最近在一個(gè)96v轉(zhuǎn)12V轉(zhuǎn)換器（開關(guān)頻率50KHZ）上測(cè)試了兩款MOSFET 一款結(jié)電容比另外一款大一倍但是內(nèi)阻小一倍，測(cè)試下來(lái)發(fā)現(xiàn)內(nèi)阻小的竟然效率差，帶載能力也沒(méi)內(nèi)阻大的那個(gè)強(qiáng)；本以為測(cè)試過(guò)程中出現(xiàn)紕漏，可是反復(fù)幾次，多次查找，也沒(méi)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題?？戳艘幌率静ㄆ鞯牟ㄐ?，恍然大悟，這么小的占空比導(dǎo)通損耗肯定不占主導(dǎo)因素，于是用公式計(jì)算了一下與測(cè)試數(shù)據(jù)的趨勢(shì)基本吻合（開關(guān)損耗果然大于導(dǎo)通損耗）。因此得出一個(gè)結(jié)論再設(shè)計(jì)和測(cè)試中，公式計(jì)算還是非常必要的。本來(lái)整理了一些MOSFET相關(guān)的計(jì)算公式，最近電源網(wǎng)似乎附件再不上去，過(guò)幾天能正常添加了給大家共享一下。