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正反激組合電路設(shè)計(jì)探討

正激變壓器工作時(shí)只起變比的作用還需專門的去磁電路,反激變壓器本身就是利用“去磁”工作的,所以正激、反激電路組合起來將會(huì)產(chǎn)生一種功率密度更大、成本更低的電路來。實(shí)際情況正反激組合電路應(yīng)用的并不是很廣,列舉其中兩種進(jìn)行分析:

正反激組合電路圖

                                            1兩種正反激組合電路

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hylylx
LV.9
2
2019-10-14 10:59
插樓
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2019-10-14 13:34

第一種電路如圖1(a),根據(jù)正激、反激的臨界增益特性曲線繪圖如下:

                                        正激、反激增益曲線對(duì)比

如圖2所示,在相同占空比下反激的臨界曲線位于正激之上,說明正激電路始終工作于DCM模式無論參數(shù)如何設(shè)置。一般正激電路希望工作在CCM模式所以選用圖1(b)這種電路通過改變?cè)驯葋韺?shí)現(xiàn)正激電路的CCM模式:

                                       3 不同匝比增益曲線對(duì)比

如圖3如果將正激的次級(jí)匝數(shù)設(shè)為反激的2倍則在占空0.5以下可實(shí)現(xiàn)反激DCM正激CCM

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2019-10-14 15:02
@boy59
第一種電路如圖1(a),根據(jù)正激、反激的臨界增益特性曲線繪圖如下:[圖片]                      圖2 正激、反激增益曲線對(duì)比如圖2所示,在相同占空比下反激的臨界曲線位于正激之上,說明正激電路始終工作于DCM模式無論參數(shù)如何設(shè)置。一般正激電路希望工作在CCM模式所以選用圖1(b)這種電路通過改變?cè)驯葋韺?shí)現(xiàn)正激電路的CCM模式:[圖片]                      圖3不同匝比增益曲線對(duì)比如圖3如果將正激的次級(jí)匝數(shù)設(shè)為反激的2倍則在占空0.5以下可實(shí)現(xiàn)反激DCM正激CCM。

正激、反激兩種電路組合到一起后二者的特性也會(huì)被保留了下來,CCM的正激決定了輸出電壓,輸出電壓及反激匝比決定了反射電壓,相對(duì)于普通反激這種組合式電路的反射電壓更高(圖3例子中為2倍關(guān)系),想要降反射電壓只能降低占空比見下圖:

                               4 占空比與匝比及反射電壓的關(guān)系

4中最大占空比設(shè)置為0.5時(shí)反射電壓=輸入電壓=300V,預(yù)設(shè)反射電壓為100V則最大占空比不能超過0.25(其中kfb表示正激的次級(jí)匝數(shù)與反激的次級(jí)匝數(shù)之比)。

反射電壓的設(shè)置可以參考下圖:

                 5 鉗位電壓、反射電壓之比與漏感損耗的關(guān)系

一般參考資料會(huì)建議鉗位電壓與反射電壓之比>1.3倍,如果取1.3MOS管的Vds=Vin+(1+1.3)*Vor=300+230=530(適用600VMOS管),但在正反激應(yīng)用中取Vor=100V時(shí)最大占空比不能超過0.25,估計(jì)這個(gè)原因限制了這種正反激電路的應(yīng)用。

