諧振失效

在并聯(lián)功率MOS FET時(shí)未插入柵極電阻而直接連接時(shí)發(fā)生的柵極寄生振蕩。高速反復(fù)接通、斷開(kāi)漏極-源極電壓時(shí)，在由柵極-漏極電容Cgd(Crss)和柵極引腳電感Lg形成的諧振電路上發(fā)生此寄生振蕩。當(dāng)諧振條件(ωL=1/ωC)成立時(shí)，在柵極-源極間外加遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于驅(qū)動(dòng)電壓Vgs(in)的振動(dòng)電壓，由于超出柵極-源極間額定電壓導(dǎo)致柵極破壞，或者接通、斷開(kāi)漏極-源極間電壓時(shí)的振動(dòng)電壓通過(guò)柵極-漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導(dǎo)致正向反饋，因此可能會(huì)由于誤動(dòng)作引起振蕩破壞。

諧振失效預(yù)防措施:

電阻可以抑制振蕩, 是因?yàn)樽枘岬淖饔?。但柵極串接一個(gè)小電阻, 并非解決振蕩阻尼問(wèn)題. 主要還是驅(qū)動(dòng)電路阻抗匹配的原因, 和調(diào)節(jié)功率管開(kāi)關(guān)時(shí)間的原因。

樓主好，調(diào)節(jié)功率管的開(kāi)關(guān)時(shí)間，除了調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電阻，還有哪些方法實(shí)現(xiàn)？望指點(diǎn)一二

可以試著增大或減小GS間的電容