Ciss：輸入電容。Ciss=Cgd+Cgs

Coss：輸出電容。Coss=Cds+Cgd

Crss：反向傳輸電容。Crss=Cgd

Test Condition：Vgs=0，VDS=10V、15V、25V，f=1MHz

MOSFET是電壓型驅(qū)動器件，驅(qū)動的過程就是柵極電壓的建立過程，這是通過對柵源及柵漏之間的電容充電來實現(xiàn)的。

Qg：柵極總充電電量。

Qgs：柵源充電電量。

Qgd：柵源充電電量。

Test Condition：Vdd=80%RatedVds，ID=RatedID,Vgs=4.5V或10V，Rg=10Ω

開關(guān)時間（Switching Time）

Td（on）：導(dǎo)通延遲時間

Tr：上升時間

Td（off）：關(guān)斷延遲時間

Tf：下降時間

Test Condition：Vdd=1/2RatedVds，ID=1/2RatedID,Vgs=4.5V或10V，Rg=4.7Ω

Vsd：寄生二極管正向?qū)妷?

Trr：二極管反向恢復(fù)時間

二極管可視為一種電容，積累的電荷Qrr完全放掉需要時間為Trr。