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LM5176制作5-30V輸出50A可調(diào)電源

一直想做一個適用的可調(diào)電源,偶然中在ti的網(wǎng)址閑逛,發(fā)現(xiàn)有一款標(biāo)稱效率97%以上的升降壓IC:lm5176
以前沒做過升降壓的電路,感覺如果做個實驗電源,那么前級可以隨便用一個10---50V電壓,后級就能輸出穩(wěn)定的,我想要的電壓。這樣就可以做個簡單的實驗電源了。
說做就做了。先淘寶買了10片LM5176,12塊一片。PCB先按官方的PDF畫了個基本版,先把功能、波形整出來再慢慢完善。
在畫板子的同時,畫了一周的時間反復(fù)的看PDF文件,每個引腳的功能、如何計算外圍零件、如何使用官方的設(shè)計表格。
按我自己的要求,先做個10V---46V輸入的。這個輸入范圍是1—3節(jié)串聯(lián)鉛酸電池的電壓范圍。剛好家里也有電瓶車上拆下的6只電瓶,利用上就可以有個純凈、穩(wěn)定的直流輸入源了。
輸出設(shè)定為14.8V輸出。選這個電壓只是測試升降壓功能。也能給我的電池充電,裝上可調(diào)電阻就可以在5---30V之間隨意調(diào)節(jié)了。
有朋友可能會問:既然都5---30V可調(diào)了,干嗎不做到0-30V可調(diào)?
我只能說我手太新了,還沒想到如何做到0V起調(diào)。當(dāng)然,這顆芯片是支持從0.8V起調(diào)的,但到0.8V的時候我估計反饋環(huán)路就不是那么容易調(diào)的了。因為上分壓電阻的值接近于1歐姆,這并不利于環(huán)路的穩(wěn)定。如果做成5V起調(diào)我倒是有把握的。
先挖個坑,LM5176文件稍晚些時候上傳,(地方偏僻,網(wǎng)絡(luò)不大好。)方便大家?guī)臀倚拚闹胁徽_的地方。

全部回復(fù)(37)
正序查看
倒序查看
2020-10-27 23:10

https://www.ti.com.cn/product/cn/LM5176   

這網(wǎng)址有ti的芯片資料,和設(shè)計軟件:

計算工具名稱:LM5176 Design Calculator
文件名稱和大?。篠NVC208.ZIP (3362 KB)

大家看著下載哦。我這里網(wǎng)絡(luò)不好,ti經(jīng)常連不上,今晚也是折騰很久都沒下載下來。


這個工具挺好用的,輸入各種參數(shù),就能直接計算出外圍的零件。

但是,有個坑,容我后面再講。

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2020-10-28 18:18
@tanb006
https://www.ti.com.cn/product/cn/LM5176  這網(wǎng)址有ti的芯片資料,和設(shè)計軟件:計算工具名稱:LM5176DesignCalculator文件名稱和大?。篠NVC208.ZIP(3362KB)

/upload/community/2020/10/28/1603879994-93973.pdf


文件部分是中文的,計算和具體功能描述都是英文。


接昨天的內(nèi)容:

第一版PCB很簡陋,不貼出來了,各部分均參照官網(wǎng)原理圖。詳細到每一個零件我都能給你具體型號,但是,PCB真沒有,原因你懂得。
我就參照官網(wǎng)原理圖講講我調(diào)試的過程吧。
板子回來,興奮鴨,裝上了所有貼片零件、MOS只裝了四顆(原本設(shè)計是四個臂各兩顆),電容前后各裝了一顆,電感按計算的結(jié)果,裝了顆用PQ3525、0.1*1000根利茲線繞四匝、開氣隙電感量為2.7微亨的電感。設(shè)計的頻率是在100K。
輸入用實驗電源限流0.1A,電壓10V輸入測試。
很順利,一次通電并沒短路,我的要求很低,不短路就是個好的開始。測試輸出電壓為15.2V,跟我計算的差不多,或許零件精度不夠,精度可以再搞。先測各個點的波形,和電壓。
四個臂有兩路是懸浮驅(qū)動的,芯片設(shè)計的很巧妙,使用泵電源,一只0.22微法電容和一只4148就能穩(wěn)定的提供電源了。原始參數(shù)是要求1A的二極管,我并沒有這么高速度的二極管。也并不想裝一顆SMB的管子,太占地方了。我喜歡小體積的東東。于是就用了4148,正向持續(xù)電流可以達到0.3A,我估計也足夠了。特別是4148的速度,比手上的任何二極管都要快,而且耐壓也在75V以上。實際我用自己的耐壓測試儀測過各種封裝的二極管,基本都在100V以上,手頭上這種玻璃封裝圓柱體的4148耐壓在120V的。
這樣兩臂用四個零件就完成了供電,還真是佩服----集成度真高。如果讓我做外圍,我肯定是一個反激,輸出兩組隔離電壓分別供電兩個臂的驅(qū)動電路,再用MIC4452去驅(qū)動兩顆并聯(lián)的100多A的MOS。


