板子設(shè)計(jì)帶有屏蔽殼吧

沒有屏蔽殼，為什么需要屏蔽殼呢？

對(duì)評(píng)估版的細(xì)節(jié)做個(gè)簡(jiǎn)單介紹

1、主電路上封裝兼容TO247-3L和TO247-4L兩種封裝，可以方便的對(duì)比兩種封裝的器件特性差異

2、驅(qū)動(dòng)芯片采用Rohm SIC MOSFET 專用驅(qū)動(dòng)IC，型號(hào)BM6101

詳細(xì)器件資料

/upload/community/2019/08/11/1565527258-31824.pdf

驅(qū)動(dòng)芯片框圖及不同封裝的應(yīng)用參考

3、雙脈沖控制部分，3個(gè)按鍵模擬信號(hào)機(jī)故障復(fù)位

評(píng)估板帶的幾款SIC MOSFET規(guī)格如下

SCT3030AL  650V 30mohm  70A

SCT3060AL  650V 60mohm  39A

SCT3040KL  1200V 40mohm  55A

SCT3080KL  1200V 80mohm  31A

規(guī)格書下載地址：

https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices/sic-mosfet

先來看一組SCT2080的測(cè)試數(shù)據(jù)

VGSTH	IDSS	BVDSS	IGSSF	IGSSR	RDSON
3.036V	195.7nA	2300V	9.1nA	7.0nA	75.5 mohm
3.077V	203.1nA	2309V	10.5nA	2.6nA	75.2 mohm

額定電壓1200V的SIC MOSFET,阻斷電壓居然到了2300V，可見余量很大

最新的SCT3080KE測(cè)試結(jié)果如下，Vgsth稍有提高，阻斷電壓依然高于額定600多V，良心產(chǎn)品啊

IDSS	BVDSS	BVDSS	VGSTH	RDSON
0.69uA	1839V	1885V	3.354V	81.1mohm
0.71uA	1839V	1885V	3.361V	81.1mohm

SCT3040 KE測(cè)試數(shù)據(jù)

IDSS	BVDSS	BVDSS	VGSTH	RDSON
0.78uA	1714V	1764V	3.527V	40.4mohm
0.81uA	1714V	1764V	3.668V	40.5mohm

從測(cè)試結(jié)果看，Rohm SIC MOSFET器件的一致性都較好，電壓裕量大

板子的電磁輻射大么

感謝樓主分析測(cè)試數(shù)據(jù)結(jié)果，這個(gè)數(shù)據(jù)看著性能是不錯(cuò)的。

按照Rohm推薦，對(duì)板子供電12V，測(cè)試輸入電流約0.013mA,指示燈全部亮起

驅(qū)動(dòng)供電電源測(cè)試波形如下：

從波形可以看出是反激拓?fù)洌_關(guān)頻率330kHz，電壓尖峰只有20.7V

在沒有輸入信號(hào)的情況下，Vgs驅(qū)動(dòng)電壓如下：下橋-10V，上橋-15V，和理論分析偏差較大

鑒于此情況需要分析清楚原因才能繼續(xù)加高壓測(cè)試，否則容易損壞器件

找了一個(gè)TO247-4L的器件可以完美兼容安裝，驅(qū)動(dòng)問題解決了就可以上高壓測(cè)試了

今天找到問題所在了，這個(gè)評(píng)估版默認(rèn)是按TO247-4L設(shè)計(jì)的，使用4L的器件測(cè)試驅(qū)動(dòng)是OK的，可以準(zhǔn)備上高壓進(jìn)行測(cè)試了

設(shè)置驅(qū)動(dòng)電壓+18V/-2V,實(shí)測(cè)關(guān)斷電壓-1.918V

之前測(cè)試有問題主要是沒有焊接漏空的電阻

至此問題原因已分析清楚。

先做一個(gè)階段性總結(jié)

1.該評(píng)估板設(shè)計(jì)上很好的兼容了247-3和247-4的封裝器件，使得參數(shù)評(píng)估對(duì)比簡(jiǎn)化很多

2.控制拓?fù)渖峡梢詫?shí)現(xiàn)半橋、BUCK降壓、BOOST升壓等拓?fù)?

3.驅(qū)動(dòng)信號(hào)也做了很多實(shí)用的設(shè)計(jì)，比如死區(qū)時(shí)間、互鎖、單獨(dú)驅(qū)動(dòng)、同步驅(qū)動(dòng)等

4.保護(hù)功能全面，過流保護(hù)點(diǎn)可調(diào)的過流保護(hù)電路、故障鎖存、故障復(fù)位、故障指示等

5.可調(diào)的驅(qū)動(dòng)電壓，可以適用Rohm不同Gen的SiC MOSFET

總體來說該評(píng)估板設(shè)計(jì)上是很完善的，所有器件采用Rohm的電子元器件，具有較好的生態(tài)解決方案

等Rohm 247-4L器件樣品拿到后再做進(jìn)一步測(cè)試

不涉及電磁輻射問題，只是器件的評(píng)估