第三代半導體材料SIC碳化硅的發(fā)展在功率器件市場成為絕對的焦點。

SiC功率器件具有高耐壓、低損耗、高效率等特性，高頻高溫，是同等硅器件耐壓的10倍，能夠降低系統(tǒng)尺寸和運行成本。使用SiC器件可令系統(tǒng)成本下降，性能顯著提高，并且由于減少了外圍被動器件的使用，系統(tǒng)尺寸可大幅縮減。

基于硅基四英寸生產線設備能力，通過設計仿真、單項工藝和工藝整合技術攻關，深圳市深鴻盛電子有限公司創(chuàng)新性地開發(fā)了低溫離子注入工藝，解決了高耐壓、低漏電、邊緣放電等關鍵問題，掌握了SiC肖特基二極管制備關鍵技術，具備了SiC肖特基產品研制、生產能力，在產品性能、可靠性等方面具有國內領先水平。

SiC肖特基二極管主要應用于混合動力、光伏逆變器、礦機電源、電焊機和充電樁。

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