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2020-10-28 18:32
@tanb006
/upload/community/2020/10/28/1603879994-93973.pdf文件部分是中文的,計算和具體功能描述都是英文。接昨天的內(nèi)容:第一版PCB很簡陋,不貼出來了,各部分均參照官網(wǎng)原理圖。詳細到每一個零件我都能給你具體型號,但是,PCB真沒有,原因你懂得。我就參照官網(wǎng)原理圖講講我調(diào)試的過程吧。板子回來,興奮鴨,裝上了所有貼片零件、MOS只裝了四顆(原本設(shè)計是四個臂各兩顆),電容前后各裝了一顆,電感按計算的結(jié)果,裝了顆用PQ3525、0.1*1000根利茲線繞四匝、開氣隙電感量為2.7微亨的電感。設(shè)計的頻率是在100K。輸入用實驗電源限流0.1A,電壓10V輸入測試。很順利,一次通電并沒短路,我的要求很低,不短路就是個好的開始。測試輸出電壓為15.2V,跟我計算的差不多,或許零件精度不夠,精度可以再搞。先測各個點的波形,和電壓。四個臂有兩路是懸浮驅(qū)動的,芯片設(shè)計的很巧妙,使用泵電源,一只0.22微法電容和一只4148就能穩(wěn)定的提供電源了。原始參數(shù)是要求1A的二極管,我并沒有這么高速度的二極管。也并不想裝一顆SMB的管子,太占地方了。我喜歡小體積的東東。于是就用了4148,正向持續(xù)電流可以達到0.3A,我估計也足夠了。特別是4148的速度,比手上的任何二極管都要快,而且耐壓也在75V以上。實際我用自己的耐壓測試儀測過各種封裝的二極管,基本都在100V以上,手頭上這種玻璃封裝圓柱體的4148耐壓在120V的。這樣兩臂用四個零件就完成了供電,還真是佩服----集成度真高。如果讓我做外圍,我肯定是一個反激,輸出兩組隔離電壓分別供電兩個臂的驅(qū)動電路,再用MIC4452去驅(qū)動兩顆并聯(lián)的100多A的MOS。
曾經(jīng)我還懷疑這芯片能不能直接驅(qū)動4顆浮地的MOS,結(jié)果是我多慮了。輸出的驅(qū)動波形上升沿只有75納秒,下降沿100納秒。如果不裝管子,上升沿是25納秒以內(nèi)。
閑話說的有點多,測完各個點的波形,對比PDF中的波形看,基本上是正確的。第一天就這么結(jié)束,我喜歡在一個好的結(jié)果中入眠。至于能不能帶載、高低壓輸入能不能穩(wěn)定輸出,我已經(jīng)放下了好奇的心,畢竟好奇害死貓。瞌睡大于一切。
次日接著測試,輸入電壓依然是10V,輸出15V多,不敢貿(mào)然輸入30-40V的電壓,擔(dān)心PCB布局問題導(dǎo)致的尖峰太高毀了芯片。測量各個MOS的波形的時候,擔(dān)心的事情還是發(fā)生了。
在測試懸浮驅(qū)動的兩個臂的時候,芯片突然工作失常,沒了輸出。查出是BOOT引腳對地擊穿。懷疑自己的板子有問題或者零件問題,查遍了外圍也沒啥零件損壞。于是12塊就這么沒了。
熱風(fēng)槍吹下,再裝一片新的,顯微鏡下觀察每一個引腳都焊接可靠沒有連錫,接著上電,輸出很OK。于是把第一次損壞的原因歸結(jié)為意外。但即便是意外,也是有原因的,錯就錯在我偷懶了。沒去找原因。
接著測試各個點的波形,和PDF中的波形對比,以確認自己的板子、原理、實物都沒錯,之后才敢加點負載測試。波形比對快完成的時候,那個“意外”又出現(xiàn)了。莫名的壞了。
這搞的我蒙圈幾層。。。。。。。。
難道芯片是假的?水貨?殘次品?反復(fù)對比原理圖和實物確定都OK的。于是帶著一大堆疑惑去ti論壇搜索故障原因。

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2020-10-28 19:38
@tanb006
曾經(jīng)我還懷疑這芯片能不能直接驅(qū)動4顆浮地的MOS,結(jié)果是我多慮了。輸出的驅(qū)動波形上升沿只有75納秒,下降沿100納秒。如果不裝管子,上升沿是25納秒以內(nèi)。閑話說的有點多,測完各個點的波形,對比PDF中的波形看,基本上是正確的。第一天就這么結(jié)束,我喜歡在一個好的結(jié)果中入眠。至于能不能帶載、高低壓輸入能不能穩(wěn)定輸出,我已經(jīng)放下了好奇的心,畢竟好奇害死貓。瞌睡大于一切。次日接著測試,輸入電壓依然是10V,輸出15V多,不敢貿(mào)然輸入30-40V的電壓,擔(dān)心PCB布局問題導(dǎo)致的尖峰太高毀了芯片。測量各個MOS的波形的時候,擔(dān)心的事情還是發(fā)生了。在測試懸浮驅(qū)動的兩個臂的時候,芯片突然工作失常,沒了輸出。查出是BOOT引腳對地擊穿。懷疑自己的板子有問題或者零件問題,查遍了外圍也沒啥零件損壞。于是12塊就這么沒了。熱風(fēng)槍吹下,再裝一片新的,顯微鏡下觀察每一個引腳都焊接可靠沒有連錫,接著上電,輸出很OK。于是把第一次損壞的原因歸結(jié)為意外。但即便是意外,也是有原因的,錯就錯在我偷懶了。沒去找原因。接著測試各個點的波形,和PDF中的波形對比,以確認自己的板子、原理、實物都沒錯,之后才敢加點負載測試。波形比對快完成的時候,那個“意外”又出現(xiàn)了。莫名的壞了。這搞的我蒙圈幾層。。。。。。。。難道芯片是假的?水貨?殘次品?反復(fù)對比原理圖和實物確定都OK的。于是帶著一大堆疑惑去ti論壇搜索故障原因。

發(fā)兩個原理圖:





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2020-10-29 23:23
@tanb006
發(fā)兩個原理圖:[圖片][圖片]
然而,TI論壇也是沒人說到重點。
有幾個類似情況,莫名掛了,找不到原因。也有不工作的,工作失常的,但都沒有給出具體解決辦法和查找故障的思路。
既然芯片冷門,咱就涼開水泡茶,慢慢來。

回憶前一天的測試情況,查找損壞的真因。兩次損壞都是boot對地短路。

我的示波器是電池供電的,不存在與市電相連的問題。板子供電是實驗電源,也不存在超范圍供電擊穿。

想了大半天,問題點還是歸結(jié)到了我的示波器上。

難道是沒接地,靜電擊穿?總得試試看,于是給示波器插上電源線,板子也換了新的芯片,查外圍都OK,無零件損壞。

再次上電,測試一切正常。反復(fù)多次重復(fù)昨天的測試,示波器夾子加在SW端,探頭測試boot端,怎么測試都沒問題,沒有再次損壞。

本著認真的原則,想重現(xiàn)損壞的過程,看看是否跟我的判斷一致。

再扔12塊錢也能學(xué)到點東西,劃算。

拔了示波器電源線,用示波器內(nèi)置電池供電測量,開始幾次也沒問題。

中間間隔個把小時,忙別的事情了,再回來測試boot的波形,一碰就掛了。

沒有火花,直接沒輸出。

也沒有任何外圍零件損壞,芯片其他引腳和功能都正常,斷電測量BOOT對地電阻,真的短路了。

看來真的是靜電引起的芯片損壞,感慨老外芯片保護功能之強大,僅僅壞了一個功能,其他各引腳的邏輯和電壓都很正常。

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2020-10-31 23:19
@tanb006
然而,TI論壇也是沒人說到重點。有幾個類似情況,莫名掛了,找不到原因。也有不工作的,工作失常的,但都沒有給出具體解決辦法和查找故障的思路。既然芯片冷門,咱就涼開水泡茶,慢慢來。回憶前一天的測試情況,查找損壞的真因。兩次損壞都是boot對地短路。我的示波器是電池供電的,不存在與市電相連的問題。板子供電是實驗電源,也不存在超范圍供電擊穿。想了大半天,問題點還是歸結(jié)到了我的示波器上。難道是沒接地,靜電擊穿?總得試試看,于是給示波器插上電源線,板子也換了新的芯片,查外圍都OK,無零件損壞。再次上電,測試一切正常。反復(fù)多次重復(fù)昨天的測試,示波器夾子加在SW端,探頭測試boot端,怎么測試都沒問題,沒有再次損壞。本著認真的原則,想重現(xiàn)損壞的過程,看看是否跟我的判斷一致。再扔12塊錢也能學(xué)到點東西,劃算。拔了示波器電源線,用示波器內(nèi)置電池供電測量,開始幾次也沒問題。中間間隔個把小時,忙別的事情了,再回來測試boot的波形,一碰就掛了。沒有火花,直接沒輸出。也沒有任何外圍零件損壞,芯片其他引腳和功能都正常,斷電測量BOOT對地電阻,真的短路了??磥碚娴氖庆o電引起的芯片損壞,感慨老外芯片保護功能之強大,僅僅壞了一個功能,其他各引腳的邏輯和電壓都很正常。

