1.方案介紹
亞成微電子基于CCM/QR反激控制芯片RM6601SN+同步整流芯片RM3410T的高功率密度 65W GaN快充方案,具有體積小、效率高(效率Max >93%)、待機(jī)功耗低(功耗<60mW)、成本低等特點(diǎn),采用專有驅(qū)動(dòng)技術(shù),直驅(qū)E-MODE GaN功率器件,省去外置驅(qū)動(dòng)器件,并通過高度集成的芯片設(shè)計(jì)以及巧妙的結(jié)構(gòu)組合,實(shí)現(xiàn)了精簡的外圍電路和緊湊的PCB布局,有效的提高了產(chǎn)品效率及功率密度(尺寸: 62mm(L)x30mm(W)x23mm(H),功率密度達(dá)到了1.52W/cm³ ),幫助快充電源廠商加速大功率快充量產(chǎn)并節(jié)省物料成本。
2.方案特點(diǎn)
■ 輸出規(guī)格:5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3.25A;■ 效率(Max)>93%,待機(jī)功耗<60mW,滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn),EMI特性優(yōu)良;■ 采用專有驅(qū)動(dòng)技術(shù),直驅(qū)E-MODE GaN功率器件,提高產(chǎn)品效率及功率密度,簡化EMI濾波電路設(shè)計(jì),降低EMI器件成本;■ 支持CCM/QR混合模式;■ 支持最大140KHz工作頻率;■ 內(nèi)置700V高壓啟動(dòng),集成X-CAP放電功能;■ 低啟動(dòng)電流和低工作電流設(shè)計(jì);■ 內(nèi)置特有抖頻技術(shù)改善EMI;■ Burst Mode去噪音;■ 集成斜坡補(bǔ)償及高低壓補(bǔ)償功能;■ 集成AC輸入Brown out/in功能;■ 外置OVP保護(hù),具有輸出肖特基短路保護(hù)/CS短路保護(hù);■ 內(nèi)置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護(hù)。
3.方案原理圖
4.待機(jī)功耗
5.能效測試
6.溫升測試
7.EMI測試
5V/3A(L)1
5V/3A(N)
20V/3A(L)
20V/3A(N)
亞成微電子 QQ:181921417
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