開關(guān)電源EMI 整改中，關(guān)于不同頻段干擾原因及抑制辦法：

1MHZ 以內(nèi)----以差模干擾為主

1.增大X 電容量；

2.添加差模電感；

3.小功率電源可采用PI 型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。

1MHZ---5MHZ---差模共?；旌?/span>，采用輸入端并聯(lián)一系列X 電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標并以解決，

1.對于差模干擾超標可調(diào)整X 電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量;

2.對于共模干擾超標可添加共模電感,選用合理的電感量來抑制；

3.也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如FR107 一對普通整流二極管1N4007。

5M---以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。對于外殼接地的，在地線上用一個磁環(huán)串繞2-3 圈會對10MHZ 以上干擾有較大的衰減作用;可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔, 銅箔閉環(huán).處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小。

對于20--30MHZ，

1.對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2 電容量或改變Y2 電容位置；

2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1 電容位置及參數(shù)值；

3.在變壓器外面包銅箔；變壓器最里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。

4.改變PCB LAYOUT；

5.輸出線前面接一個雙線并繞的小共模電感；

6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC 濾波器且調(diào)整合理的參數(shù)；

7.在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE；

8.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容。

9. 可以用增大MOS 驅(qū)動電阻.

30---50MHZ 普遍是MOS 管高速開通關(guān)斷引起，

1.可以用增大MOS 驅(qū)動電阻；

2.RCD 緩沖電路采用1N4007 慢管；

3.VCC 供電電壓用1N4007 慢管來解決；

4.或者輸出線前端串接一個雙線并繞的小共模電感；

5.在MOSFET 的D-S 腳并聯(lián)一個小吸收電路；

6.在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE；

7.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容；

8.PCB 心LAYOUT 時大電解電容，變壓器，MOS 構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小；

9.變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。

50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復電流引起，

1.可以在整流管上串磁珠；

2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù)；

3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當?shù)碾娮瑁?

4.也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點）。

5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射.

200MHZ 以上開關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過EMI 標準。

補充說明:開關(guān)電源高頻變壓器初次間一般是屏蔽層的,以上未加綴述.開關(guān)電源是高頻產(chǎn)品,PCB 的元器件布局對EMI.,請密切注意此點.開關(guān)電源若有機械外殼,外殼的結(jié)構(gòu)對輻射有很大的影響.請密切注意此點.主開關(guān)管,主二極管不同的生產(chǎn)廠家參數(shù)有一定的差異,對EMC 有一定的影響.請密切注意此點.