好事多磨,繼續(xù)搞起測試。

有了前次的經(jīng)驗,示波器在以后的應(yīng)用中都乖乖的找根地線接大地。

輸入電壓從10—18V測試,都很OK。

當(dāng)然都是空載測試,只有一只1K的假負載電阻。

輸入電壓連續(xù)變化,輸出也是很穩(wěn)定的。

接入電子負載,加一點點電流,再看波形都跟PDF中一致,開始有點小興奮了,樂極生悲就這樣又來一次。
輸入18V,輸出15.2V,負載電流加到1A的時候,效率是95%。加到3A效率下降到90%,
但波形正常。再加到4A是86—87%。蜜汁疑惑。。。。。。。。。。。規(guī)格書里給的是能輸出幾十A的,這才。。。。。
算了,睡一覺醒來再想問題。

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2020-11-02 23:31
@tanb006
好事多磨,繼續(xù)搞起測試。有了前次的經(jīng)驗,示波器在以后的應(yīng)用中都乖乖的找根地線接大地。輸入電壓從10—18V測試,都很OK。當(dāng)然都是空載測試,只有一只1K的假負載電阻。輸入電壓連續(xù)變化,輸出也是很穩(wěn)定的。接入電子負載,加一點點電流,再看波形都跟PDF中一致,開始有點小興奮了,樂極生悲就這樣又來一次。輸入18V,輸出15.2V,負載電流加到1A的時候,效率是95%。加到3A效率下降到90%,但波形正常。再加到4A是86—87%。蜜汁疑惑。。。。。。。。。。。規(guī)格書里給的是能輸出幾十A的,這才。。。。。算了,睡一覺醒來再想問題。

開工,測試,找效率下降的原因。

電流直接上到4A,用熱成像儀觀察板子上哪些零件溫度高。

懷疑的對象是MOS和電感,也有電容。

熱機10分鐘后熱成像顯示MOS溫度最高,為50—60度左右(具體溫度記不清,不能瞎寫,但就在這范圍內(nèi),四個臂的溫度是不同的。)

MOS是IRF3710,100V  57A  23毫歐。

選這顆是為了安全,100V耐壓,遠超芯片的極限電壓60V。

所以前幾次損壞的也僅僅是芯片。

看來內(nèi)阻太大,換管子。家里還有做電動車控制器剩下的NCE8580,85V  80A  8.5毫歐。

這下效率應(yīng)該能上去了吧,嘿嘿,裝機測試效率。

果然,4A負載下效率穩(wěn)定在91--92%之間,但距離標(biāo)稱的最高效率95%還有很遠的路要折騰。

對比和查看實物波形,發(fā)現(xiàn)無論驅(qū)動低端MOS還是驅(qū)動高端MOS,驅(qū)動VGS都很低。

低端MOS的驅(qū)動用的是芯片供電8V,驅(qū)動高端MOS用的是泵電源,VGS峰峰值是7.2—7.5V。

這個固有的設(shè)計限制了MOS的選用。

普通MOS在8V以上才能達到完全打開的階段,或許這是效率上不去的主因。

網(wǎng)上搜了大半天,找到NCE85H21C  85V  210A   4毫歐  220封裝 。

能用國產(chǎn)的我絕不買進口零件。

這顆MOS看曲線圖,VGS在6V的時候可以完全導(dǎo)通,電流達到100A以上。

正適合我需求。兩顆并聯(lián)只有2毫歐內(nèi)阻,能滿足我需求就是好寶貝!

淘寶價3.5一顆入手30顆。


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hylylx
LV.9
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2020-11-03 08:40
熱淚盈眶前來頂帖,正需要呢
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2020-11-03 22:30
@tanb006
開工,測試,找效率下降的原因。電流直接上到4A,用熱成像儀觀察板子上哪些零件溫度高。懷疑的對象是MOS和電感,也有電容。熱機10分鐘后熱成像顯示MOS溫度最高,為50—60度左右(具體溫度記不清,不能瞎寫,但就在這范圍內(nèi),四個臂的溫度是不同的。)MOS是IRF3710,100V 57A 23毫歐。選這顆是為了安全,100V耐壓,遠超芯片的極限電壓60V。所以前幾次損壞的也僅僅是芯片??磥韮?nèi)阻太大,換管子。家里還有做電動車控制器剩下的NCE8580,85V 80A 8.5毫歐。這下效率應(yīng)該能上去了吧,嘿嘿,裝機測試效率。果然,4A負載下效率穩(wěn)定在91--92%之間,但距離標(biāo)稱的最高效率95%還有很遠的路要折騰。對比和查看實物波形,發(fā)現(xiàn)無論驅(qū)動低端MOS還是驅(qū)動高端MOS,驅(qū)動VGS都很低。低端MOS的驅(qū)動用的是芯片供電8V,驅(qū)動高端MOS用的是泵電源,VGS峰峰值是7.2—7.5V。這個固有的設(shè)計限制了MOS的選用。普通MOS在8V以上才能達到完全打開的階段,或許這是效率上不去的主因。網(wǎng)上搜了大半天,找到NCE85H21C 85V 210A 4毫歐 220封裝。能用國產(chǎn)的我絕不買進口零件。這顆MOS看曲線圖,VGS在6V的時候可以完全導(dǎo)通,電流達到100A以上。正適合我需求。兩顆并聯(lián)只有2毫歐內(nèi)阻,能滿足我需求就是好寶貝!淘寶價3.5一顆入手30顆。

