正激電源每次啟動驅(qū)動波形好連續(xù)
正激電源驅(qū)動波形VGS不連續(xù)，黃色為驅(qū)動波形，藍色為輸出電壓，不知道為什么每次開機驅(qū)動會反復啟動幾次？不知是否正常？
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測試下IC VCC波形就一目了然了。
第一個脈沖群： 上電，VCC啟動前電容電壓為0，輔助繞組無能量反饋。啟動電容由啟動電阻充電，直到IC 的 啟動門檻電壓， IC啟動，VCC啟動電容電壓開始下降，輔助繞組能量反饋不足以補充到IC 截止門檻電壓，IC截止輸出，第一個脈沖群結(jié)束。
第二個脈沖群：IC截止輸出，VCC啟動電容上有上一次結(jié)束后沒有放完電的殘余電壓，啟動電容由啟動電阻充電，直到IC 的 啟動門檻電壓， IC啟動，VCC啟動電容電壓開始下降，輔助繞組能量補充到IC 啟動電容，直到輔助繞組能量反饋不足以補充到IC 截止門檻電壓，IC截止輸出，第二個脈沖群結(jié)束。因為上一次啟動電容已經(jīng)有充電，所以這個周期時間比第一個脈沖群要短。
第三個脈沖同上，時間越來越短，直到輔助繞組能量補充到IC 啟動電容上的能量滿足電壓維持在 截止門檻電壓之上，電路進入穩(wěn)態(tài)狀態(tài)。
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@wyzlsq
測試下ICVCC波形就一目了然了。第一個脈沖群：上電，VCC啟動前電容電壓為0，輔助繞組無能量反饋。啟動電容由啟動電阻充電，直到IC的啟動門檻電壓，IC啟動，VCC啟動電容電壓開始下降，輔助繞組能量反饋不足以補充到IC截止門檻電壓，IC截止輸出，第一個脈沖群結(jié)束。第二個脈沖群：IC截止輸出，VCC啟動電容上有上一次結(jié)束后沒有放完電的殘余電壓，啟動電容由啟動電阻充電，直到IC的啟動門檻電壓，IC啟動，VCC啟動電容電壓開始下降，輔助繞組能量補充到IC啟動電容，直到輔助繞組能量反饋不足以補充到IC截止門檻電壓，IC截止輸出，第二個脈沖群結(jié)束。因為上一次啟動電容已經(jīng)有充電，所以這個周期時間比第一個脈沖群要短。第三個脈沖同上，時間越來越短，直到輔助繞組能量補充到IC啟動電容上的能量滿足電壓維持在 截止門檻電壓之上，電路進入穩(wěn)態(tài)狀態(tài)。
同意這觀點
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量一下C點與Vout波形, 對比VDS, 你會發(fā)現(xiàn)波形如上
VCC不足, 不會有那種只存在幾十mS周期的現(xiàn)象, 由於IC從Up Start 後掉回UVLO,必須重新啟動, 且Up Start與UVLO之間存在一個遲滯電壓, 所以打嗝時間會很固定
看到波形, 應(yīng)該要有一個判斷
1). 正激用半週整流, 那麼輔助電壓會很高, 再經(jīng)過穩(wěn)壓, 不會有輔助不足情形
2). 關(guān)閉PWM輸出, 只有兩種狀況, 要不是VCC不足, 就是FB或CS本身關(guān)閉PWM輸出, 而VCC屬於打嗝, 間歇時間很長; FB或CS關(guān)閉, 則時間很短
所以樓主波型是屬於FB或CS關(guān)閉PWM, 並不是VCC關(guān)閉
由上圖OP電路, 發(fā)生原因為:
當電路啟動後B點電壓先到A點電壓為零, C1被充一個Vref電壓, 當輸出電壓上升後, 透過電阻分壓使C點電壓達到與Vref同高, A點轉(zhuǎn)態(tài), 先對C1放電後電流在拉上來, 此時光耦速度慢
C點被拉到比Vref還高, 所以PWM被關(guān)閉 , 此時輸出就會有OverShoot出現(xiàn).....
