用運放放大電流信號

謝謝二樓師長的回復(fù)！

     用運放能降低Rs的阻值，但電路要求運放反應(yīng)時間快，快速反應(yīng)的運放在我等業(yè)余條件下，不好找，不便做試驗。

    

     順便說明：上面的電路在電位器阻值＝0時，控制70A的放電電流。

放電電流靠Rs和Q1控制，原理上是可以的但實際上Rs和Q1受溫度影響太大，只能弄來玩玩。

謝謝ta7698軍長的回復(fù)！

   考慮取樣電阻為10毫歐時，功耗近50W，有點太大！

   經(jīng)過思考后考慮，Rs用1毫歐取樣電阻，在Rs上端接一LM339比較器，MOS用IRF1405，只是不知道的問題有：

      ① 339的反應(yīng)速度能否滿足MOS的要求？

      ② 339對幾毫伏的電壓變化能否分辨出來？

      ③  為簡化電路，比較器仍用左邊的電源供電，假設(shè)左邊電源電壓為3.6—4.2伏，不知是否可行？

4V電壓開通MOS有點懸！

聽取ta7698軍長的意見。將左邊電源改為二節(jié)或三節(jié)鋰電供電的電壓，但還有兩個問題未得求證！

增加兩個電阻為三極管提供一個偏置電流可以減小采樣電阻Rs，單用用三極管和MOS管搭電路精度不會太高（或許這個電路對精度沒要求？）

謝謝boy59的回復(fù)！

  這個辦法好！。

    這個方法通過改變新兩個電阻的大小，可以讓Q1在截止與放大區(qū)之間轉(zhuǎn)換，會不會也使MOS處于放大工作狀態(tài)？有點擔(dān)心MOS在放大區(qū)時的功耗。

     我的目的是使MOS在超過設(shè)定電流時斷開；沒有過流時，MOS全部開通。

就是讓MOS管工作于放大區(qū)實現(xiàn)恒流放電，你這個屬于損耗性放電，不在MOS管上發(fā)熱就在電阻RL上發(fā)熱，散熱器是少不了的了……

按你的目的用比較器實現(xiàn)是最理想的，關(guān)斷動作會非常的精準和干脆，不過這樣一來70A限流就只能通過電阻RL來實現(xiàn)，既然RL的阻值可以滿足限流了那么是否還有電流超過70A的可能？

謝謝boy59 

    RL是負載，電流大小不確定，但總來說負載RL需要較大電流幾十至幾百安，但這個電流也需要控制，一是不能超過MOS的額定電流；二是RL電流也需要分檔控制。

     就是不知道用比較器339控制，其反應(yīng)速度能否滿足MOS的要求？再者就是：339對幾毫伏的電壓變化能否分辨出來？

     

     從這個參數(shù)上看，只用一個1405不能滿足對幾百安電流控制，一只1405用在100A以內(nèi)可以，另外左邊的電源電壓4.0V也有點偏低！

339比較器最小可以分辨出2mV左右的輸入電壓，LM339D還有LM339APWR好像切換時間是300nS，具體可以自己搜一下。

另外比較器要設(shè)計成滯回比較器，不然在極限電流處會震蕩個不停……

謝謝boy59 

   

謝謝 boy59的提醒！