一種常見(jiàn)的由分立器件組成的MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電路原理如下:

1、當(dāng)HS為高電平時(shí)，Q7、Q4導(dǎo)通，Q6關(guān)閉，電容C4上的電壓(約14V)經(jīng)過(guò)Q4、D3、R6加到Q5的柵極，使Q5導(dǎo)通。在導(dǎo)通期間，Q5的源極電壓(Phase)接近電源電壓Vdc，所以電容兩端的電壓隨著Phase電壓一起浮動(dòng)，電容C4亦稱為自舉電容。Q5靠C4兩端的電壓來(lái)維持導(dǎo)通。

2、當(dāng)HS為低電平時(shí)，Q7、Q4關(guān)閉，Q6導(dǎo)通，為Q5的柵極提供放電回路，從而使Q5很快關(guān)閉。當(dāng)Q5關(guān)閉后，由于下管的開(kāi)通或負(fù)載的作用，使得Phase電壓下降接近0V，從而使C4經(jīng)過(guò)+15V→D2→C4→GND回路充電，為下一次導(dǎo)通做好準(zhǔn)備。

3、當(dāng)LS為低電平時(shí)，Q8、Q11導(dǎo)通，Q10關(guān)閉，驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)R11為下管Q9的柵極充電，使Q9導(dǎo)通。

4、當(dāng)LS為高電平時(shí)，Q8、Q11關(guān)閉，Q10導(dǎo)通，為Q9的柵極提供放電回路,使Q9關(guān)斷。

5、當(dāng)HS和LS同時(shí)為高電平時(shí)，上管開(kāi)通下管關(guān)閉。當(dāng)HS和LS同時(shí)為低電平時(shí)，上管關(guān)閉下管開(kāi)通。

在實(shí)際應(yīng)用中，為了避免上下管同時(shí)開(kāi)通，HS和LS的邏輯要靠MCU或邏輯電路來(lái)保證。