開始畫第二版PCB,

在前一版的基礎(chǔ)上8顆MOS并排裝在一只散熱片上,做好絕緣措施。

芯片放在MOS前面,MOS后面是輸入電容、大電感、輸出電容。

PCB底部是過流保護和電流檢測電阻。其他零件都在頂層。

整個板子尺寸大約10*8厘米。高不超過5厘米。

電流檢測部分信號走線按照官方PDF說明,用差分走線引入芯片。在

板子打樣期間,特意用電橋從一堆0805電阻里挑出來十幾顆阻值盡量一致的100歐姆電阻做差分信號輸入用。

制作了散熱片、鉆孔、攻絲。選了幾十顆內(nèi)阻基本一致的電解。

又做了一個DC-DC反激小電源,用來驅(qū)動12V風(fēng)機,準(zhǔn)備在滿功率的時候能有合適的散熱。

DC-DC反激小電源是之前就畫好的小板,原本是小模塊的設(shè)計方案,重繞一個變壓器就直接拿來用了。

調(diào)試好小電源和風(fēng)機,靜等第二版PCB的到來。

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2020-11-03 22:31
@hylylx
熱淚盈眶前來頂帖,正需要呢
多謝捧場,我會持續(xù)更新整個制作過程和走過的坑。
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2020-11-04 21:46
@tanb006
開始畫第二版PCB,在前一版的基礎(chǔ)上8顆MOS并排裝在一只散熱片上,做好絕緣措施。芯片放在MOS前面,MOS后面是輸入電容、大電感、輸出電容。PCB底部是過流保護和電流檢測電阻。其他零件都在頂層。整個板子尺寸大約10*8厘米。高不超過5厘米。電流檢測部分信號走線按照官方PDF說明,用差分走線引入芯片。在板子打樣期間,特意用電橋從一堆0805電阻里挑出來十幾顆阻值盡量一致的100歐姆電阻做差分信號輸入用。制作了散熱片、鉆孔、攻絲。選了幾十顆內(nèi)阻基本一致的電解。又做了一個DC-DC反激小電源,用來驅(qū)動12V風(fēng)機,準(zhǔn)備在滿功率的時候能有合適的散熱。DC-DC反激小電源是之前就畫好的小板,原本是小模塊的設(shè)計方案,重繞一個變壓器就直接拿來用了。調(diào)試好小電源和風(fēng)機,靜等第二版PCB的到來。
新版PCB到,焊接好外圍零件和MOS、電感,加了前后各一個電解,準(zhǔn)備測試波形。
如果波形OK,那就裝上所有零件開始加載。
一陣忙碌后,上12V,輸出15.2V  1A,各部分波形正常。
VGS波形也直上直下,沒有出現(xiàn)米勒平臺。驅(qū)動電阻是5.1歐姆0805。
看來可以裝上所有零件了。
裝電容,背面加錫,裝散熱片。
8顆MOS,兩顆一組并聯(lián),沒用市面上灰白色的那種矽膠片,太厚,0.4mm。
用20mm寬的金色高溫膠帶在散熱片上貼一條。膠帶厚度0.1mm。
厚度對于熱傳導(dǎo)是很致命的。貼好膠帶,MOS背面略涂一層薄薄的導(dǎo)熱硅脂。
能多薄就多薄。涂好放在膠帶上正確的位置,用7字型壓板壓緊每一顆MOS。
事實證明這樣的散熱效果是在絕緣的前提下非常理想的了。
后期熱成像的圖像顯示溫度和散熱片只相差了5攝氏度。

組裝完成后接好電子負載和可調(diào)電源,示波器接好在電感前后和輸出端。
上電,輸出OK。慢慢加載,波形如PDF中變化一致。
加載到15.2V5A,老化10分鐘,用熱成像觀看有無發(fā)熱異常。
通常有故障、或者設(shè)計缺陷的時候,在這樣輕載的時候都會發(fā)現(xiàn)發(fā)熱異常的零件。
巡視一圈,一切正常。MOS溫度35度。環(huán)境溫度30度。
板子上溫度最高的是主芯片,55度。
個人猜想是因為芯片內(nèi)部包含了強大的驅(qū)動電路。
驅(qū)動8顆100多A的MOS依然是那么從容。
繼續(xù)加載10A---20A---30A。一切正常。
30A的時候,電壓依然堅挺在15.2V。
輸入12V41A。整體效率超過92%。
看來電路還是有改進的余地。
這時候測量溫度,八顆MOS由于在同一塊散熱片上,溫差并不明顯,均在65—68度。
有個50毫米的12V0.2A小風(fēng)扇吹著。電感就在散熱片后面,溫度55度,估計是被散熱片烤的。電容幾乎沒溫升,都是環(huán)境熱輻射導(dǎo)致電容溫度在33—38度。
距離散熱片近的更熱一些。
主芯片依然是55度沒變化。
一切都向好的方向發(fā)展,看起來很順利的時候通常都會有個坑在等著。
未完待續(xù)
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2020-11-05 17:30
@hylylx
熱淚盈眶前來頂帖,正需要呢
頂帖看直播
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2020-11-05 22:21
@tanb006
新版PCB到,焊接好外圍零件和MOS、電感,加了前后各一個電解,準(zhǔn)備測試波形。如果波形OK,那就裝上所有零件開始加載。一陣忙碌后,上12V,輸出15.2V 1A,各部分波形正常。VGS波形也直上直下,沒有出現(xiàn)米勒平臺。驅(qū)動電阻是5.1歐姆0805??磥砜梢匝b上所有零件了。裝電容,背面加錫,裝散熱片。8顆MOS,兩顆一組并聯(lián),沒用市面上灰白色的那種矽膠片,太厚,0.4mm。用20mm寬的金色高溫膠帶在散熱片上貼一條。膠帶厚度0.1mm。厚度對于熱傳導(dǎo)是很致命的。貼好膠帶,MOS背面略涂一層薄薄的導(dǎo)熱硅脂。能多薄就多薄。涂好放在膠帶上正確的位置,用7字型壓板壓緊每一顆MOS。事實證明這樣的散熱效果是在絕緣的前提下非常理想的了。后期熱成像的圖像顯示溫度和散熱片只相差了5攝氏度。組裝完成后接好電子負載和可調(diào)電源,示波器接好在電感前后和輸出端。上電,輸出OK。慢慢加載,波形如PDF中變化一致。加載到15.2V5A,老化10分鐘,用熱成像觀看有無發(fā)熱異常。通常有故障、或者設(shè)計缺陷的時候,在這樣輕載的時候都會發(fā)現(xiàn)發(fā)熱異常的零件。巡視一圈,一切正常。MOS溫度35度。環(huán)境溫度30度。板子上溫度最高的是主芯片,55度。個人猜想是因為芯片內(nèi)部包含了強大的驅(qū)動電路。驅(qū)動8顆100多A的MOS依然是那么從容。繼續(xù)加載10A---20A---30A。一切正常。30A的時候,電壓依然堅挺在15.2V。輸入12V41A。整體效率超過92%??磥黼娐愤€是有改進的余地。這時候測量溫度,八顆MOS由于在同一塊散熱片上,溫差并不明顯,均在65—68度。有個50毫米的12V0.2A小風(fēng)扇吹著。電感就在散熱片后面,溫度55度,估計是被散熱片烤的。電容幾乎沒溫升,都是環(huán)境熱輻射導(dǎo)致電容溫度在33—38度。距離散熱片近的更熱一些。主芯片依然是55度沒變化。一切都向好的方向發(fā)展,看起來很順利的時候通常都會有個坑在等著。未完待續(xù)
因為這個拓撲是升降壓結(jié)構(gòu),所以看看升壓沒問題,就調(diào)高了輸入電壓,一點點調(diào)。
負載15.2V 電流固定在10A。
輸入在接近14V的時候,輸出電壓抖了一下,電感前后的波形有了變化。
檢測四個臂都有了波形。之前升壓的時候只有兩個臂是有波形的。
證明了主芯片進入了升降壓的混合模式。
繼續(xù)調(diào)高輸入電壓,當(dāng)達到18V時,進入了降壓模式。
帶載10A的情況下,電感波形很干凈,沒有畸變。
繼續(xù)提高輸入電壓,當(dāng)加到25V時出現(xiàn)了異響,電感波形混亂,正要保存波形的時候芯片掛了。
瞬間沒有輸出。輸入沒有短路,電流在10毫安附近。
斷電測量芯片的各個腳對地電阻,沒有發(fā)現(xiàn)短路,再次上電12V,輸出正常。
剛剛的異常情況讓我瞬間懵了,芯片正常,零件正常,25V異響?12V卻正常?
再試一次,大不了再燒幾十塊錢的事。
這次負載調(diào)到1A,輸入限流到2A。
輸入電壓慢慢上升,跟上一次一樣,在14---18V進入混合狀態(tài),18V以后變?yōu)榧兘祲耗J健?br /> 到25V還是吱一聲保護了。
故障了,沒有任何零件損壞,只能有兩個可能:
1. 芯片保護了。
2. 外圍零件有問題。

