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低壓MOS做繼電器使用，幫忙分析電路有無缺陷

電路中Q1當(dāng)作繼電器使用，量產(chǎn)有1%MOS擊穿。開關(guān)時的浪涌電流8A。各位大俠幫忙分析下電路有沒有缺陷。感謝！

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2019-06-05 09:45

你這不是把Q1當(dāng)繼電器使用，當(dāng)繼電器用，Q1的S極不要電流檢測電阻。

你這是把Q1工作在放大狀態(tài)

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sharkcao
LV.3
3
2019-06-05 18:17
@水鄉(xiāng)電源
你這不是把Q1當(dāng)繼電器使用，當(dāng)繼電器用，Q1的S極不要電流檢測電阻。你這是把Q1工作在放大狀態(tài)
MOS的放大區(qū)，是不是應(yīng)該在驅(qū)動電壓比較小的狀態(tài)？這個電路的驅(qū)動電壓是12v。
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2019-06-06 08:19

如果LED燈拉的比較遠(yuǎn)的話，導(dǎo)線會有一定的電感，在關(guān)斷時會產(chǎn)生較大的尖峰電壓擊穿MOS。

如果這個導(dǎo)線電感存儲的能量超過MOS可以承受的雪崩能量，MOS就可能掛掉。

你用示波器捕捉一下LED關(guān)斷時MOS的DS上的電壓看看，可以嘗試在MOS的DS并大功率TVS管把尖峰電壓鉗住。

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2019-06-06 08:55
6串X3V=18V，那么加在MOS管上的電壓=22-18=4V。當(dāng)恒流時MOS管上的功率損耗=4X2=8W。散熱要處理好，不然可以煎雞蛋了。
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hmy123456
LV.6
6
2019-06-06 13:01
@最愛電源
6串X3V=18V，那么加在MOS管上的電壓=22-18=4V。當(dāng)恒流時MOS管上的功率損耗=4X2=8W。散熱要處理好，不然可以煎雞蛋了。
是開關(guān)，正常電流遠(yuǎn)超2A
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