一：pcb布線：

         a: 單點(diǎn)接地，把所有hb6803周邊元件的地先接到hb6803的第7腳，第8腳，再接到最后一個(gè)輸出電容的地上。必須這樣做，也很容易做到。大電流的電源+和地，都必須先經(jīng)過電容的+和地才能給負(fù)載供電，不可以不經(jīng)過電容直接對(duì)負(fù)載供電（等于電容容量下降很多）。

         b: 主回路（大電流走線）越短越好，含電源正和地線。一者走線有內(nèi)阻，大電流會(huì)發(fā)熱。二者走線長，EMC和EMI都不好過關(guān)，相當(dāng)于電路中加入漏感。為了進(jìn)一步減少交流阻抗，可以把輸入的瓷片電容的地，下功率管的地，和輸出瓷片電容的地靠很近，（可以放第二面，和下功率管的反面）。非常有效的減少交流阻抗。

二：mosfet的選擇：不光是考慮內(nèi)阻，主要考慮的是mosfet的開關(guān)損耗，有幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)特別注意：a: tr上升沿時(shí)間。b: toff 下降沿時(shí)間。c: Ciss，Ciss越少越好，單管建議不要超過2500pf為好。Ciss太大，會(huì)讓hb6803發(fā)熱，同時(shí)功率管開通關(guān)斷損耗加大，降低效率，從而增加發(fā)熱。暫時(shí)小功率的aon7544（30V），aon6504（30V），中功率的aon6512（30V），aon6234（40V），IRFHM8334（30V）不錯(cuò)。Aod4186和aod4184也行，（比aon6234差些），60V的管子在繼續(xù)選擇。我強(qiáng)烈建議在100w以及以下的應(yīng)用上，選用好的mosfet，不要用散熱片，降低成本，減少空間。

   三：電感選擇：電感封值電流應(yīng)該是額定負(fù)載時(shí)，輸入最低電壓時(shí)，（12V的鉛酸電池是9V），輸入電流的2倍到2.5倍（可以初步假設(shè)90%的效率，Iin=P/（Vin*0.9））。從實(shí)踐上，可以測(cè)試電感發(fā)熱，溫度是否比mosfet還高判斷。這等于是判斷電感是否磁飽和。我在9V輸入時(shí)，輸出3A-4A，用5uH的電感值，輸出電流越大，電感量要求越少。如果在最低輸入電壓，額定輸出時(shí)，看到sw波形很亂，可以減少電感值。

   四：輸入電容輸出電容。強(qiáng)烈建議輸出電容要大點(diǎn)，輸出電容要是輸入電容的2倍到3倍，輸入輸出電容都用高頻低阻品種，同時(shí)輸入輸出電容再并幾顆瓷片電容，瓷片電容的esr比較低，成本也低，空間也少，我自己的經(jīng)驗(yàn)是不要用大容量的瓷片電容，其高頻效果比較差（但是沒有理論依據(jù)，也許是部分廠家的參數(shù)不好）。

   五：mosfet的G極串聯(lián)電阻，一方面電阻大，會(huì)影響開關(guān)速度，降低效率，電阻少呢，會(huì)比較大影響負(fù)載調(diào)整率，（輸出電流大，會(huì)降低輸出電壓），我的經(jīng)驗(yàn)是下管在1歐到4.7歐。上管是3.3到10歐。上管的snuber的電阻電容網(wǎng)絡(luò)，有2個(gè)作用：a: 降低電感上升過充，下降過充，減少EMC和EMI。b: 會(huì)影響負(fù)載調(diào)整率?？梢杂檬静ㄆ饔^察。

  六：FB（第6腳）的參考值是0.95V。設(shè)計(jì)值是1.0V,實(shí)際值有偏差。不過不影響使用。

 七：補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，看具體應(yīng)用，需要快速響應(yīng)的，就用很少的電容，不需要快速響應(yīng)的，用大點(diǎn)的電容，我自己經(jīng)驗(yàn)都不影響穩(wěn)定（理論上是影響的）。具體在音箱市場(chǎng)，我贊成快速響應(yīng)。