首先芯片是可以工作在60V的。PDF是這么說的,至少也能在55V工作。
在25V出現(xiàn)問題明顯不是保護。
我的保護電壓范圍也設(shè)置在10—55V,輸入電壓檢測引腳的電壓在范圍內(nèi),并沒有因輸入電壓過高而保護。
所以芯片保護的說法不成立,至少不是過壓保護。
其次第二點,實際測量外圍無損壞零件,這又讓思維陷入怪圈。
反復(fù)閱讀PDF幾個小時后,發(fā)現(xiàn)了一行小字:
在關(guān)于C-SLOPE 的計算公式下面有一句話的說明:
A smaller slope capacitor results in larger slope signal which is better for
noise immunity in the transition region (VIN~VOUT)
翻譯了下,大意是這個斜坡補償電容越大,整個輸入輸出的電壓范圍內(nèi)會越穩(wěn)定,
這只是我的理解,可能并非原意。這個電容計算的是470P,實際安裝的是220P的。
因為220P能還原電感上的電流波形。而470P就失去了波形的尖峰,變成略軟的三角波了。
在220P的時候,各處波形都非常OK。
自以為三角波很正,沒雜波就OK了。沒想到坑在這里。

1
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2020-11-05 22:25
@ymyangyong
頂帖看直播[圖片]

頂帖必回。

碼字真的難啊。只能每天擠一點點了。辛苦版主持續(xù)關(guān)注。

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2020-11-05 22:41
@tanb006
頂帖必回。碼字真的難啊。只能每天擠一點點了。辛苦版主持續(xù)關(guān)注。
頂一個,焊接的實物來一個嘛
0
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2020-11-06 23:18
@tanb006
因為這個拓撲是升降壓結(jié)構(gòu),所以看看升壓沒問題,就調(diào)高了輸入電壓,一點點調(diào)。負載15.2V電流固定在10A。輸入在接近14V的時候,輸出電壓抖了一下,電感前后的波形有了變化。檢測四個臂都有了波形。之前升壓的時候只有兩個臂是有波形的。證明了主芯片進入了升降壓的混合模式。繼續(xù)調(diào)高輸入電壓,當(dāng)達到18V時,進入了降壓模式。帶載10A的情況下,電感波形很干凈,沒有畸變。繼續(xù)提高輸入電壓,當(dāng)加到25V時出現(xiàn)了異響,電感波形混亂,正要保存波形的時候芯片掛了。瞬間沒有輸出。輸入沒有短路,電流在10毫安附近。斷電測量芯片的各個腳對地電阻,沒有發(fā)現(xiàn)短路,再次上電12V,輸出正常。剛剛的異常情況讓我瞬間懵了,芯片正常,零件正常,25V異響?12V卻正常?再試一次,大不了再燒幾十塊錢的事。這次負載調(diào)到1A,輸入限流到2A。輸入電壓慢慢上升,跟上一次一樣,在14---18V進入混合狀態(tài),18V以后變?yōu)榧兘祲耗J?。?5V還是吱一聲保護了。故障了,沒有任何零件損壞,只能有兩個可能:1.芯片保護了。2.外圍零件有問題。首先芯片是可以工作在60V的。PDF是這么說的,至少也能在55V工作。在25V出現(xiàn)問題明顯不是保護。我的保護電壓范圍也設(shè)置在10—55V,輸入電壓檢測引腳的電壓在范圍內(nèi),并沒有因輸入電壓過高而保護。所以芯片保護的說法不成立,至少不是過壓保護。其次第二點,實際測量外圍無損壞零件,這又讓思維陷入怪圈。反復(fù)閱讀PDF幾個小時后,發(fā)現(xiàn)了一行小字:在關(guān)于C-SLOPE的計算公式下面有一句話的說明:Asmallerslopecapacitorresultsinlargerslopesignalwhichisbetterfornoiseimmunityinthetransitionregion(VIN~VOUT)翻譯了下,大意是這個斜坡補償電容越大,整個輸入輸出的電壓范圍內(nèi)會越穩(wěn)定,這只是我的理解,可能并非原意。這個電容計算的是470P,實際安裝的是220P的。因為220P能還原電感上的電流波形。而470P就失去了波形的尖峰,變成略軟的三角波了。在220P的時候,各處波形都非常OK。自以為三角波很正,沒雜波就OK了。沒想到坑在這里。
換上470P的電容,再次測試,果然正常了。
從10—35V輸入都正常,看來是這個電容的問題。
測量C-SLOPE電容上的波形,三角波在小的時候濾的像貓耳朵一樣。
電流30A的時候波形正常了。是個三角形,看的到角。
繼續(xù)加大輸入電壓,38V就異響了,但是沒停機。
估計這個電容還需要加大?以改善輸入輸出的穩(wěn)定性?
看PDF里的公式,這個電容的確和輸入電壓的范圍有關(guān),但計算很復(fù)雜。
這個表格也只能參考。于是秉持自己動手豐衣足食的精神,一點點的改動C-SLOPE。
不斷的加貼39P的電容,最終得到的值是在10---55V輸入范圍內(nèi)正常工作的電容量為680P。
雖然在輕載的時候波形不再是三角波,但無所謂。
看來芯片對電流的檢測是很寬容的。
至此,整個輸入范圍和輸出都能滿足我的要求。
也測試過50A輸出,MOS的溫度達到了85攝氏度。
經(jīng)過細節(jié)的多次改動,整機效率達到了最高94%以上。
效率最低的時候是在最高電壓輸入的時候,52V輸入,15.2V輸出,50A。
效率只有92%以上。
四個臂中,降壓時,輸入的第一組MOS最熱。
這組MOS由電容泵供電驅(qū)動,驅(qū)動VGS電壓是6.5V—7V。
想再通過增加MOS并聯(lián)的方式來提高效率恐怕是行不通的。
主芯片已經(jīng)很累了,驅(qū)動8顆大電流MOS需要很大力氣的。
下一版我打算改為專用芯片+隔離變壓器驅(qū)動,讓主芯片能降低一些溫度,工作會更可靠一些。
輸入和輸出電壓電流都用差分放大后給單片機做個顯示功能。
散熱片用熱管,面板用PCB畫一個打樣,外殼用個淘寶上購買的小型電腦機箱就OK了。
理想很豐滿,現(xiàn)實很骨感。想的太美又掉坑里了。下回再說是什么坑。

