使用SiC MOSFET SCH2080ke時(shí)，雙有源橋原邊同一橋臂下，驅(qū)動(dòng)時(shí)出現(xiàn)DS波形不正常跌落的情況。副邊是正常的。

1為原邊橋臂上管GS，4為原邊橋臂上管DS（下圖Q1）3為同一橋臂下管GS。（下圖Q5）發(fā)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)波形正常，但是在上管正常關(guān)斷后，下管導(dǎo)通時(shí)會(huì)同時(shí)把上管的DS電壓拉低。下管關(guān)斷時(shí)也有相同現(xiàn)象。在母線電壓較低時(shí)仍然會(huì)有相同現(xiàn)象，只是DS被拉低的幅度比較小。采用20V/-4V負(fù)壓驅(qū)動(dòng)，GS間并聯(lián)了10K電阻和8nF電容。

補(bǔ)充說明：

紅圈內(nèi)Q5GS（紫色）下降，Q5關(guān)斷（Q5的DS曲線未顯示，但各個(gè)時(shí)刻與Q1DS（綠色）值之和應(yīng)等于母線電壓）。此時(shí)Q1進(jìn)入續(xù)流狀態(tài)，DS電壓為0，下降沿1是所期望的波形。死區(qū)時(shí)間經(jīng)過后Q1的GS上升，此時(shí)應(yīng)為ZVS導(dǎo)通，按理來說這個(gè)導(dǎo)通過程中其DS（綠色）應(yīng)該沒有動(dòng)作，因?yàn)樵缭赒5關(guān)斷時(shí)DS就已經(jīng)續(xù)流導(dǎo)通。但不知為何出現(xiàn)了2處的電壓上升。上下管驅(qū)動(dòng)波形都是正常的，請(qǐng)問這個(gè)波形2應(yīng)如何避免？其他地方的不正常跌落也是同理。