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love-
LV.4
5
2019-10-14 20:34
@boy59
正激、反激兩種電路組合到一起后二者的特性也會(huì)被保留了下來,CCM的正激決定了輸出電壓,輸出電壓及反激匝比決定了反射電壓,相對(duì)于普通反激這種組合式電路的反射電壓更高(圖3例子中為2倍關(guān)系),想要降反射電壓只能降低占空比見下圖:[圖片]                              圖4占空比與匝比及反射電壓的關(guān)系圖4中最大占空比設(shè)置為0.5時(shí)反射電壓=輸入電壓=300V,預(yù)設(shè)反射電壓為100V則最大占空比不能超過0.25(其中kfb表示正激的次級(jí)匝數(shù)與反激的次級(jí)匝數(shù)之比)。反射電壓的設(shè)置可以參考下圖:[圖片]           圖5鉗位電壓、反射電壓之比與漏感損耗的關(guān)系一般參考資料會(huì)建議鉗位電壓與反射電壓之比>1.3倍,如果取1.3則MOS管的Vds=Vin+(1+1.3)*Vor=300+230=530(適用600V的MOS管),但在正反激應(yīng)用中取Vor=100V時(shí)最大占空比不能超過0.25,估計(jì)這個(gè)原因限制了這種正反激電路的應(yīng)用。
初級(jí)總是有漏感的,為了場(chǎng)管安全吸收回路終歸是免不了,次級(jí)又多了繞組和電感,所以成本又低在哪?而效率又不見占優(yōu),這個(gè)拓樸能有什么前途
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2019-10-14 21:40
@love-
初級(jí)總是有漏感的,為了場(chǎng)管安全吸收回路終歸是免不了,次級(jí)又多了繞組和電感,所以成本又低在哪?而效率又不見占優(yōu),這個(gè)拓樸能有什么前途[圖片]
這種拓?fù)湎喈?dāng)于一個(gè)正激+一個(gè)反激同時(shí)工作,次級(jí)多繞組和電感并不會(huì)增加成本(正激+反激的成本),反而利用反激的去磁省掉了正激初級(jí)側(cè)的復(fù)位線圈從而降低了成本(正激的勵(lì)磁電感也就是反激電感不需要設(shè)置的很大)。漏感的吸收是另一回事,硬開關(guān)拓?fù)涠夹枰游栈芈贰?/div>
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2019-10-14 21:42
@boy59
正激、反激兩種電路組合到一起后二者的特性也會(huì)被保留了下來,CCM的正激決定了輸出電壓,輸出電壓及反激匝比決定了反射電壓,相對(duì)于普通反激這種組合式電路的反射電壓更高(圖3例子中為2倍關(guān)系),想要降反射電壓只能降低占空比見下圖:[圖片]                              圖4占空比與匝比及反射電壓的關(guān)系圖4中最大占空比設(shè)置為0.5時(shí)反射電壓=輸入電壓=300V,預(yù)設(shè)反射電壓為100V則最大占空比不能超過0.25(其中kfb表示正激的次級(jí)匝數(shù)與反激的次級(jí)匝數(shù)之比)。反射電壓的設(shè)置可以參考下圖:[圖片]           圖5鉗位電壓、反射電壓之比與漏感損耗的關(guān)系一般參考資料會(huì)建議鉗位電壓與反射電壓之比>1.3倍,如果取1.3則MOS管的Vds=Vin+(1+1.3)*Vor=300+230=530(適用600V的MOS管),但在正反激應(yīng)用中取Vor=100V時(shí)最大占空比不能超過0.25,估計(jì)這個(gè)原因限制了這種正反激電路的應(yīng)用。

問題放到后面再解決,先分析電感量的設(shè)計(jì)。勵(lì)磁電感和續(xù)流電感的大小將會(huì)影響正激和反激在電路所占的功率份額。

反激電路因工作于DCM模式所以只要知道占空比和開關(guān)周期就能列出感量與能量的關(guān)系,再由總功率減去反激功率得出正激電路所需處理的功率,最后由電流紋波率算出續(xù)流電感的大小,具體計(jì)算過程如下:

 

分別取反激功率比重20%,40%50%繪制出電流波形如下:

 

