如何實測開關(guān)管的耗散功率

耗散功率Pd的定義通常是: (Tj(max)-Ta)/Rja, 它表征著芯片內(nèi)部的散熱能力.而I^2*Rds(on)是發(fā)熱,顯然Pd>=I^2*Rdson,否則IC燒毀.在一個實際開關(guān)電源中,要考察mos管的耗散功率降額,這個實際的耗散功率又如何測量呢?

Pc=I^2×Rds(ON)×D這個公式也是損耗,和上面的公式相比多了一個占空比,這兩個怎么理解呢.

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ycyy

LV.2

2008-07-22 22:56

此類問題可如下分析:
MOS管或者IGBT或者其他的,我們統(tǒng)稱全控開關(guān)器件,其功耗分4部分,1,導(dǎo)通損耗;2,截止損耗;3,開關(guān)損耗;4,驅(qū)動損耗.對于截止損耗和驅(qū)動損耗來說,可忽略不記.
1/分析其導(dǎo)通損耗,基本上由導(dǎo)通時前向電壓和有效電流決定,so,我們可通過導(dǎo)通時候的電壓電流來知道,電流可通過我們實際電路大致計算可得,電壓可查其對應(yīng)電流的DATASHEET.
2/分析其開關(guān)損耗,其中又分開通損耗和關(guān)斷損耗,可通過電流大小(計算得知)、驅(qū)動電阻(實際電路)、驅(qū)動電壓(實際電路)、CE/DS電壓(實際電路)這些變量,查尋DATASHEET計算,so,我們一般在開發(fā)初期要先確定大致的損耗范圍.

如果是實測,那更方便,直接通過電壓電流的所形成的面積得知,一般來說這種比較通用.另外你剛才說的結(jié)溫和殼溫,不容易直接通過實際測量來得到其損耗,因為這會涉及到你的散熱條件,EG,散熱片,風(fēng)道設(shè)計,風(fēng)壓風(fēng)流量等等

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dianqi123

LV.5

2008-07-22 22:58

I^2*Rds(on)是不是開通時開關(guān)管的損耗?如果開關(guān)管流過的電流是10A,Rds(on)又是個很小的量值,如0.1ohm或者更小,那這個計算值也只有10W不到.從datasheet看開關(guān)管的耗散功率達(dá)到300W,兩個數(shù)值怎么會差別如此之大.

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dianqi123

LV.5

2008-07-22 23:00

@ycyy

此類問題可如下分析:MOS管或者IGBT或者其他的,我們統(tǒng)稱全控開關(guān)器件,其功耗分4部分,1,導(dǎo)通損耗;2,截止損耗;3,開關(guān)損耗;4,驅(qū)動損耗.對于截止損耗和驅(qū)動損耗來說,可忽略不記.1/分析其導(dǎo)通損耗,基本上由導(dǎo)通時前向電壓和有效電流決定,so,我們可通過導(dǎo)通時候的電壓電流來知道,電流可通過我們實際電路大致計算可得,電壓可查其對應(yīng)電流的DATASHEET.2/分析其開關(guān)損耗,其中又分開通損耗和關(guān)斷損耗,可通過電流大小(計算得知)、驅(qū)動電阻(實際電路)、驅(qū)動電壓(實際電路)、CE/DS電壓(實際電路)這些變量,查尋DATASHEET計算,so,我們一般在開發(fā)初期要先確定大致的損耗范圍.如果是實測,那更方便,直接通過電壓電流的所形成的面積得知,一般來說這種比較通用.另外你剛才說的結(jié)溫和殼溫,不容易直接通過實際測量來得到其損耗,因為這會涉及到你的散熱條件,EG,散熱片,風(fēng)道設(shè)計,風(fēng)壓風(fēng)流量等等

耗散功率和損耗是一個概念嗎

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