當輸出電壓往下掉, C點電壓才往下掉, 從高點往Vref位準跑, 其中會因為OP Offset, 會有間歇性PWM送出, 直到C點=B點為止
這種現(xiàn)象稱為Feedback Respond Delay, 空載會較明顯, 重載則容易使MOS 失控
造成原因通常是因為OP與光耦電流造成,
解決方式可將光耦用Low Active方式, 速度可以加快些
或在回授分壓電阻用RC並聯(lián)加速
或?qū)⒀a償電容變小, 但這方法很容易改變極點, 造成抽載時不穩(wěn)定....
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@juntion
[圖片]量一下C點與Vout波形,對比VDS,你會發(fā)現(xiàn)波形如上VCC不足,不會有那種只存在幾十mS周期的現(xiàn)象,由於IC從UpStart後掉回UVLO,必須重新啟動,且UpStart與UVLO之間存在一個遲滯電壓,所以打嗝時間會很固定看到波形,應(yīng)該要有一個判斷1).正激用半週整流,那麼輔助電壓會很高,再經(jīng)過穩(wěn)壓,不會有輔助不足情形2).關(guān)閉PWM輸出,只有兩種狀況,要不是VCC不足,就是FB或CS本身關(guān)閉PWM輸出,而VCC屬於打嗝,間歇時間很長;FB或CS關(guān)閉,則時間很短 所以樓主波型是屬於FB或CS關(guān)閉PWM,並不是VCC關(guān)閉由上圖OP電路,發(fā)生原因為:當電路啟動後B點電壓先到A點電壓為零,C1被充一個Vref電壓,當輸出電壓上升後,透過電阻分壓使C點電壓達到與Vref同高,A點轉(zhuǎn)態(tài),先對C1放電後電流在拉上來,此時光耦速度慢C點被拉到比Vref還高,所以PWM被關(guān)閉 ,此時輸出就會有OverShoot出現(xiàn).....當輸出電壓往下掉,C點電壓才往下掉,從高點往Vref位準跑,其中會因為OPOffset,會有間歇性PWM送出,直到C點=B點為止這種現(xiàn)象稱為FeedbackRespondDelay,空載會較明顯,重載則容易使MOS失控造成原因通常是因為OP與光耦電流造成,解決方式可將光耦用LowActive方式,速度可以加快些或在回授分壓電阻用RC並聯(lián)加速或?qū)⒀a償電容變小,但這方法很容易改變極點,造成抽載時不穩(wěn)定....
如果是反饋回路參數(shù)問題，那么后面就不可能再恢復到正常狀態(tài)，你再看樓主的電路圖，那個輔助電源，他的輔助繞組是正激式的（注意看同名端），但是二極管整流直接的電容，沒有電感，此時輔助繞組電壓給電容充電，剛開始基本屬于短路的！
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@juntion
[圖片]量一下C點與Vout波形,對比VDS,你會發(fā)現(xiàn)波形如上VCC不足,不會有那種只存在幾十mS周期的現(xiàn)象,由於IC從UpStart後掉回UVLO,必須重新啟動,且UpStart與UVLO之間存在一個遲滯電壓,所以打嗝時間會很固定看到波形,應(yīng)該要有一個判斷1).正激用半週整流,那麼輔助電壓會很高,再經(jīng)過穩(wěn)壓,不會有輔助不足情形2).關(guān)閉PWM輸出,只有兩種狀況,要不是VCC不足,就是FB或CS本身關(guān)閉PWM輸出,而VCC屬於打嗝,間歇時間很長;FB或CS關(guān)閉,則時間很短 所以樓主波型是屬於FB或CS關(guān)閉PWM,並不是VCC關(guān)閉由上圖OP電路,發(fā)生原因為:當電路啟動後B點電壓先到A點電壓為零,C1被充一個Vref電壓,當輸出電壓上升後,透過電阻分壓使C點電壓達到與Vref同高,A點轉(zhuǎn)態(tài),先對C1放電後電流在拉上來,此時光耦速度慢C點被拉到比Vref還高,所以PWM被關(guān)閉 ,此時輸出就會有OverShoot出現(xiàn).....當輸出電壓往下掉,C點電壓才往下掉,從高點往Vref位準跑,其中會因為OPOffset,會有間歇性PWM送出,直到C點=B點為止這種現(xiàn)象稱為FeedbackRespondDelay,空載會較明顯,重載則容易使MOS失控造成原因通常是因為OP與光耦電流造成,解決方式可將光耦用LowActive方式,速度可以加快些或在回授分壓電阻用RC並聯(lián)加速或?qū)⒀a償電容變小,但這方法很容易改變極點,造成抽載時不穩(wěn)定....