                                        6 不同比例的正、反激電流波形

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anco
LV.4
8
2019-10-15 09:22
@boy59
問題放到后面再解決,先分析電感量的設(shè)計(jì)。勵(lì)磁電感和續(xù)流電感的大小將會(huì)影響正激和反激在電路所占的功率份額。反激電路因工作于DCM模式所以只要知道占空比和開關(guān)周期就能列出感量與能量的關(guān)系,再由總功率減去反激功率得出正激電路所需處理的功率,最后由電流紋波率算出續(xù)流電感的大小,具體計(jì)算過程如下:[圖片] 分別取反激功率比重20%,40%,50%繪制出電流波形如下:[圖片]                                         圖6不同比例的正、反激電流波形
坐等更新,好好學(xué)習(xí)才能天天向上。
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2019-10-15 11:20
@boy59
問題放到后面再解決,先分析電感量的設(shè)計(jì)。勵(lì)磁電感和續(xù)流電感的大小將會(huì)影響正激和反激在電路所占的功率份額。反激電路因工作于DCM模式所以只要知道占空比和開關(guān)周期就能列出感量與能量的關(guān)系,再由總功率減去反激功率得出正激電路所需處理的功率,最后由電流紋波率算出續(xù)流電感的大小,具體計(jì)算過程如下:[圖片] 分別取反激功率比重20%,40%,50%繪制出電流波形如下:[圖片]                                         圖6不同比例的正、反激電流波形

可以結(jié)合圖1(a)(b)兩個(gè)電路使正、反激共用輸出繞組以提高線圈的利用率(正激、反激分時(shí)復(fù)用)。

                        7正、反激共用輸出繞組電路

7電路多用了一個(gè)續(xù)流二極管,如果占空比大于50%可以省掉這個(gè)二極管,是否還有其它結(jié)構(gòu)能少用二極管的?

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2019-10-18 09:38

之前討論的正反激組合電路是輸出并聯(lián)組合,還有一種是輸出串聯(lián)組合的,仿真發(fā)現(xiàn)這種串聯(lián)組合不僅可以正激、反激同時(shí)工作于CCM模式并且正激電路可以省去續(xù)流二極管,電路如下:

                               2-1 輸出串聯(lián)正、反激組合電路

為方便分析初級(jí)采用雙管驅(qū)動(dòng)(鉗位電壓等于輸入電壓)。

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2019-10-18 09:54
@boy59
之前討論的正反激組合電路是輸出并聯(lián)組合,還有一種是輸出串聯(lián)組合的,仿真發(fā)現(xiàn)這種串聯(lián)組合不僅可以正激、反激同時(shí)工作于CCM模式并且正激電路可以省去續(xù)流二極管,電路如下:[圖片]                圖2-1輸出串聯(lián)正、反激組合電路為方便分析初級(jí)采用雙管驅(qū)動(dòng)(鉗位電壓等于輸入電壓)。

不同參數(shù)下的電流波形如下,其中右圖是加有續(xù)流二極管的:

                                2-2 串流模式不同參數(shù)下的電流波形

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2019-10-18 13:21
@boy59
不同參數(shù)下的電流波形如下,其中右圖是加有續(xù)流二極管的:[圖片]                               圖2-2串流模式不同參數(shù)下的電流波形

這種輸出正反激串聯(lián)組合電路的等效電路如下:

                                   2-3 輸出正反激串聯(lián)組合等效電路

為簡(jiǎn)化分析變壓器的匝比設(shè)置為1:1,其中黃色的二極管在不同設(shè)計(jì)參數(shù)下有選擇的使用。

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2019-10-21 14:49
@boy59
這種輸出正反激串聯(lián)組合電路的等效電路如下:[圖片]                                  圖2-3輸出正反激串聯(lián)組合等效電路為簡(jiǎn)化分析變壓器的匝比設(shè)置為1:1,其中黃色的二極管在不同設(shè)計(jì)參數(shù)下有選擇的使用。

從圖2-2可見輸出串聯(lián)的正反激組合電路在CCM模式下也分為兩種情況,

第一種情況,

                                       2-4-1 情況1勵(lì)磁電流大于續(xù)流電流

對(duì)應(yīng)的電流波形如下:

                          2-4-2 情況1電流波形

上圖中三個(gè)區(qū)域分別對(duì)應(yīng)圖2-4-1中的三個(gè)電路。

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2019-10-21 15:16
@boy59
從圖2-2可見輸出串聯(lián)的正反激組合電路在CCM模式下也分為兩種情況,第一種情況,[圖片]                     圖2-4-1情況1勵(lì)磁電流大于續(xù)流電流對(duì)應(yīng)的電流波形如下:[圖片]                         圖2-4-2情況1電流波形上圖中三個(gè)區(qū)域分別對(duì)應(yīng)圖2-4-1中的三個(gè)電路。

