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  • LED照明 中國好方案
  • 【應(yīng)征入伍】內(nèi)設(shè)智能無級(jí)過溫保護(hù)恒流驅(qū)動(dòng)芯片NU502-160MA電流可調(diào)的典型應(yīng)用

【應(yīng)征入伍】內(nèi)設(shè)智能無級(jí)過溫保護(hù)恒流驅(qū)動(dòng)芯片NU502-160MA電流可調(diào)的典型應(yīng)用

VDD電源電壓范圍1.6V~18V,寬廣電源設(shè)計(jì),自我供電架構(gòu),不需另外提供電源輸出

電流由外部電阻設(shè)定低輸出端電壓降0.6V(80mA)

快速的電位爬升時(shí)間/電位下降時(shí)間

內(nèi)建15V納納二極體保護(hù)低輸出

電流差異少于±5%電源及負(fù)載調(diào)變率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片溫度保護(hù),電流隨溫度升高而下降

工作環(huán)境溫度-40°C~85°C

單通道型式可串接使用,

提高耐壓范圍.

一、電源電壓小于 15V

1. 一般的使用場合建議電源電壓小于 15V。

2. 在 NU502 的 VDD端并聯(lián) 0.1uF 以保護(hù) NU502,并使得工作更穩(wěn)定。

3. 最小電源電壓:V LED≧N×VF+0.6V。VLED:直流電源輸入,N /LED 顆數(shù),VF /LED 正向偏壓。

4. 最大電源電壓:  (VLED-N×(VF-VFT))×I≦PD。VFT: 因溫度上升而下降的 LED 正向偏壓,I:NU502 定電流值,SOT 236 PD=0.25W

1592548595(1)

舉例說明:

假設(shè)當(dāng)使用在 VLED=15V,I=0.12A,SOT 236,VF=3.2V,VF大約會(huì)因溫度升高而降低 0.1V 時(shí)

1. NU502 Rext 計(jì)算

Rext=0.16/I - 0.14=0.16/0.12A - 0.14=1.193 ohm

2. LED 顆數(shù)計(jì)算VLED≧N×VF+0.6V

15V≧N×3.2V+0.6V

N=4

當(dāng)電源輸入為穩(wěn)定的 15V 時(shí),VF=3.2V,如果接上 4 顆 LED,IC 可以定電流工作

3. 最大電源電壓

(VLED-N×(VF-VFT))×I≦PD

(VLED-4×(3.2V-0.1V))×0.12A≦0.25W

VLED≦14.48V

因此建議最大電源輸入電壓不可超過 14.48V。

4. NU502 消耗功率計(jì)算

PD=(VLED-4×(3.2V-0.1V))×0.12A=(14V-4×(3.2V-0.1V))×0.12A=0.19W

二、電源電壓大于 15V

1. 一般的使用場合建議電源電壓大于 15V。

2. 在 NU502 的 VDD端并聯(lián) 0.1uF 以保護(hù) NU502,并使得工作更穩(wěn)定。

3. 最小電源電壓: 

VLED≧N×VF+0.6V。

VLED:直流電源輸入,

N: LED 顆數(shù),

VF: LED 正向偏壓。

4. 最大電源電壓: 

(VLED-N×(VF-VFT))×I≦PD。

VFT:因溫度上升而下降的 LED 正向偏壓,I:NU502 定電流值,SOT 236 PD=0.25W

1592548632(1)

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2020-06-23 11:45

VDD電源電壓范圍1.6V~18V,寬廣電源設(shè)計(jì),自我供電架構(gòu),不需另外提供電源輸出

電流由外部電阻設(shè)定低輸出端電壓降0.6V(80mA)

快速的電位爬升時(shí)間/電位下降時(shí)間

內(nèi)建15V納納二極體保護(hù)低輸出

電流差異少于±5%電源及負(fù)載調(diào)變率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片溫度保護(hù),電流隨溫度升高而下降

工作環(huán)境溫度-40°C~85°C

單通道型式可串接使用,

提高耐壓范圍.