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2020-11-06 23:20
@zhiyiyunmeng
頂一個,焊接的實物來一個嘛

原設(shè)計賣了。所以很難貼圖上來。

原因大家都懂得,我會抽空再做一個簡化版的留下來自己用。

后續(xù)會有制作簡化版的實物圖。

鑒于某些原因,上面兩張原理圖也是刪除了很多內(nèi)容的,只保留了基礎(chǔ)功能。

希望能理解。

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2020-11-18 19:26
@tanb006
換上470P的電容,再次測試,果然正常了。從10—35V輸入都正常,看來是這個電容的問題。測量C-SLOPE電容上的波形,三角波在小的時候濾的像貓耳朵一樣。電流30A的時候波形正常了。是個三角形,看的到角。繼續(xù)加大輸入電壓,38V就異響了,但是沒停機。估計這個電容還需要加大?以改善輸入輸出的穩(wěn)定性?看PDF里的公式,這個電容的確和輸入電壓的范圍有關(guān),但計算很復(fù)雜。這個表格也只能參考。于是秉持自己動手豐衣足食的精神,一點點的改動C-SLOPE。不斷的加貼39P的電容,最終得到的值是在10---55V輸入范圍內(nèi)正常工作的電容量為680P。雖然在輕載的時候波形不再是三角波,但無所謂。看來芯片對電流的檢測是很寬容的。至此,整個輸入范圍和輸出都能滿足我的要求。也測試過50A輸出,MOS的溫度達到了85攝氏度。經(jīng)過細節(jié)的多次改動,整機效率達到了最高94%以上。效率最低的時候是在最高電壓輸入的時候,52V輸入,15.2V輸出,50A。效率只有92%以上。四個臂中,降壓時,輸入的第一組MOS最熱。這組MOS由電容泵供電驅(qū)動,驅(qū)動VGS電壓是6.5V—7V。想再通過增加MOS并聯(lián)的方式來提高效率恐怕是行不通的。主芯片已經(jīng)很累了,驅(qū)動8顆大電流MOS需要很大力氣的。下一版我打算改為專用芯片+隔離變壓器驅(qū)動,讓主芯片能降低一些溫度,工作會更可靠一些。輸入和輸出電壓電流都用差分放大后給單片機做個顯示功能。散熱片用熱管,面板用PCB畫一個打樣,外殼用個淘寶上購買的小型電腦機箱就OK了。理想很豐滿,現(xiàn)實很骨感。想的太美又掉坑里了。下回再說是什么坑。
新的PCB到了。
杜絕了前面發(fā)現(xiàn)的那些問題。風(fēng)道和散熱片也有了優(yōu)化。
焊接過程略過,裝機后用電子負載測試OK。
輸出調(diào)為14.8V,然后關(guān)機。在負載上接入一只12V20AH電瓶。
再開機,神奇的事情發(fā)生了,我的輸入可調(diào)電源冒煙了。
30V5A的線性可調(diào)電源。怎么會冒煙?好郁悶。
但很明顯是在我開機瞬間,電源冒煙了。
還好我有四臺3005電源,平時可并可串,應(yīng)用靈活。
節(jié)省時間換一臺再試,瞬間又掛一臺可調(diào)電源。
雖然損失兩臺電源,但問題點就很明顯了,出在板子上。
煩人的板子啊,不管了,先冷靜下,換個事情做作先。
找來一堆很少用到的三極管,把電源修好先。
電源拆開發(fā)現(xiàn)是輸出部分過壓了。
輸出電容掛了,輸出上的其他小零件也掛了幾個,但整個輔助電路和顯示控制部分完好。
換好電容,反復(fù)測試OK,兩臺可調(diào)修復(fù)完畢。一個下午就這樣過去了。
晚上靜下心來想問題的來由:
損壞兩臺電源,肯定是板子出問題了。
一步步反推,接電池之后連損兩塊電源,而之前各種測試都很OK。
問題在電池上?難道不能接容性負載?之前測試都是用電子負載的。
電池、容性負載、為啥電源壞了?被高壓損壞?我的DC-DC產(chǎn)生的高壓???
說出來我自己都不信。疑惑啊,來反推一次原理圖:
當(dāng)輸出接入電池的時候,各MOS都處于關(guān)閉狀態(tài),電感上無電流,輸入處咋會產(chǎn)生高壓?
當(dāng)開始上電的時候會進入軟啟動,脈寬是逐漸打開的,電感中電流并不大。
但是,突然發(fā)現(xiàn)了一個問題:剛開始的時候,由于脈寬逐漸打開,SW2上就沒有多少電壓。
SW2處的電壓是低于電池電壓的。此時Q7Q8打開了,電池的電倒灌進來。。。。。。
然后逆向升壓了。。。升了。。。了。。。
唉,被電池打敗了。