第二種情況,

                             2-4-3 情況2勵(lì)磁電流小于續(xù)流電流

對(duì)應(yīng)的電流波形如下:

                          2-4-4情況2電流波形

同樣三個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)圖2-4-3的三個(gè)電路。

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2019-10-21 16:19
@boy59
第二種情況,[圖片]                            圖2-4-3情況2勵(lì)磁電流小于續(xù)流電流對(duì)應(yīng)的電流波形如下:[圖片]                         圖2-4-4情況2電流波形同樣三個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)圖2-4-3的三個(gè)電路。

功率、輸出電壓和電路參數(shù)不變,占空比分別為0.15、0.25、0.35時(shí)的電流波形如下(Lm=400uH,Lo=200uH):

                            2-4-5 恒功等壓輸出不同占空比電流波形

如圖所示兩種工作狀態(tài)之間有個(gè)過渡狀態(tài)(或稱臨界狀態(tài)),臨界占空比與兩個(gè)電感的比值有關(guān):

                       2-4-6 臨界占空比與電感的關(guān)系

進(jìn)一步得出了包含三種工作狀態(tài)的直流增益特性曲線:

                   2-4-7 輸出串聯(lián)正反激直流增益特性曲線

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2019-10-23 20:54
@boy59
功率、輸出電壓和電路參數(shù)不變,占空比分別為0.15、0.25、0.35時(shí)的電流波形如下(Lm=400uH,Lo=200uH):[圖片]                           圖2-4-5恒功等壓輸出不同占空比電流波形如圖所示兩種工作狀態(tài)之間有個(gè)過渡狀態(tài)(或稱臨界狀態(tài)),臨界占空比與兩個(gè)電感的比值有關(guān):[圖片]                      圖2-4-6臨界占空比與電感的關(guān)系進(jìn)一步得出了包含三種工作狀態(tài)的直流增益特性曲線:[圖片]                  圖2-4-7輸出串聯(lián)正反激直流增益特性曲線

方程經(jīng)整理簡(jiǎn)化后得到臨界占空比方程:

 

直流增益包含兩部分,在臨界占空比處切換,方程如下:

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2020-09-03 22:01
@boy59
方程經(jīng)整理簡(jiǎn)化后得到臨界占空比方程:[圖片] 直流增益包含兩部分,在臨界占空比處切換,方程如下:[圖片]
,mathcad源文件可否分享,謝謝
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2020-09-04 06:52
支持高手一下!
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2020-09-05 16:06
@boy59
從圖2-2可見輸出串聯(lián)的正反激組合電路在CCM模式下也分為兩種情況,第一種情況,[圖片]                     圖2-4-1情況1勵(lì)磁電流大于續(xù)流電流對(duì)應(yīng)的電流波形如下:[圖片]                         圖2-4-2情況1電流波形上圖中三個(gè)區(qū)域分別對(duì)應(yīng)圖2-4-1中的三個(gè)電路。
這種方案在MOS管關(guān)斷時(shí),正激繞組續(xù)流電流會(huì)耦合到原邊,使得關(guān)斷時(shí)MOS管的應(yīng)力尖峰很高。
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2020-09-05 20:26
@boy59
之前討論的正反激組合電路是輸出并聯(lián)組合,還有一種是輸出串聯(lián)組合的,仿真發(fā)現(xiàn)這種串聯(lián)組合不僅可以正激、反激同時(shí)工作于CCM模式并且正激電路可以省去續(xù)流二極管,電路如下:[圖片]                圖2-1輸出串聯(lián)正、反激組合電路為方便分析初級(jí)采用雙管驅(qū)動(dòng)(鉗位電壓等于輸入電壓)。
不會(huì)的
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2020-09-06 11:22
@Charles〃hy
,mathcad源文件可否分享,謝謝

/upload/community/2020/09/06/1599362438-67236.rar

文件有點(diǎn)亂、也沒整理,湊合著看。

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