話不多說，首先這次電賽最深刻的感悟就是要想出成績(jī)還是要靠實(shí)驗(yàn)室平時(shí)的技術(shù)積累?。?！

這次電賽的E題是制作一個(gè)能量回饋裝置，但是實(shí)際卻是制作一個(gè)可調(diào)電子負(fù)載。涉及到變頻逆變、升壓灌流等關(guān)鍵技術(shù)。

我們實(shí)驗(yàn)室第選這個(gè)題目就是本身就有單項(xiàng)逆變的基礎(chǔ)，去年電賽就實(shí)現(xiàn)了單相三相逆變，并且可以并聯(lián)均流。

我們的方案是：1 逆變需用全橋逆變拓?fù)?，使用SPWM單極性調(diào)制，使用STM32輸出SPWM波形到IR2110芯片從而驅(qū)動(dòng)MOS管。

                       2 通過查表法實(shí)現(xiàn)正弦波逆變，改變載波頻率從而改變調(diào)制比，最終實(shí)現(xiàn)調(diào)頻，步進(jìn)1Hz。

                       3 為了實(shí)現(xiàn)帶載，需要增加反饋控制，通過電壓互感器采集逆變電壓，將輸出電壓和設(shè)定值25V進(jìn)行對(duì)比，誤差值進(jìn)行PI運(yùn)算從而進(jìn)行調(diào)節(jié)占空比，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。

                       以上就是逆變的方案。