海飛樂IGBT專注高可靠性功率芯片研發(fā)， 利用具有自主知識產(chǎn)權(quán)的創(chuàng)新結(jié)構(gòu)打破國外技 術(shù)壟斷，以期實現(xiàn)中國功率芯片彎道超車。結(jié) 合國內(nèi)芯片工藝水準(zhǔn)，融合 IGBT 和 MCT 的 優(yōu)勢，在國際上首創(chuàng)一種高可靠性功率器件 MCKT，有望在新能源以及高壓直流輸電領(lǐng)域 發(fā)揮其特有的價值。

集合 MCT 與 IGBT 優(yōu)點于一身的 MCKT MCT：MOS 控制 + 晶閘管導(dǎo)電由 V.A.K. Temple 于 1984 年提出，MCT 在提 出之時曾被喻為最理想的功率半導(dǎo)體器件！然 而在產(chǎn)品化過程中人們發(fā)現(xiàn)，電流集中導(dǎo)致 MCT 僅有極小的安全工作區(qū)(SOA)，嚴(yán)重限制 了 MCT 在大電流關(guān)斷時的可靠性！海飛樂MCKT 對比傳統(tǒng) IGBT 的優(yōu)勢

? 新一代功率器件 MCKT 相比傳統(tǒng) IGBT，擁有更低的 Von，使器件工作時的導(dǎo)通損耗更低。

? 新型 MCKT 器件擁有“方形”反偏安全工作區(qū)（RBSOA）,并且能承受比 IGBT 更高的反偏可關(guān)斷電流,（普通 IGBT 一般能安全關(guān)斷不超過額定電流 2 倍的單次脈沖電流，而 MCKT 可以安全關(guān)斷高達(dá) 6 倍以上額定電流的單次脈沖電流）

? 新型 MCKT 擁有堅固的抗短路電流能力，適用于硬啟動、高浪涌電流電機驅(qū)動電路，有 助于改善電機驅(qū)動器的可靠性，提高電機驅(qū)動器的耐用性。特別適用于新能源汽車驅(qū)動領(lǐng)域。

? 不穩(wěn)定的功率、AC 線路浪涌和系統(tǒng)故障均會引起雪崩情況，導(dǎo)致器件瞬間失效，MCKT專門針對雪崩耐量（堅固性）進行優(yōu)化，具有極佳的抗雪崩能力，確保在雪崩模式情況 下器件不失效。? 新一代結(jié)構(gòu)器件，從器件結(jié)構(gòu)入手，徹底解決 IGBT 的動態(tài)閂鎖問題，大大提高器件可靠 性，提高器件的電流密度。特別適用于大功率電機傳動、機車牽引、高壓直流輸電領(lǐng)域。

? MCKT 功率器件有較低的 dv/dt，以及較小的寄生電感，可以有效降低高速開關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域由于器件而引起的震蕩，特別適用于各類硬開關(guān)和感性負(fù)載電路，有較高的可靠性及低 損耗特性。? MCKT 結(jié)合高溫全銅封裝以及銀燒結(jié)等封裝技術(shù)，可以使結(jié)溫提高至 200 攝氏度，使器 件的可靠性及電流密度都大大提高，目前普通 IGBT 的最高結(jié)溫為 175 攝氏度。

? MCKT 針對國內(nèi)當(dāng)前工藝水平量身設(shè)計，貼合目前國內(nèi)生產(chǎn)工藝水平現(xiàn)狀，擁有較高的 一致性，器件為正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用。

? 新的結(jié)構(gòu)，有效降低開關(guān)損耗，支持更高頻率下運行而不增加導(dǎo)通損耗。