占座看直播

等看你的圖，單管正激還是雙管正激？

單管正激。DC輸入的電壓低沒(méi)必要用雙管正激吧。

    芯片選用ISL6843。這個(gè)芯片和384X幾乎一樣，就是開(kāi)關(guān)頻率高些。38系列的開(kāi)關(guān)頻率只能達(dá)到500KHz，68系列的開(kāi)關(guān)頻率能達(dá)到2MH。

                                        38系列框圖                                                                                          68系列框圖

    還是有些區(qū)別的，輸出圖騰，38系列用的三極管，68系列用的MOS管。PDF上的驅(qū)動(dòng)能力是一樣的，都是1A。

    樓主，圖畫的怎么樣了。等著看圖了。

    框圖看不出來(lái)啥，姑且當(dāng)它們一樣吧。

    圖騰MOS管的驅(qū)動(dòng)能力應(yīng)該更強(qiáng)。

    這是原理圖，以后會(huì)有改動(dòng)，這是初始原理圖。

pwm頻率多高？

        頻率設(shè)計(jì)是300KHz，以前搞得都是120KHz一下的，這次的頻率比較高了。

  分部解析原理圖。

 啟動(dòng)電路     利用MOS管啟動(dòng)，比電阻啟動(dòng)損耗?。☉?yīng)該是）。

    欠壓保護(hù)電路   當(dāng)輸入電壓低于設(shè)定值時(shí)，比較器 LM393 的1腳輸出低電平。三極管Q6導(dǎo)通，拉低主芯片ISL6843的1腳，芯片停止輸出。

MOS管驅(qū)動(dòng)電路    主芯片6腳位QD，驅(qū)動(dòng)信號(hào)通過(guò)兩組NPN，PNP三極管來(lái)驅(qū)動(dòng)MOS管。

   芯片供電電路

    芯片通過(guò)啟動(dòng)電路啟動(dòng)后，芯片的供電由正激電感上的繞組提供。這樣可以提高效率。

    過(guò)壓保護(hù)電路。  當(dāng)輸出過(guò)壓時(shí)，光耦工作，通過(guò)三極管拉低主芯片ISL3843的1腳，使芯片停止輸出。

        反饋電路   TL431提供基準(zhǔn)電壓，使用運(yùn)放進(jìn)行調(diào)整。

你這個(gè)正激的輸出續(xù)流二極的尖峰會(huì)高的不要不要的！

    我計(jì)算續(xù)流二極管反向電壓大概70V，尖峰算100V，總電壓就是170V左右吧，這算是高但是沒(méi)有不要不要的吧。

    續(xù)流二極管用的MBR20200,200V的管子應(yīng)該足夠了吧。

    PCB搞起，封裝畫完了，

    300KHz這么高的頻率，是不是走線需要特別注意呢？

    為啥電感畫在地線上呢，為什么不接在整流管的陰極。有什么奧妙？

    這個(gè)啟動(dòng)電路倒是挺新穎的，我都用的電阻啟動(dòng)，比你這個(gè)成本低。

        是貼片變壓器么，看你變壓器電感封裝的焊盤是頂層的焊盤。

    雙管的話可以用耐壓更低的管子，這樣內(nèi)阻會(huì)更小?？赡苄蕰?huì)高的。

難道沒(méi)有別的辦法？小吸收，而且基本無(wú)尖峰，可以做到吧！哈哈哈

    也沒(méi)有什么需要特別注意的，好好畫，我低頻率的開(kāi)關(guān)電源也很注意走線的。

    是平面變壓器，沒(méi)有骨架的那種。我用的FEE22。

    平面變壓器用的高頻材料，高頻的時(shí)候損耗小。

    你說(shuō)的也對(duì)，這樣可能效率高點(diǎn)。

    但是高端MOS管的驅(qū)動(dòng)是浮地的，控制起來(lái)比較復(fù)雜。

    有什么辦法？小吸收可以，但是尖峰就大了。  基本無(wú)尖峰，這怎么做到，加大吸收？這樣效率就低了。

    這個(gè)我真的做不到啊。

    布局基本完成了。散熱有點(diǎn)不好搞啊。