正激電源每次啟動驅(qū)動波形好連續(xù)
測試下IC VCC波形就一目了然了。
第一個脈沖群: 上電,VCC啟動前電容電壓為0,輔助繞組無能量反饋。啟動電容由啟動電阻充電,直到IC 的 啟動門檻電壓, IC啟動,VCC啟動電容電壓開始下降,輔助繞組能量反饋不足以補充到IC 截止門檻電壓,IC截止輸出,第一個脈沖群結(jié)束。
第二個脈沖群:IC截止輸出,VCC啟動電容上有上一次結(jié)束后沒有放完電的殘余電壓,啟動電容由啟動電阻充電,直到IC 的 啟動門檻電壓, IC啟動,VCC啟動電容電壓開始下降,輔助繞組能量補充到IC 啟動電容,直到輔助繞組能量反饋不足以補充到IC 截止門檻電壓,IC截止輸出,第二個脈沖群結(jié)束。因為上一次啟動電容已經(jīng)有充電,所以這個周期時間比第一個脈沖群要短。
第三個脈沖同上,時間越來越短,直到輔助繞組能量補充到IC 啟動電容上的能量滿足電壓維持在 截止門檻電壓之上,電路進入穩(wěn)態(tài)狀態(tài)。
量一下C點與Vout波形, 對比VDS, 你會發(fā)現(xiàn)波形如上
VCC不足, 不會有那種只存在幾十mS周期的現(xiàn)象, 由於IC從Up Start 後掉回UVLO,必須重新啟動, 且Up Start與UVLO之間存在一個遲滯電壓, 所以打嗝時間會很固定
看到波形, 應(yīng)該要有一個判斷
1). 正激用半週整流, 那麼輔助電壓會很高, 再經(jīng)過穩(wěn)壓, 不會有輔助不足情形
2). 關(guān)閉PWM輸出, 只有兩種狀況, 要不是VCC不足, 就是FB或CS本身關(guān)閉PWM輸出, 而VCC屬於打嗝, 間歇時間很長; FB或CS關(guān)閉, 則時間很短
所以樓主波型是屬於FB或CS關(guān)閉PWM, 並不是VCC關(guān)閉
由上圖OP電路, 發(fā)生原因為:
當電路啟動後B點電壓先到A點電壓為零, C1被充一個Vref電壓, 當輸出電壓上升後, 透過電阻分壓使C點電壓達到與Vref同高, A點轉(zhuǎn)態(tài), 先對C1放電後電流在拉上來, 此時光耦速度慢
C點被拉到比Vref還高, 所以PWM被關(guān)閉 , 此時輸出就會有OverShoot出現(xiàn).....
當輸出電壓往下掉, C點電壓才往下掉, 從高點往Vref位準跑, 其中會因為OP Offset, 會有間歇性PWM送出, 直到C點=B點為止
這種現(xiàn)象稱為Feedback Respond Delay, 空載會較明顯, 重載則容易使MOS 失控
造成原因通常是因為OP與光耦電流造成,
解決方式可將光耦用Low Active方式, 速度可以加快些
或在回授分壓電阻用RC並聯(lián)加速
或?qū)⒀a償電容變小, 但這方法很容易改變極點, 造成抽載時不穩(wěn)定....
是環(huán)路造成的原因,在R6和R11上并聯(lián)加速電容,沒有效果,改快環(huán)路也沒有太大效果,估計應(yīng)該是比較器響應(yīng)比較慢造成的,次級外接供電也沒有太大效果,最后把環(huán)路比較器改為PC817加TL431試了一下可以,詳見附件波形!
圖1 為啟動VCC波形和驅(qū)動波形
圖2 是修改后的副邊原理圖
圖3 是修改后的副邊原理圖,補償電容C1用33nf,電阻用39K,電容單獨改為10nF,改善很大但是沒有完全改善,最后把C1改為10nF,R1改為47K
圖4 是C1改為10nF,R1改為47K的波形
上圖為占空比0.4時的驅(qū)動波形,發(fā)現(xiàn)VGS平臺處只有6V左右了,也嘗試了其它幾種驅(qū)動電路感覺都不太理想,最后又改為原理圖這種,還想請問版主,VGS,6V是不是太低了,會不會有問題?
借此機會也給大家分享一點小知識,希望有用。
薄膜電容
1、 薄膜電容的工作溫度所指的是電容內(nèi)部薄膜的溫度,如果溫度超過薄膜限溫,薄膜則會受熱收縮,可能會導致電極脫落。
2、 假設(shè)電容額定溫度為85度,如果溫度超過85度,使用電容耐壓則每度下降1.25%,但是最高使用溫度不得超過105度,超過使用溫度時,壽命一般會以5%每年來瞬間
3、 CL21電容損耗約是CBB21的10倍左右
4、 CL11(滌綸電容)和CBB13都屬于箔式電容器,其中滌綸電容比CBB電容更耐高溫
5、 箔式電容器缺點主要是體積大,但是成本略低于金屬化電容,主要成本差距是金屬化電容的蒸鍍機較貴(一般價格大于2000萬)
壓敏電阻
1、 決定壓敏電阻常壓主要是流過壓敏電阻的電流決定的,在模擬雷擊測試時,瞬間注入高壓,但是雷擊測試儀會有一個內(nèi)阻,測試電壓除以內(nèi)阻,就是注入到壓敏的電流,而這個電流就決定了壓敏的常壓。
2、 一般4KV雷擊壓敏的常壓約壓敏電壓2.3倍左右,實際壓敏上測試出的常壓約等于電源輸入電壓+2.3倍壓敏電壓,做循環(huán)雷擊測試時建議用高通流量壓敏
陶瓷放電管
1、放電管的常壓,600V的放電管約有900V以上的常壓,30V左右的是放電管擊穿后的弧光電壓