無錫新潔能針對此應用推出了四款同步整流MOS NCEP6020ASNCE0110AS，NCE0114AS，NCEP0160G，并采用最新的Super Trench 工藝。SuperTrench MOS采用具有電荷平衡功能的屏蔽柵深溝槽（ShieldGate Deep Trench）技術，全面提升了器件的開關特性和導通特性，同時降低了器件的特征導通電阻（Rsp）和柵極電荷（Qg）,新款Super Trench MOS 軟體二極管性能可以有效降低同步整流中的電壓尖峰。

NCEP6020AS（60V 20A）

- SOP-8封裝

- Vth=1.7V- Ron10=4.0mR (Typ.)

 - Ron4.5=4.4mR(Typ.)

- Qgd=10nC

NCE0110AS

- SOP-8封裝- VDS= 100V,ID =10A

- RDS(ON)< 17m? @ VGS=10V (Typ:14m?)

- RDS(ON)< 20m? @ VGS=4.5V (Typ:15.2m?)

 

NCE0114AS

- SOP-8封裝

- VDS =100V,ID =14A

- RDS(ON)=8.8mΩ (typical) @VGS=10V

- RDS(ON)=9.8mΩ (typical) @ VGS=4.5V

NCEP0160G

- DFN5X6-8L(同SOP-8封裝兼容)

- VDS =100V,ID =60A

- RDS(ON) <8.5mΩ @ VGS=10V

NCE0114AS在一款采用PI方案INN2215K方案的24W快充產品上，在較苛刻的測試條件下實測效率高達88.5%。測試條件：輸入90V AC，輸出8V3A。NCE0160G相比NCE0114AS，Rdson更低，電流更大，熱阻低至0.7℃/W,適合一些要求更嚴格的場合。

同時，新潔能針對OB，Iwtt一些非集成初級MOS方案，可提供TO-251.TO-252等小體積超結MOS。相對于VDMOS，具有更低的導通電阻，利于降低導通損耗，極低的柵極電荷，提供更快的開關速度，同規(guī)格下更小的封裝體積，減小產品尺寸。 TO-251,TO-252封裝下最大可提供11A650V。普通VDMOS則較難做到如此小型封裝。

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