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BMS控制電池正端和控制負(fù)端各有哪些優(yōu)缺點(diǎn)
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現(xiàn)在還沒有回復(fù)呢,說(shuō)說(shuō)你的想法
ymyangyong
2
2020-11-24 10:51
圖錯(cuò)了吧,控制正端一般用PMOS,控制負(fù)端用NMOS。NMOS內(nèi)阻低、可選型號(hào)多,成本也低一些。
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shenshirong
LV.3
3
2020-11-24 11:46
@ymyangyong
圖錯(cuò)了吧,控制正端一般用PMOS,控制負(fù)端用NMOS。NMOS內(nèi)阻低、可選型號(hào)多,成本也低一些。
TI 這種內(nèi)部有電荷泵驅(qū)動(dòng),直接可接N管,你的思想還停留在遠(yuǎn)古時(shí)期
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ymyangyong
4
2020-11-24 17:10
@shenshirong
TI這種內(nèi)部有電荷泵驅(qū)動(dòng),直接可接N管,你的思想還停留在遠(yuǎn)古時(shí)期
可能是的,剛才沒細(xì)看
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QWE4562009
LV.6
5
2020-11-25 18:31
@ymyangyong
可能是的,剛才沒細(xì)看
版主 有電荷泵的
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QWE4562009
LV.6
6
2020-11-26 08:28
@ymyangyong
圖錯(cuò)了吧,控制正端一般用PMOS,控制負(fù)端用NMOS。NMOS內(nèi)阻低、可選型號(hào)多,成本也低一些。
nmos內(nèi)阻比PMOS內(nèi)阻低 有這個(gè)說(shuō)法嗎 版主
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ymyangyong
7
2020-11-26 09:15
@QWE4562009
nmos內(nèi)阻比PMOS內(nèi)阻低 有這個(gè)說(shuō)法嗎 版主
是的,在電壓電流參數(shù)相近的情況下NMOS內(nèi)阻更低。
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