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IGBT管壓降檢測電路求助

網(wǎng)上看到一個電路，分析了一下原理:IGBT關(guān)斷時10nf電容通過電阻放電，觸發(fā)開通時觸發(fā)電壓15v通過4148，1k，10k電阻到地充電。因為有個二極管到IGBT的C極，充電電壓被限制在IGBT的CE飽和壓降（看規(guī)格書是1.8v）下約1.8V以下電容C上約13.2伏以下。如果IGBT電流增大飽和電容C上的電壓升高。到升高0.7伏管壓降時也就是電容C充到13.9伏時檢測到信號輸入驅(qū)動IC動作。不知道對不對分析得？

1574579136

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hylylx
LV.9
2
2019-11-25 16:10

對。。。。。

對不起，沒看懂。

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jincao
LV.4
3
2019-11-26 15:23
軍長太客氣了，是我的圖畫得太草沒有講清來龍去脈，待我重畫個。
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jincao
LV.4
4
2019-11-26 15:26
軍長客氣了，是我的圖畫得太草又沒講清來龍去脈，待我重畫一張。
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jincao
LV.4
5
2019-11-26 15:33
上個圖片
0
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jincao
LV.4
6
2019-11-26 15:34
怎么還上不了圖？
0
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2019-11-26 16:23

采樣環(huán)節(jié)不要用電容，不然過流信號會嚴(yán)重滯后，你圖里10nF電容，會導(dǎo)致過流延時滯后超過20us左右

防止開通期間的誤觸發(fā)，可以用別的措施解決，但不要用電容

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jincao
LV.4
8
2019-11-26 23:14
謝謝樓上師長，10us內(nèi)IGBT才是安全的。我的原意是想做到驅(qū)動和后級的完全隔離，看來不想用源極取樣電阻，又想完全隔離只有上霍爾取樣操作是簡單了調(diào)整取樣點更方便不過就成本上去了二十大洋啊！有沒有大師做過CE管壓降樣的支個招？我是想弄個光耦隔離到前級IC看來不太可行，電容取樣有延時再加光耦延時再到IC動作IGBT早放炮仗了！直接上康絲銅取柯
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jincao
LV.4
9
2019-11-26 23:16
我太難了，求哪位太俠幫下小弟！
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jincao
LV.4
10
2019-11-26 23:24
我是想做可靠的過流保護(hù)，又想取樣和后級高壓隔離，防誤觸發(fā)的電路我有沒畫出來，有需要的朋友我可以提供參考。還是拿pc端來上個圖吧
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jincao
LV.4
11
2019-11-26 23:33
@jincao
我是想做可靠的過流保護(hù)，又想取樣和后級高壓隔離，防誤觸發(fā)的電路我有沒畫出來，有需要的朋友我可以提供參考。還是拿pc端來上個圖吧
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jincao
LV.4
12
2019-11-26 23:39
@jincao
我是想做可靠的過流保護(hù)，又想取樣和后級高壓隔離，防誤觸發(fā)的電路我有沒畫出來，有需要的朋友我可以提供參考。還是拿pc端來上個圖吧
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jincao
LV.4
13
2019-11-26 23:41
@米山人家
采樣環(huán)節(jié)不要用電容，不然過流信號會嚴(yán)重滯后，你圖里10nF電容，會導(dǎo)致過流延時滯后超過20us左右防止開通期間的誤觸發(fā)，可以用別的措施解決，但不要用電容
我上了一個用scr防誤觸發(fā)的
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