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誰對BMS保護延時了解的？

001

過充電壓保護延時、過充保護釋放延時、過放電壓保護延時、放電過流保護延時----------

1.這種延時是用示波器去測試嗎？有沒有更好的方法?理想狀態(tài)是在達到保護或者釋放保護要越快越好，而實際上是做不到的？這個做不到?jīng)]有延時是哪些因素造成的？哪個是最關(guān)鍵的因素？

2.為什么沒有強調(diào)過放保護釋放延時、過流保護釋放延時、短路保護延時、短路保護釋放延時、過溫保護延時、過溫保護釋放延時？BMS電池保護中是否存在這四個延時參數(shù)？

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yuyuyu5
LV.8
2
2020-08-13 10:44
延時會傳輸電流卡頓的
0
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2020-08-13 13:47
首先肯定不是越快越好，快就會有誤動作，一個尖峰干擾就算過沖了，干擾厲害了充電斷斷續(xù)續(xù)，這不就是亂搞了么。要知道 芯片手冊不敢寫的參數(shù)一般就是比較差的參數(shù)，就比如這個過流保護延遲能達到200ms  如果他沒有短路保護 靠過流保護來實現(xiàn)短路保護，也就是說當短路200ms以上才會斷開mos，雖然你選擇的mos電流夠了 耗散夠了，但是短路的沖擊太大，直接就廢了、
1
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12708046
LV.2
4
2020-08-13 18:32

進來向大家學(xué)習(xí)

0
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2020-08-14 10:14
@dy-ZgpxD3gc
首先肯定不是越快越好，快就會有誤動作，一個尖峰干擾就算過沖了，干擾厲害了充電斷斷續(xù)續(xù)，這不就是亂搞了么。要知道芯片手冊不敢寫的參數(shù)一般就是比較差的參數(shù)，就比如這個過流保護延遲能達到200ms 如果他沒有短路保護靠過流保護來實現(xiàn)短路保護，也就是說當短路200ms以上才會斷開mos，雖然你選擇的mos電流夠了耗散夠了，但是短路的沖擊太大，直接就廢了、
像短路保護  過流保護  過充保護不是越快越好嗎
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