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2020-06-28 09:58

VDD電源電壓范圍1.6V~18V,寬廣電源設(shè)計(jì),自我供電架構(gòu),不需另外提供電源輸出

電流由外部電阻設(shè)定低輸出端電壓降0.6V(80mA)

快速的電位爬升時(shí)間/電位下降時(shí)間

內(nèi)建15V納納二極體保護(hù)低輸出

電流差異少于±5%電源及負(fù)載調(diào)變率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片溫度保護(hù),電流隨溫度升高而下降

工作環(huán)境溫度-40°C~85°C

單通道型式可串接使用,

提高耐壓范圍.

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2020-07-02 09:44

VDD電源電壓范圍1.6V~18V,寬廣電源設(shè)計(jì),自我供電架構(gòu),不需另外提供電源輸出

電流由外部電阻設(shè)定低輸出端電壓降0.6V(80mA)

快速的電位爬升時(shí)間/電位下降時(shí)間

內(nèi)建15V納納二極體保護(hù)低輸出

電流差異少于±5%電源及負(fù)載調(diào)變率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片溫度保護(hù),電流隨溫度升高而下降

工作環(huán)境溫度-40°C~85°C

單通道型式可串接使用,

提高耐壓范圍.

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2020-07-07 15:16

VDD電源電壓范圍1.6V~18V,寬廣電源設(shè)計(jì),自我供電架構(gòu),不需另外提供電源輸出

電流由外部電阻設(shè)定低輸出端電壓降0.6V(80mA)

快速的電位爬升時(shí)間/電位下降時(shí)間

內(nèi)建15V納納二極體保護(hù)低輸出

電流差異少于±5%電源及負(fù)載調(diào)變率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片溫度保護(hù),電流隨溫度升高而下降

工作環(huán)境溫度-40°C~85°C

單通道型式可串接使用,

提高耐壓范圍.

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2020-07-08 11:23

VDD電源電壓范圍1.6V~18V,寬廣電源設(shè)計(jì),自我供電架構(gòu),不需另外提供電源輸出

電流由外部電阻設(shè)定低輸出端電壓降0.6V(80mA)

快速的電位爬升時(shí)間/電位下降時(shí)間

內(nèi)建15V納納二極體保護(hù)低輸出

電流差異少于±5%電源及負(fù)載調(diào)變率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片溫度保護(hù),電流隨溫度升高而下降

工作環(huán)境溫度-40°C~85°C

單通道型式可串接使用,

提高耐壓范圍.

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2020-07-10 10:03

VDD電源電壓范圍1.6V~18V,寬廣電源設(shè)計(jì),自我供電架構(gòu),不需另外提供電源輸出

電流由外部電阻設(shè)定低輸出端電壓降0.6V(80mA)

快速的電位爬升時(shí)間/電位下降時(shí)間

內(nèi)建15V納納二極體保護(hù)低輸出

電流差異少于±5%電源及負(fù)載調(diào)變率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片溫度保護(hù),電流隨溫度升高而下降

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2020-07-14 09:16

VDD電源電壓范圍1.6V~18V,寬廣電源設(shè)計(jì),自我供電架構(gòu),不需另外提供電源輸出

電流由外部電阻設(shè)定低輸出端電壓降0.6V(80mA)

快速的電位爬升時(shí)間/電位下降時(shí)間

內(nèi)建15V納納二極體保護(hù)低輸出

電流差異少于±5%電源及負(fù)載調(diào)變率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片溫度保護(hù),電流隨溫度升高而下降

工作環(huán)境溫度-40°C~85°C

單通道型式可串接使用,

提高耐壓范圍.

