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電源技術(shù)綜合區(qū)
COOLMOS損壞
COOLMOS損壞
開始用的12N65平面MOS溫度高,想換COOLMOS用的英飛凌的600mR700V,測試損壞,輸入115V,輸出空載,多開機沖擊幾次COOLMOS就擊穿,GDS全部擊穿,沒擊穿的時候可以帶載波形都正常。
全部回復(fù)(3)
只看樓主
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現(xiàn)在還沒有回復(fù)呢,說說你的想法
yuyuyu5
LV.8
2
2018-11-06 09:09
過測試,換新元件,,,,,,,,
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hk笨苯
LV.5
3
2018-11-06 16:04
GS有加電阻沒?
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xiaojb11
LV.4
4
2018-11-07 13:52
既然平面mos的沒壞,那650V耐壓是夠用的,更何況換成了700V的。平面mos換成COOLMOS后開關(guān)速度更快了,建議加大驅(qū)動電阻。另外我以前試過平面mos換成COOLMOS后OCP變大了,開機瞬間沖擊電流大了,建議調(diào)整限流。
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