一般是放在后面，阻值選10k左右。

這樣接是對(duì)的..... 誰(shuí)說(shuō)電阻一定要在G-S?

Mos閘極具有非常大的阻抗，當(dāng)沒(méi)有電阻下地而浮接時(shí)，?跟天線一樣藕和雜訊，通常加電阻是為了推動(dòng)級(jí)被開(kāi)路，G極˙因?yàn)橛凶杩挂虼朔€(wěn)定

以你這圖為例，假設(shè)電阻移到G-S, 那驅(qū)動(dòng)將被分壓成一半，若你是3.3V驅(qū)動(dòng)，那Mos將?推不動(dòng)，而過(guò)大的電阻在高Noise場(chǎng)何是沒(méi)用的，所以放前面是對(duì)的.... 

不用等，我就是高手....... 

Mos_G-S, 以前是沒(méi)人在加電阻的，為何，一部份省零件，一部份是Mos爆炸那顆電阻也跟著掛，所以裝沒(méi)意義，有些人?人為是泄放電流，但你想想，裝個(gè)10K電阻能起啥泄放作用?，光驅(qū)動(dòng)泄放都比它強(qiáng)........ 

說(shuō)了，Mos于G極有很大阻抗，且因?yàn)殡妶?chǎng)作用，很容易吸引雜訊，一但吸引雜訊?糟成D-S產(chǎn)生通道，若D-S電壓足夠，那么流過(guò)通道電流在通道阻抗乘積大于MOS可承受，則MOS便?掛掉，我們舉個(gè)例子: PWM IC可以低電流起動(dòng)，意謂在VCC-GND, OUT-GND都需高阻，才能在高壓串聯(lián)大阻值電阻達(dá)到低電流起動(dòng)，那么問(wèn)題來(lái)了，由于在未動(dòng)作時(shí)，驅(qū)動(dòng)斷對(duì)MOS-G為高阻，雖然有一顆驅(qū)動(dòng)電阻，但是還是高阻，因此，在上電初期當(dāng)AC電壓升高PWM起動(dòng)，短時(shí)間沒(méi)事，但是，當(dāng)產(chǎn)線測(cè)試后放入萃盤(pán)，當(dāng)大電容放電未完成時(shí)，MOS_G藕和雜訊，此時(shí)MOS就掛了，所以產(chǎn)線?覺(jué)得很奇怪，明明是測(cè)好的呀!?

所以設(shè)計(jì)上才需要用一個(gè)電阻讓MOS電位固定，致于用10K與否，隨你........ 

所以，那叫電位電阻，不叫泄放電阻..... 

博大精深