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2020-07-15 10:12

一、電源電壓小于 15V

1. 一般的使用場合建議電源電壓小于 15V。

2. 在 NU502 的 VDD端并聯(lián) 0.1uF 以保護(hù) NU502,并使得工作更穩(wěn)定。

3. 最小電源電壓:V LED≧N×VF+0.6V。VLED:直流電源輸入,N /LED 顆數(shù),VF /LED 正向偏壓。

4. 最大電源電壓:  (VLED-N×(VF-VFT))×I≦PD。VFT: 因溫度上升而下降的 LED 正向偏壓,I:NU502 定電流值,SOT 236 PD=0.25W

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2020-07-17 16:09

VDD電源電壓范圍1.6V~18V,寬廣電源設(shè)計(jì),自我供電架構(gòu),不需另外提供電源輸出

電流由外部電阻設(shè)定低輸出端電壓降0.6V(80mA)

快速的電位爬升時(shí)間/電位下降時(shí)間

內(nèi)建15V納納二極體保護(hù)低輸出

電流差異少于±5%電源及負(fù)載調(diào)變率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片溫度保護(hù),電流隨溫度升高而下降

工作環(huán)境溫度-40°C~85°C

單通道型式可串接使用,

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2020-07-21 10:37

VDD電源電壓范圍1.6V~18V,寬廣電源設(shè)計(jì),自我供電架構(gòu),不需另外提供電源輸出

電流由外部電阻設(shè)定低輸出端電壓降0.6V(80mA)

快速的電位爬升時(shí)間/電位下降時(shí)間

內(nèi)建15V納納二極體保護(hù)低輸出

電流差異少于±5%電源及負(fù)載調(diào)變率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片溫度保護(hù),電流隨溫度升高而下降

工作環(huán)境溫度-40°C~85°C

單通道型式可串接使用,

提高耐壓范圍.

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2020-07-22 09:50

VDD電源電壓范圍1.6V~18V,寬廣電源設(shè)計(jì),自我供電架構(gòu),不需另外提供電源輸出

電流由外部電阻設(shè)定低輸出端電壓降0.6V(80mA)

快速的電位爬升時(shí)間/電位下降時(shí)間

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電流差異少于±5%電源及負(fù)載調(diào)變率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片溫度保護(hù),電流隨溫度升高而下降

工作環(huán)境溫度-40°C~85°C

單通道型式可串接使用,

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2020-07-28 14:46

VDD電源電壓范圍1.6V~18V,寬廣電源設(shè)計(jì),自我供電架構(gòu),不需另外提供電源輸出

電流由外部電阻設(shè)定低輸出端電壓降0.6V(80mA)

快速的電位爬升時(shí)間/電位下降時(shí)間

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125°C~160°C晶片溫度保護(hù),電流隨溫度升高而下降

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2020-08-05 09:25

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電流由外部電阻設(shè)定低輸出端電壓降0.6V(80mA)

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電流差異少于±5%電源及負(fù)載調(diào)變率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片溫度保護(hù),電流隨溫度升高而下降

工作環(huán)境溫度-40°C~85°C

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2020-08-07 14:30

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電流由外部電阻設(shè)定低輸出端電壓降0.6V(80mA)

快速的電位爬升時(shí)間/電位下降時(shí)間

內(nèi)建15V納納二極體保護(hù)低輸出

電流差異少于±5%電源及負(fù)載調(diào)變率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片溫度保護(hù),電流隨溫度升高而下降

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2020-08-10 14:53

VDD電源電壓范圍1.6V~18V,寬廣電源設(shè)計(jì),自我供電架構(gòu),不需另外提供電源輸出

電流由外部電阻設(shè)定低輸出端電壓降0.6V(80mA)

快速的電位爬升時(shí)間/電位下降時(shí)間

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電流差異少于±5%電源及負(fù)載調(diào)變率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片溫度保護(hù),電流隨溫度升高而下降

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單通道型式可串接使用,

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2020-08-12 10:27

VDD電源電壓范圍1.6V~18V,寬廣電源設(shè)計(jì),自我供電架構(gòu),不需另外提供電源輸出

電流由外部電阻設(shè)定低輸出端電壓降0.6V(80mA)