0
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2020-11-19 21:16
@tanb006
新的PCB到了。杜絕了前面發(fā)現(xiàn)的那些問題。風(fēng)道和散熱片也有了優(yōu)化。焊接過程略過,裝機后用電子負載測試OK。輸出調(diào)為14.8V,然后關(guān)機。在負載上接入一只12V20AH電瓶。再開機,神奇的事情發(fā)生了,我的輸入可調(diào)電源冒煙了。30V5A的線性可調(diào)電源。怎么會冒煙?好郁悶。但很明顯是在我開機瞬間,電源冒煙了。還好我有四臺3005電源,平時可并可串,應(yīng)用靈活。節(jié)省時間換一臺再試,瞬間又掛一臺可調(diào)電源。雖然損失兩臺電源,但問題點就很明顯了,出在板子上。煩人的板子啊,不管了,先冷靜下,換個事情做作先。找來一堆很少用到的三極管,把電源修好先。電源拆開發(fā)現(xiàn)是輸出部分過壓了。輸出電容掛了,輸出上的其他小零件也掛了幾個,但整個輔助電路和顯示控制部分完好。換好電容,反復(fù)測試OK,兩臺可調(diào)修復(fù)完畢。一個下午就這樣過去了。晚上靜下心來想問題的來由:損壞兩臺電源,肯定是板子出問題了。一步步反推,接電池之后連損兩塊電源,而之前各種測試都很OK。問題在電池上?難道不能接容性負載?之前測試都是用電子負載的。電池、容性負載、為啥電源壞了?被高壓損壞?我的DC-DC產(chǎn)生的高壓???說出來我自己都不信。疑惑啊,來反推一次原理圖:當(dāng)輸出接入電池的時候,各MOS都處于關(guān)閉狀態(tài),電感上無電流,輸入處咋會產(chǎn)生高壓?當(dāng)開始上電的時候會進入軟啟動,脈寬是逐漸打開的,電感中電流并不大。但是,突然發(fā)現(xiàn)了一個問題:剛開始的時候,由于脈寬逐漸打開,SW2上就沒有多少電壓。SW2處的電壓是低于電池電壓的。此時Q7Q8打開了,電池的電倒灌進來。。。。。。然后逆向升壓了。。。升了。。。了。。。唉,被電池打敗了。
接著有了預(yù)防方案,在輸入端串入一只6A10二極管,掛上示波器看輸入的電壓是怎么變化的。
上電瞬間,的確是反向升壓了,無論輸入電壓是低還是高,都是升壓。
電壓會疊加在輸入電壓上,造成我的可調(diào)電源損壞。
咋辦捏,想想吧,辦法總是有的。
輸出的Q7Q8兩顆MOS更換成二極管,不就一勞永逸了?
嗯,犧牲點效率把。去掉MOS,去掉驅(qū)動電路。
換上60A45V220封裝的肖特基,理論上杜絕了逆向升壓。
實際還得試試才知道。二極管在高溫時候的漏電流還是不小的。
再次試機,非常理想。沒倒灌。電池負載正在充電。
測試的時候,限流電阻用的0.020歐姆,因此輸出電流只有2A多。
輸入電壓可以隨意在10—50V之間調(diào)整。
至此,整個電源調(diào)試完畢,也只能用二極管替換Q7Q8了。
效率下降很多,但升降壓功能是完美實現(xiàn)了。
目前正在畫下一版。恢復(fù)Q7Q8,提高性能,但在初始幾秒的時候會屏蔽掉Q7Q8的驅(qū)動信號。

這樣在初始的幾秒,MOS當(dāng)二極管用,實際上并沒有多少損耗。

主要的作用是防止負載為電池的時候,逆向電流形成升壓,導(dǎo)致輸入部分損壞。

幾秒后,再接通驅(qū)動。當(dāng)然,PCB上也給Q7Q8并了一只60A45V肖特基。
用于防止突然大電流沖擊。MOS的體二極管速度可遠不及肖特基。
這樣處理后就兼顧了效率和安全性。
畫板子好慢,一點點尺寸都需要推擠。大家需要等個把月了。
畫好后再來跟大家分享。到時候公布PCB。

2
回復(fù)
dy-Mkbt3LwQ
LV.1
21
2020-11-26 10:55
@tanb006
接著有了預(yù)防方案,在輸入端串入一只6A10二極管,掛上示波器看輸入的電壓是怎么變化的。上電瞬間,的確是反向升壓了,無論輸入電壓是低還是高,都是升壓。電壓會疊加在輸入電壓上,造成我的可調(diào)電源損壞。咋辦捏,想想吧,辦法總是有的。輸出的Q7Q8兩顆MOS更換成二極管,不就一勞永逸了?嗯,犧牲點效率把。去掉MOS,去掉驅(qū)動電路。換上60A45V220封裝的肖特基,理論上杜絕了逆向升壓。實際還得試試才知道。二極管在高溫時候的漏電流還是不小的。再次試機,非常理想。沒倒灌。電池負載正在充電。測試的時候,限流電阻用的0.020歐姆,因此輸出電流只有2A多。輸入電壓可以隨意在10—50V之間調(diào)整。至此,整個電源調(diào)試完畢,也只能用二極管替換Q7Q8了。效率下降很多,但升降壓功能是完美實現(xiàn)了。目前正在畫下一版。恢復(fù)Q7Q8,提高性能,但在初始幾秒的時候會屏蔽掉Q7Q8的驅(qū)動信號。這樣在初始的幾秒,MOS當(dāng)二極管用,實際上并沒有多少損耗。主要的作用是防止負載為電池的時候,逆向電流形成升壓,導(dǎo)致輸入部分損壞。幾秒后,再接通驅(qū)動。當(dāng)然,PCB上也給Q7Q8并了一只60A45V肖特基。用于防止突然大電流沖擊。MOS的體二極管速度可遠不及肖特基。這樣處理后就兼顧了效率和安全性。畫板子好慢,一點點尺寸都需要推擠。大家需要等個把月了。畫好后再來跟大家分享。到時候公布PCB。
頂一個,非常贊!有個地方?jīng)]看明白  “恢復(fù)Q7Q8,提高性能,但在初始幾秒的時候會屏蔽掉Q7Q8的驅(qū)動信號。

這樣在初始的幾秒,MOS當(dāng)二極管用,實際上并沒有多少損耗。

主要的作用是防止負載為電池的時候,逆向電流形成升壓,導(dǎo)致輸入部分損壞。

幾秒后,再接通驅(qū)動。" 這個怎么實現(xiàn)啊?
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2020-11-26 11:12
@dy-Mkbt3LwQ
頂一個,非常贊!有個地方?jīng)]看明白 “恢復(fù)Q7Q8,提高性能,但在初始幾秒的時候會屏蔽掉Q7Q8的驅(qū)動信號。這樣在初始的幾秒,MOS當(dāng)二極管用,實際上并沒有多少損耗。主要的作用是防止負載為電池的時候,逆向電流形成升壓,導(dǎo)致輸入部分損壞。幾秒后,再接通驅(qū)動。"這個怎么實現(xiàn)???

