MOSFET選的型號是ON Semiconductor UniFET 系列 Si N溝道 MOSFET FDPF12N50UT, 10 A, Vds=500 V, 3引腳 TO-220F封裝

這是MOSFET的數(shù)據(jù)手冊 FDPF12N50UT.pdf

MOSFET Ciss = 1395pf  Coss = 190pf Crss = 17pf

這是我的MOSFET驅(qū)動電路

我按照一篇文章進行計算 這個變壓的參數(shù)，但我感覺有問題，下面我把算的過程寫下去。

這篇文章在這里   功率MOSFET管驅(qū)動變壓器設(shè)計.docx

時間常數(shù) t = R1 * Ciss = 10 x 1395 x 2(兩個MOSFET) * 10^-12 = 2.79 * 10 ^- 8s

柵極電壓 uciss = U1 * (1 - e^(- 1/t) ) = 5.72799994102 * 10 ^ - 8 V

柵極串聯(lián)電阻R1 電流 i = U1/R1 * e^(- 1/t) = 1.599999994A

瞬時功率p = U1^2/R1 * e^(1/t) = 25.59999990822W

上升時間 tr = 2.2*t = 6.138*10^-8s

驅(qū)動變壓器設(shè)計

輸出電流有效值 I = 根號（Ciss/R1 * f）*U1    f = 50Khz

                           = 0.05975951808A

變壓器功率 P = I * U1 = 0.95615228928W

系統(tǒng)臨界振蕩的變壓器漏感

Ls = 0.25 * Ciss * R1^2    (  我使用了2個MOSFET) 

    = 0.25 * 1395 * 2 * 10^ -12 * 10^2  

    = 0.06975uH  

驅(qū)動變壓器的選擇

驅(qū)動變壓器的磁芯我是參照《開關(guān)電源設(shè)計第三版》這本書的正激部分的變壓器設(shè)計的，為什么用正激部分的計算公式，是因為我看了這篇文章 淺談脈沖驅(qū)動變壓器.pdf 

驅(qū)動變壓器的磁芯我查表后選擇了813E817這個型號

初級匝數(shù)計算

Np  = [ (Vdc - 1)(0.8T/2) * 10^8 ]/AeDb

      = [ 15 *  (0.8 * 1/50Khz / 2 ) * 10^8 ] / (0.225cm^2 * 1600G)

      = 33.333匝

次級匝數(shù)計算

Vom = [ (Vdc - 1) Nm/Np - Vd ] Ton/T

        = [ 15 * Nm/Np - 1 ] * 0.8

        = [ 15 * Nm/ 33.333 - 1] * 0.8

16V  = [ 15 * Nm/ 33.333 - 1] * 0.8

Nm = 46.662匝

初級線徑 = 初級電流有效值 * 500圓密耳

我不知道初級電流有效值是多少

初級線徑怎么算？求指導(dǎo)   

次級線徑 = 輸出電流有效值 * 500圓密爾

               = 0.05975951808A * 500 

               = 29圓密耳 = 0.014694516894mm^2

求教，我的計算流程有沒有問題，感覺線徑和匝數(shù)計算的是錯的