一、 MOSFET開關(guān)損耗

  開關(guān)損耗每個開關(guān)周期出現(xiàn)兩次，它包含開通損耗和關(guān)斷損耗，下圖是MOSFET在開通過程中的電壓、電流波形圖。

二、計算公式

  1、開通時間計算公式

注：Rtot 為柵極總電阻

注：公式（3）是開通總損耗 公式；（4）、（5）是驅(qū)動電流計算公式；公式（6）、（7）是開通時間計算公式，公式（8）是總的開通時間計算公式

2、同理得出關(guān)斷總損耗計算公式如公式（9）所示

3、柵極驅(qū)動損耗

     

4、MOSFET輸出損耗

      

5、 MOSFET導(dǎo)通損耗

                 

三、驅(qū)動電阻

1、 驅(qū)動電阻下限值的計算原則為：驅(qū)動電阻必須在驅(qū)動回路中提供足夠的阻尼，來阻尼mos開通瞬間驅(qū)動電流的震蕩。保證驅(qū)動電流ig不發(fā)生震蕩其RG下限值如公式（14）所示：

2、驅(qū)動電阻上限值的計算原則為：防止mos管關(guān)斷時產(chǎn)生很大的dV/dt使得mos管再次誤開通。

其計算公式如公式（15）所示：

                  

3、MOSFET開通時的驅(qū)動電流如圖（1）

圖1

4、MOSFET關(guān)斷時的驅(qū)動電流如圖（2）

圖2

5、MOSFET關(guān)斷時為了防止誤導(dǎo)通應(yīng)當(dāng)盡量減小關(guān)斷時的回路電阻，基于這種思想有如下兩種改進(jìn)電路。

圖3

圖4