最簡單的辦法就是用一個三極管、一個穩(wěn)壓二極管、一個電容。

當(dāng)電容上的電壓高于穩(wěn)壓管的時候,擊穿穩(wěn)壓管,三極管導(dǎo)通。

這樣就可以用電容的充電時間來延時。

三極管可以去控制光耦、小型繼電器或者模擬開關(guān)電路。

這樣就可以在一段時間內(nèi)切斷MOS管的驅(qū)動信號。

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Mv_vM
LV.1
23
2021-01-15 14:56

樓主你好,我用LM5176做的 一個輸入8-25V輸出 12V的電源板,板子大小不大,5*7cm,希望功率越大越好,不加散熱器,測試發(fā)現(xiàn)幾個問題:

1.空載功耗都比較大達到了有幾十個毫安,這個是正常的嗎

2.當(dāng)我升高輸入電壓時,電感叫聲越來越大,到18V時,此時空載電壓不能穩(wěn)定到12V(此時輸出12.6V),但是這個狀態(tài)加上負載能工作

3.當(dāng)輸入電壓為19V時,輸出電壓為13.08V,此時電感不叫,功耗此時顯示為0,這個可能是什么原因?qū)е碌哪兀?

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cpu51
LV.5
24
2021-01-15 16:35

用了這個混合模塊,他們做到了0-7000V的電壓調(diào)整,而且是0V起調(diào),說是線性電源,懂的大神科普一下。我準(zhǔn)備買一個,加上觸摸屏,做個0-60V的玩玩。

1
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2021-01-16 08:34
@Mv_vM
樓主你好,我用LM5176做的一個輸入8-25V輸出12V的電源板,板子大小不大,5*7cm,希望功率越大越好,不加散熱器,測試發(fā)現(xiàn)幾個問題:1.空載功耗都比較大達到了有幾十個毫安,這個是正常的嗎2.當(dāng)我升高輸入電壓時,電感叫聲越來越大,到18V時,此時空載電壓不能穩(wěn)定到12V(此時輸出12.6V),但是這個狀態(tài)加上負載能工作3.當(dāng)輸入電壓為19V時,輸出電壓為13.08V,此時電感不叫,功耗此時顯示為0,這個可能是什么原因?qū)е碌哪??[圖片]

第一個問題,空載功耗很正常。芯片空載的時候都有大約50度的溫度,這個是正常的。

第二和第三個問題應(yīng)該是同一個原因,就是芯片工作在升降壓的混合模式了??梢宰屑氄{(diào)整電流采樣的走線,一定要差分形式,和斜坡補償電容來減輕這個情況。

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dy-MVGfwCPY
LV.1
26
2021-03-13 21:33
@tanb006
第一個問題,空載功耗很正常。芯片空載的時候都有大約50度的溫度,這個是正常的。第二和第三個問題應(yīng)該是同一個原因,就是芯片工作在升降壓的混合模式了??梢宰屑氄{(diào)整電流采樣的走線,一定要差分形式,和斜坡補償電容來減輕這個情況。

樓主你好,我在用lm5176設(shè)計buck。

測試中發(fā)現(xiàn)當(dāng)電流過大時,輸出電壓就開始跳動,SW1的占空比直接從30%降到2~3%,波形更像階躍,請問可能是哪里出現(xiàn)問題呢。

0
回復(fù)
dy-h7FhMUkX
LV.1
27
2021-07-08 08:40
@Mv_vM
樓主你好,我用LM5176做的一個輸入8-25V輸出12V的電源板,板子大小不大,5*7cm,希望功率越大越好,不加散熱器,測試發(fā)現(xiàn)幾個問題:1.空載功耗都比較大達到了有幾十個毫安,這個是正常的嗎2.當(dāng)我升高輸入電壓時,電感叫聲越來越大,到18V時,此時空載電壓不能穩(wěn)定到12V(此時輸出12.6V),但是這個狀態(tài)加上負載能工作3.當(dāng)輸入電壓為19V時,輸出電壓為13.08V,此時電感不叫,功耗此時顯示為0,這個可能是什么原因?qū)е碌哪兀縖圖片]

你好!第一個問題空載功耗大 有解決?還是就是正常的。我目前也是輸入24V輸出12V  空載時輸入電流有40MA 這個是正常的?

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dy-h7FhMUkX
LV.1
28
2021-07-08 11:09

版主你好!文章很好。想問一下關(guān)于LM5176的靜態(tài)功耗多少電流算正常。這個靜態(tài)功耗有方法優(yōu)化?謝謝!

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dy-h7FhMUkX
LV.1
29
2021-07-09 11:12
@tanb006
第一個問題,空載功耗很正常。芯片空載的時候都有大約50度的溫度,這個是正常的。第二和第三個問題應(yīng)該是同一個原因,就是芯片工作在升降壓的混合模式了??梢宰屑氄{(diào)整電流采樣的走線,一定要差分形式,和斜坡補償電容來減輕這個情況。

版主你好!文章很好。想問一下關(guān)于LM5176的靜態(tài)功耗多少電流算正常。這個靜態(tài)功耗有方法優(yōu)化?謝謝!

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30
2021-09-15 14:51
@Mv_vM
樓主你好,我用LM5176做的一個輸入8-25V輸出12V的電源板,板子大小不大,5*7cm,希望功率越大越好,不加散熱器,測試發(fā)現(xiàn)幾個問題:1.空載功耗都比較大達到了有幾十個毫安,這個是正常的嗎2.當(dāng)我升高輸入電壓時,電感叫聲越來越大,到18V時,此時空載電壓不能穩(wěn)定到12V(此時輸出12.6V),但是這個狀態(tài)加上負載能工作3.當(dāng)輸入電壓為19V時,輸出電壓為13.08V,此時電感不叫,功耗此時顯示為0,這個可能是什么原因?qū)е碌哪??[圖片]

1.空載幾十個毫安是正常的。

2.如果電感有叫聲,說明環(huán)路還是不穩(wěn)定。這里需要調(diào)整。官方的表格中設(shè)計出的反饋參數(shù)是真實可信的,不同的是你自己實物中,輸出電容的阻抗未必能達到理想值。這個阻抗需要實測,或者邊測試邊調(diào)整。輸出電容的容量和阻抗和環(huán)路有直接關(guān)系,輸入?yún)?shù)錯誤會導(dǎo)致計算出錯誤的反饋零件參數(shù),從而導(dǎo)致環(huán)路自激、嘯叫。

3.功耗為0可能是你的計量設(shè)備出現(xiàn)的誤差。如果是空載,起碼得有50--100毫安的電流。也或許你輸入部分沒有裝共模電感,導(dǎo)致DC-DC的雜波傳到測試設(shè)備,影響了結(jié)果。

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