肖特基二極管損壞最常見的5種方式
1. 肖特基二極管像沒有事情一樣繼續(xù)工作（由于硅片和銅的熱膨脹系數(shù)不同，硅片發(fā)生龜裂，反向耐壓受到影響，但是肖特基還在工作，隨時可能損壞）；
2. 發(fā)生斷路（由于連線和引腳不易斷，一般不會發(fā)生這種現(xiàn)狀）；
3. 發(fā)生短路（最常見的現(xiàn)在，排查短路問題就ok）；
4. 過熱破損爆裂（超過PD值，過功率封裝破損）；
5. ESD損壞（主要發(fā)生在150V以上的肖特基二極管上，由于制程的因素，SBR系列的肖特基易收到ESD損傷，導致在電源上損壞）
電源進行雷電測試時，發(fā)現(xiàn)肖特基二極管損壞
ESD損壞主要發(fā)生在150V以上的肖特基二極管上，主要是由于150V以上的肖特基二極管，為了追求VF更低，使用了MOSKY MOS型肖特基和SBR超勢壘肖特基的制程，這種制程利用了MOS管低內(nèi)阻的特性，但是也帶來了ESD低的問題
TMBS和planer制程的肖特基二極管ESD基本都在10KV以上，MOSKY和SBR制程的肖特基ESD受限于GATE的影響,ESD要小很多，所以在輸出20-48V的電源測試雷電模式或者打雷時電源肖特基二極管損壞，其實是ESD引起的肖特基損壞
推薦使用TMBS類型的肖特基二極管，MOTIVE 墨濎半導體提供SAT100H200T，針對24V5A單晶片肖特基二極管