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@zhangliuejie1012
[圖片] [圖片][圖片][圖片]
是環(huán)路造成的原因，在R6和R11上并聯(lián)加速電容，沒有效果，改快環(huán)路也沒有太大效果，估計應(yīng)該是比較器響應(yīng)比較慢造成的，次級外接供電也沒有太大效果，最后把環(huán)路比較器改為PC817加TL431試了一下可以，詳見附件波形！
圖1 為啟動VCC波形和驅(qū)動波形
圖2 是修改后的副邊原理圖
圖3 是修改后的副邊原理圖，補償電容C1用33nf，電阻用39K，電容單獨改為10nF，改善很大但是沒有完全改善，最后把C1改為10nF，R1改為47K
圖4 是C1改為10nF，R1改為47K的波形
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@juntion
[圖片]量一下C點與Vout波形,對比VDS,你會發(fā)現(xiàn)波形如上VCC不足,不會有那種只存在幾十mS周期的現(xiàn)象,由於IC從UpStart後掉回UVLO,必須重新啟動,且UpStart與UVLO之間存在一個遲滯電壓,所以打嗝時間會很固定看到波形,應(yīng)該要有一個判斷1).正激用半週整流,那麼輔助電壓會很高,再經(jīng)過穩(wěn)壓,不會有輔助不足情形2).關(guān)閉PWM輸出,只有兩種狀況,要不是VCC不足,就是FB或CS本身關(guān)閉PWM輸出,而VCC屬於打嗝,間歇時間很長;FB或CS關(guān)閉,則時間很短 所以樓主波型是屬於FB或CS關(guān)閉PWM,並不是VCC關(guān)閉由上圖OP電路,發(fā)生原因為:當電路啟動後B點電壓先到A點電壓為零,C1被充一個Vref電壓,當輸出電壓上升後,透過電阻分壓使C點電壓達到與Vref同高,A點轉(zhuǎn)態(tài),先對C1放電後電流在拉上來,此時光耦速度慢C點被拉到比Vref還高,所以PWM被關(guān)閉 ,此時輸出就會有OverShoot出現(xiàn).....當輸出電壓往下掉,C點電壓才往下掉,從高點往Vref位準跑,其中會因為OPOffset,會有間歇性PWM送出,直到C點=B點為止這種現(xiàn)象稱為FeedbackRespondDelay,空載會較明顯,重載則容易使MOS失控造成原因通常是因為OP與光耦電流造成,解決方式可將光耦用LowActive方式,速度可以加快些或在回授分壓電阻用RC並聯(lián)加速或?qū)⒀a償電容變小,但這方法很容易改變極點,造成抽載時不穩(wěn)定....
