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用LNK584設(shè)計的1.8W輔助電源

         LinkZero-AX可以最低的系統(tǒng)成本實現(xiàn)零待機功耗。該款開關(guān)IC的系統(tǒng)配置簡單，其通用輸入電壓范圍確保該款芯片可在全世界范圍內(nèi)使用，用戶通過控制喚醒功能即可實現(xiàn)零待機/斷電功能，適合低成本無箝位設(shè)計，這個系列的電源芯片輸出功率都不大，適合用于6W以下的小功率電源。

          電路使用LNK584設(shè)計的典型非隔離式9V、200mA輸出輔助電源。隔離式設(shè)計也可以與LinkZero-AX完全兼容，因為反饋引腳接收來自初級反饋/偏置繞組的信號或通過光耦器接收信號,LNK584具有PD斷電模式，待機功耗可以做得很低，325VDC輸入待機/斷電功耗低于3mW。

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紫蝶
LV.9
2
2020-08-13 12:27
這個待機功耗3mW很低啊。基本可以忽略了，非隔離方式電源效率高。
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2020-08-14 21:36
LNK584最大輸出功率為3W,功率小，對電源成本比較敏感。
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trllgh
LV.10
4
2020-08-14 21:39
@紫蝶
這個待機功耗3mW很低啊。基本可以忽略了，非隔離方式電源效率高。
該設(shè)計采用簡單的偏置繞組電壓反饋方式，由LinkZero-AX進行開/關(guān)控制。
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xxbw6868
LV.10
5
2020-08-14 21:43
@大海的兒子
LNK584最大輸出功率為3W,功率小，對電源成本比較敏感。
LinkZero-AX具有專利的頻率抖動功能，無需使用任何Y電容或共模電感。
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spowergg
LV.10
6
2020-08-14 21:46
@trllgh
該設(shè)計采用簡單的偏置繞組電壓反饋方式，由LinkZero-AX進行開/關(guān)控制。
內(nèi)部電路極低的功率耗散使LinkZero-AX可使用從漏極吸收的電流持續(xù)工作。
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dbg_ux
LV.9
7
2020-08-15 08:40
@spowergg
內(nèi)部電路極低的功率耗散使LinkZero-AX可使用從漏極吸收的電流持續(xù)工作。
一個0.1μF的旁路電容就足夠?qū)崿F(xiàn)高頻率的去耦及能量存儲.
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uf_1269
LV.8
8
2020-08-15 08:43
LNK584支持遲滯熱關(guān)斷保護自動恢復功能，從而降低了芯片在應(yīng)用現(xiàn)場被損壞的風險。
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lx25hb
LV.8
9
2020-08-15 08:46
@大海的兒子
LNK584最大輸出功率為3W,功率小，對電源成本比較敏感。
繞線式電阻RF1屬于可熔阻燃型電阻，也可以用作保險絲來限定浪涌電流。
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cb_mmb
LV.8
10
2020-08-15 08:50
@uf_1269
LNK584支持遲滯熱關(guān)斷保護自動恢復功能，從而降低了芯片在應(yīng)用現(xiàn)場被損壞的風險。
LNK584可以最低的系統(tǒng)成本實現(xiàn)零待機功耗，待機/斷電功耗可以實現(xiàn)低于3mW。
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kckcll
LV.9
11
2020-08-15 08:55
@trllgh
該設(shè)計采用簡單的偏置繞組電壓反饋方式，由LinkZero-AX進行開/關(guān)控制。
只要MOSFET處在關(guān)斷狀態(tài)，5.85V穩(wěn)壓器就會從漏極吸收電流，將連接到旁路引腳的旁路電容充電到5.85V。
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2020-08-15 09:00
@dbg_ux
一個0.1μF的旁路電容就足夠?qū)崿F(xiàn)高頻率的去耦及能量存儲.
旁路引腳是內(nèi)部供電電壓節(jié)點,當MOSFET導通時，器件使用存儲在旁路電容中的能量。
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trllgh
LV.10
13
2020-08-15 12:22
@uf_1269
LNK584支持遲滯熱關(guān)斷保護自動恢復功能，從而降低了芯片在應(yīng)用現(xiàn)場被損壞的風險。
還支持自動重啟功能，在短路和開環(huán)電路故障下可將輸出功率降低85%
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xxbw6868
LV.10
14
2020-08-15 12:32
@trllgh
該設(shè)計采用簡單的偏置繞組電壓反饋方式，由LinkZero-AX進行開/關(guān)控制。
在非隔離設(shè)計中，這有助于通過電阻從偏置繞組或電源輸出端對器件進行外部供電，從而降低器件功耗并提高電源效率。
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2020-08-24 20:46
@lx25hb
繞線式電阻RF1屬于可熔阻燃型電阻，也可以用作保險絲來限定浪涌電流。
對于輸入電壓高于132 VAC的設(shè)計，建議使用繞線式電阻，以便在首次施加交流電時能夠承受瞬時功耗。
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k6666
LV.9
16
2020-08-26 12:28
@dbg_ux
一個0.1μF的旁路電容就足夠?qū)崿F(xiàn)高頻率的去耦及能量存儲.
可以增加較大個電容去除較低頻率的。
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