快速的電位爬升時(shí)間/電位下降時(shí)間

內(nèi)建15V納納二極體保護(hù)低輸出

電流差異少于±5%電源及負(fù)載調(diào)變率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片溫度保護(hù),電流隨溫度升高而下降

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2020-08-14 14:59

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電流由外部電阻設(shè)定低輸出端電壓降0.6V(80mA)

快速的電位爬升時(shí)間/電位下降時(shí)間

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電流差異少于±5%電源及負(fù)載調(diào)變率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片溫度保護(hù),電流隨溫度升高而下降

工作環(huán)境溫度-40°C~85°C

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2020-08-17 16:21

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電流由外部電阻設(shè)定低輸出端電壓降0.6V(80mA)

快速的電位爬升時(shí)間/電位下降時(shí)間

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125°C~160°C晶片溫度保護(hù),電流隨溫度升高而下降

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2020-08-18 15:39

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電流由外部電阻設(shè)定低輸出端電壓降0.6V(80mA)

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2020-08-20 09:25

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125°C~160°C晶片溫度保護(hù),電流隨溫度升高而下降

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2020-08-24 10:00

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2020-08-26 10:09

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2020-08-28 17:40

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2020-08-31 15:47

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2020-09-01 14:39

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2020-09-09 10:10

VDD電源電壓范圍1.6V~18V,寬廣電源設(shè)計(jì),自我供電架構(gòu),不需另外提供電源輸出

電流由外部電阻設(shè)定低輸出端電壓降0.6V(80mA)

快速的電位爬升時(shí)間/電位下降時(shí)間

內(nèi)建15V納納二極體保護(hù)低輸出

電流差異少于±5%電源及負(fù)載調(diào)變率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片溫度保護(hù),電流隨溫度升高而下降

工作環(huán)境溫度-40°C~85°C

單通道型式可串接使用,

提高耐壓范圍.

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2020-09-14 09:54

VDD電源電壓范圍1.6V~18V,寬廣電源設(shè)計(jì),自我供電架構(gòu),不需另外提供電源輸出

電流由外部電阻設(shè)定低輸出端電壓降0.6V(80mA)

快速的電位爬升時(shí)間/電位下降時(shí)間

內(nèi)建15V納納二極體保護(hù)低輸出

電流差異少于±5%電源及負(fù)載調(diào)變率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片溫度保護(hù),電流隨溫度升高而下降

工作環(huán)境溫度-40°C~85°C

單通道型式可串接使用,

提高耐壓范圍.

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2020-09-14 10:03

VDD電源電壓范圍1.6V~18V,寬廣電源設(shè)計(jì),自我供電架構(gòu),不需另外提供電源輸出

電流由外部電阻設(shè)定低輸出端電壓降0.6V(80mA)

快速的電位爬升時(shí)間/電位下降時(shí)間

內(nèi)建15V納納二極體保護(hù)低輸出

電流差異少于±5%電源及負(fù)載調(diào)變率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片溫度保護(hù),電流隨溫度升高而下降

工作環(huán)境溫度-40°C~85°C

單通道型式可串接使用,

提高耐壓范圍.

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2020-09-14 17:28

VDD電源電壓范圍1.6V~18V,寬廣電源設(shè)計(jì),自我供電架構(gòu),不需另外提供電源輸出

電流由外部電阻設(shè)定低輸出端電壓降0.6V(80mA)

快速的電位爬升時(shí)間/電位下降時(shí)間

內(nèi)建15V納納二極體保護(hù)低輸出

電流差異少于±5%電源及負(fù)載調(diào)變率少于±0.5%/ V.

125°C~160°C晶片溫度保護(hù),電流隨溫度升高而下降

工作環(huán)境溫度-40°C~85°C

單通道型式可串接使用,

提高耐壓范圍.

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