上圖為占空比0.4時的驅(qū)動波形，發(fā)現(xiàn)VGS平臺處只有6V左右了，也嘗試了其它幾種驅(qū)動電路感覺都不太理想，最后又改為原理圖這種，還想請問版主，VGS，6V是不是太低了，會不會有問題？
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@zhangliuejie1012
十分感謝大家的幫助，謝謝！
借此機會也給大家分享一點小知識，希望有用。
薄膜電容
1、 薄膜電容的工作溫度所指的是電容內(nèi)部薄膜的溫度，如果溫度超過薄膜限溫，薄膜則會受熱收縮，可能會導致電極脫落。
2、 假設(shè)電容額定溫度為85度，如果溫度超過85度，使用電容耐壓則每度下降1.25%，但是最高使用溫度不得超過105度，超過使用溫度時，壽命一般會以5%每年來瞬間
3、 CL21電容損耗約是CBB21的10倍左右
4、 CL11（滌綸電容）和CBB13都屬于箔式電容器，其中滌綸電容比CBB電容更耐高溫
5、 箔式電容器缺點主要是體積大，但是成本略低于金屬化電容，主要成本差距是金屬化電容的蒸鍍機較貴（一般價格大于2000萬）
壓敏電阻
1、 決定壓敏電阻常壓主要是流過壓敏電阻的電流決定的，在模擬雷擊測試時，瞬間注入高壓，但是雷擊測試儀會有一個內(nèi)阻，測試電壓除以內(nèi)阻，就是注入到壓敏的電流，而這個電流就決定了壓敏的常壓。
2、 一般4KV雷擊壓敏的常壓約壓敏電壓2.3倍左右，實際壓敏上測試出的常壓約等于電源輸入電壓+2.3倍壓敏電壓，做循環(huán)雷擊測試時建議用高通流量壓敏
陶瓷放電管
1、放電管的常壓，600V的放電管約有900V以上的常壓，30V左右的是放電管擊穿后的弧光電壓
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@juntion
[圖片]量一下C點與Vout波形,對比VDS,你會發(fā)現(xiàn)波形如上VCC不足,不會有那種只存在幾十mS周期的現(xiàn)象,由於IC從UpStart後掉回UVLO,必須重新啟動,且UpStart與UVLO之間存在一個遲滯電壓,所以打嗝時間會很固定看到波形,應(yīng)該要有一個判斷1).正激用半週整流,那麼輔助電壓會很高,再經(jīng)過穩(wěn)壓,不會有輔助不足情形2).關(guān)閉PWM輸出,只有兩種狀況,要不是VCC不足,就是FB或CS本身關(guān)閉PWM輸出,而VCC屬於打嗝,間歇時間很長;FB或CS關(guān)閉,則時間很短 所以樓主波型是屬於FB或CS關(guān)閉PWM,並不是VCC關(guān)閉由上圖OP電路,發(fā)生原因為:當電路啟動後B點電壓先到A點電壓為零,C1被充一個Vref電壓,當輸出電壓上升後,透過電阻分壓使C點電壓達到與Vref同高,A點轉(zhuǎn)態(tài),先對C1放電後電流在拉上來,此時光耦速度慢C點被拉到比Vref還高,所以PWM被關(guān)閉 ,此時輸出就會有OverShoot出現(xiàn).....當輸出電壓往下掉,C點電壓才往下掉,從高點往Vref位準跑,其中會因為OPOffset,會有間歇性PWM送出,直到C點=B點為止這種現(xiàn)象稱為FeedbackRespondDelay,空載會較明顯,重載則容易使MOS失控造成原因通常是因為OP與光耦電流造成,解決方式可將光耦用LowActive方式,速度可以加快些或在回授分壓電阻用RC並聯(lián)加速或?qū)⒀a償電容變小,但這方法很容易改變極點,造成抽載時不穩(wěn)定....
運放+光耦一樣應(yīng)該沒有問題！你圖上輔助繞組的相位標的也有問題！
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@juntion
其實你也可以用如下改法:將Vref從Vo得來，也就是從Vo串電阻接431再接入Op,把Vref與FB定為同來源按波形推斷，當接入RC于FB端，輸出OverShoot會被削平而出現(xiàn)上升拋物線，此時FB點不會過充電，所以不應(yīng)該還出現(xiàn)斷續(xù)周期，再試著將R變小，C變大讓Vo上升更陡一點，應(yīng)該會連續(xù)....
輔助繞組供電是不是不能加延時電路雙管正激
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