MOS管柵極電阻
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@sheng227
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不用等,我就是高手.......
Mos_G-S, 以前是沒人在加電阻的,為何,一部份省零件,一部份是Mos爆炸那顆電阻也跟著掛,所以裝沒意義,有些人?人為是泄放電流,但你想想,裝個(gè)10K電阻能起啥泄放作用?,光驅(qū)動(dòng)泄放都比它強(qiáng)........
說了,Mos于G極有很大阻抗,且因?yàn)殡妶?chǎng)作用,很容易吸引雜訊,一但吸引雜訊?糟成D-S產(chǎn)生通道,若D-S電壓足夠,那么流過通道電流在通道阻抗乘積大于MOS可承受,則MOS便?掛掉,我們舉個(gè)例子: PWM IC可以低電流起動(dòng),意謂在VCC-GND, OUT-GND都需高阻,才能在高壓串聯(lián)大阻值電阻達(dá)到低電流起動(dòng),那么問題來了,由于在未動(dòng)作時(shí),驅(qū)動(dòng)斷對(duì)MOS-G為高阻,雖然有一顆驅(qū)動(dòng)電阻,但是還是高阻,因此,在上電初期當(dāng)AC電壓升高PWM起動(dòng),短時(shí)間沒事,但是,當(dāng)產(chǎn)線測(cè)試后放入萃盤,當(dāng)大電容放電未完成時(shí),MOS_G藕和雜訊,此時(shí)MOS就掛了,所以產(chǎn)線?覺得很奇怪,明明是測(cè)好的呀!?
所以設(shè)計(jì)上才需要用一個(gè)電阻讓MOS電位固定,致于用10K與否,隨你........
所以,那叫電位電阻,不叫泄放電阻.....
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@juntion
不用等,我就是高手....... Mos_G-S,以前是沒人在加電阻的,為何,一部份省零件,一部份是Mos爆炸那顆電阻也跟著掛,所以裝沒意義,有些人?人為是泄放電流,但你想想,裝個(gè)10K電阻能起啥泄放作用?,光驅(qū)動(dòng)泄放都比它強(qiáng)........ 說了,Mos于G極有很大阻抗,且因?yàn)殡妶?chǎng)作用,很容易吸引雜訊,一但吸引雜訊?糟成D-S產(chǎn)生通道,若D-S電壓足夠,那么流過通道電流在通道阻抗乘積大于MOS可承受,則MOS便?掛掉,我們舉個(gè)例子:PWMIC可以低電流起動(dòng),意謂在VCC-GND,OUT-GND都需高阻,才能在高壓串聯(lián)大阻值電阻達(dá)到低電流起動(dòng),那么問題來了,由于在未動(dòng)作時(shí),驅(qū)動(dòng)斷對(duì)MOS-G為高阻,雖然有一顆驅(qū)動(dòng)電阻,但是還是高阻,因此,在上電初期當(dāng)AC電壓升高PWM起動(dòng),短時(shí)間沒事,但是,當(dāng)產(chǎn)線測(cè)試后放入萃盤,當(dāng)大電容放電未完成時(shí),MOS_G藕和雜訊,此時(shí)MOS就掛了,所以產(chǎn)線?覺得很奇怪,明明是測(cè)好的呀!?所以設(shè)計(jì)上才需要用一個(gè)電阻讓MOS電位固定,致于用10K與否,隨你........ 所以,那叫電位電阻,不叫泄放電阻.....
博大精深
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