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肖特基二極管損壞方式分析

肖特基二極管損壞最常見的5種方式

1. 肖特基二極管像沒有事情一樣繼續(xù)工作(由于硅片和銅的熱膨脹系數(shù)不同,硅片發(fā)生龜裂,反向耐壓受到影響,但是肖特基還在工作,隨時可能損壞);

2. 發(fā)生斷路(由于連線和引腳不易斷,一般不會發(fā)生這種現(xiàn)狀);

3. 發(fā)生短路(最常見的現(xiàn)在,排查短路問題就ok);

4. 過熱破損爆裂(超過PD值,過功率封裝破損);

5. ESD損壞(主要發(fā)生在150V以上的肖特基二極管上,由于制程的因素,SBR系列的肖特基易收到ESD損傷,導(dǎo)致在電源上損壞)

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2020-07-10 14:40
肖特基二極管損壞方式分析

電源進行雷電測試時,發(fā)現(xiàn)肖特基二極管損壞

ESD損壞主要發(fā)生在150V以上的肖特基二極管上,主要是由于150V以上的肖特基二極管,為了追求VF更低,使用了MOSKY MOS型肖特基和SBR超勢壘肖特基的制程,這種制程利用了MOS管低內(nèi)阻的特性,但是也帶來了ESD低的問題

TMBS和planer制程的肖特基二極管ESD基本都在10KV以上,MOSKY和SBR制程的肖特基ESD受限于GATE的影響,ESD要小很多,所以在輸出20-48V的電源測試雷電模式或者打雷時電源肖特基二極管損壞,其實是ESD引起的肖特基損壞

推薦使用TMBS類型的肖特基二極管,MOTIVE 墨濎半導(dǎo)體提供SAT100H200T,針對24V5A單晶片肖特基二極管

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