖。

                                    圖2-1 輸入等效電路

電路的工作過程分為兩部分，1、整流橋?qū)〞r母線電壓Vbus等于整流后的輸入電壓，2、整流橋截止時變?yōu)?span>RC放電電路。

                            圖2-2 輸入電路的母線電壓波形構(gòu)成

接下來是要確認T0和T1時刻，T0時刻為兩個曲線相切點T1時刻是兩個曲線的交點，然后就可以畫出母線電壓Vbus。

T0時刻可以用兩個for循環(huán)求解，這里借鑒資料中的公式（T0的精度影響比較小）。在資料中多是將放電曲線近似為直線這會導(dǎo)致結(jié)果有些誤差。

                                                圖2-2 與資料中的線性放電曲線對比

再考慮整流橋的管壓降減去1.4V得到最終的結(jié)果，同Saber的仿真結(jié)果進行對比如下：

                                                 圖2-3 Sabe與Mathcad輸入波形對比

如上圖所示Mathcad的計算結(jié)果基本上同仿真的一樣（上圖輸入電容為200uH）。

我是想把公式都整理一邊然后看看這個蹺蹺板拌到什么位置最合適。

令人耳目一新啊，期待樓主佳作！

 謝謝鼓勵！

接下來要對電流進行方程描述，首先去掉整流橋，電路變?yōu)橛山涣麟娭苯域?qū)動的阻容并聯(lián)負載，此時的波形如下：

                                       圖2-4 阻容負載的電壓電流波形

負載上的電壓為輸入交流電壓，電流超前于電壓超前角跟T0有關(guān)（見上圖方程），這時再把整流橋加上去，電壓信號負的變正的對于方程描述就是取絕對值，電流取整流橋?qū)〞r段其它時段為零，重新生成的波形并同Saber對比如下：

                                                           圖2-5 輸入電流波形

如上圖所示仿真和計算的結(jié)果非常的接近說明公式是準(zhǔn)確的，不過遺憾的是大多數(shù)反激的應(yīng)用都是恒功輸出而不是恒阻輸出的，所以一開始的等效電路就是不準(zhǔn)確的，這個方程還需要再修正一下。

現(xiàn)在研究 的越來越細了，贊一個

修正方法是把負載電阻換成與時間有關(guān)的函數(shù)既R(t)=Vt(t)^2/Pin（恒功率），這時候方程變成了

    公式1-1

這個方程還不知道如何整理成單純的Vt(t)的函數(shù)，目前采用的是逐次逼近法。先假設(shè)R(t)為恒定值代入方程求出Vt(t)函數(shù)，將Vt(t)代入恒功率方程求得一個跟時間t有關(guān)的R1(t)，此R1(t)再次代入方程求出Vt2(t)，此Vt2(t)再代入恒功率方程求出R2(t)，R2(t)代入方程求Vt3(t)······如此類推直到n次。

                                 圖2-6 逐次逼近法計算輸入電壓波形

上圖是逐次逼近法的計算結(jié)果，實際上這里還沒有掌握逐次逼近法的精髓在上述結(jié)果中只有第一次逼近結(jié)果接近仿真值。下圖是計算同仿真的對比：

                                     圖2-7 恒功模式下輸入電容的波形對比

試過恒功率50W-500W計算結(jié)果和仿真結(jié)果還都比較接近，如果能整理出公式1-1的方程則結(jié)果應(yīng)當(dāng)更加理想。

非常感謝版主分享的知識

有了電流方程后就可以計算出平均電流和有效電流從而進行損耗估算，電解電容的ESR可以用損耗角表示也可以用50~80*10^-6這個系數(shù)來估算如下圖：

                             圖2-8 電解電容ESR與容量的關(guān)系

將之前的方程整理一下使輸入電容Cin為自變量（X軸）得到峰值電流和輸入電容的關(guān)系：

                                       圖2-9 輸入峰值電流和輸入電容的關(guān)系

這樣就可以估算出電解電容ESR和整流橋上的損耗：

                                 圖2-10 輸入電容、整流橋損耗與輸入電容容量的關(guān)系

上述數(shù)據(jù)的條件是輸入電壓峰值100V、功率50W、kc=65、二極管壓降0.7V。

下面是參考《精通開關(guān)電源設(shè)計》估算的電容壽命：

                                               圖2-11 低性能電容壽命與容量、溫度的關(guān)系

                                               圖2-12 高性能電容壽命與容量、溫度的關(guān)系

至此初步完成了輸入電容的子模塊設(shè)計后續(xù)再進行其它子模塊整理，當(dāng)完成所有子模塊時整套電源系統(tǒng)就構(gòu)建成功了。這個也是自我學(xué)習(xí)的一個過程，如果有分析不對的地方還望及時指正。

另外此輸入電容是按最壞情況設(shè)計的，考慮到±20%的容量誤差和容量下降20%既為失效實際選擇的電容是計算的1.56倍，可將此電容值代入方程來求解另一種情況下的極限值。

經(jīng)過高人指點公式1-1（恒功率輸出）整理之后的表達式為

    公式1-2

將此方程代入后計算的電流、電壓及波形同Saber仿真的基本一致。

占個座

占座兒，等更

電容恒功放電公式也可從下圖推出：

                                        圖3-1 電容恒功放電公式圖

輸入電容Mathcad文件已上傳方便大家參考，輸入電流電壓波形部分采用了微積分運算結(jié)果較精確。后面的損耗分析、壽命估算由于微積分運算速度較慢故采用了基波分析法。它們的峰值電流偏差如下：

                圖3-2 兩種方法峰值電流偏差對比

標(biāo)記學(xué)習(xí)下。感謝分享。

電容壽命方程中的I_R是個變量需要修正一下，參考一款電容

得到這款電容近似的I_R方程曲線，代入壽命估算方程重新繪制電容壽命曲線得：

什么時候整理一個完整文件，系統(tǒng)學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)，Mathcad文件沒找到

文件在一樓