看過(guò)我以前帖子的，應(yīng)該知道，我10年入行，助工開(kāi)始，12年換了工作，做研發(fā)，15年初由研發(fā)轉(zhuǎn)為FAE，這一做就步入了第7個(gè)年頭了

王工發(fā)帖了，好雞凍，我都緊臟了。

哈哈哈，是有好多年了

想深入淺出的講解下開(kāi)關(guān)電源，想讓剛?cè)胄械娜?，也有大致的了解，所以前期可能?huì)說(shuō)的都很簡(jiǎn)單。

打算規(guī)劃更新流程為：

1、反激的工作原理。

2、方案的選型與變壓器設(shè)計(jì)。

3、EMI的整改。

1、反激的工作原理。

1-1、原邊反饋的反激工作原理。

IC方案的升級(jí)，一般以更低的成本，更優(yōu)化性能為前提，所以現(xiàn)在IC的外圍是越來(lái)越簡(jiǎn)單了，以前我們做36W以上都是需要光耦817和431做反饋。原邊反饋一般只做36W以內(nèi)，隨著IC方案的更新升級(jí)，現(xiàn)在也有做80W以內(nèi)的原邊，工作模式由單純的DCM模式，拓展到CCM模式，至于DCM和CCM的區(qū)別，后面講解。目前我在做啟臣微的代理，所以以啟臣微的方案為例子。

原理圖：

1-1-1、電源上電，通過(guò)R5R6給C2充電，達(dá)到IC工作電壓，GATE驅(qū)動(dòng)腳輸出驅(qū)動(dòng)脈沖波形，Q1 MOS管導(dǎo)通，電流流向如下：

形成環(huán)路給變壓器電感充電。因變壓器的同名端反向，此時(shí)次級(jí)是不導(dǎo)通的，能量全部?jī)?chǔ)存再變壓器里，VCC繞組分壓后接4腳（FB腳)，做反饋。這里就要說(shuō)說(shuō)IC的內(nèi)部原理結(jié)構(gòu)

實(shí)際原邊的反饋原理和副邊的反饋原理是一個(gè)道理，F(xiàn)B腳電壓波形和IC的內(nèi)部基準(zhǔn)做比較，輸出一個(gè)可變的直流電壓，再和內(nèi)部的三角波比較，來(lái)決定改變占空比（PWM)或者頻率（PFM），達(dá)到平穩(wěn)輸出電壓的作用。

說(shuō)個(gè)題外話，一般我們都會(huì)給客戶發(fā)IC的規(guī)格書，規(guī)格書你們會(huì)仔細(xì)看下嗎，是否理解里面的參數(shù)所表達(dá)的意義。如果有想了解的，我后面可以解釋下。

1-1-2、因?yàn)榉答伒脑颍琁C驅(qū)動(dòng)關(guān)斷,MOS管也關(guān)斷。次級(jí)二極管導(dǎo)通，變壓器通過(guò)二極管給輸出負(fù)載供電并給輸出電容CE3充電。

1-1-3、然后回到1-1-1步驟。MOS管導(dǎo)通，輸出二極管D11截止，又給變壓器充電，此時(shí)因?yàn)槎O管截止了，輸出通過(guò)輸出電解電容放電來(lái)保證輸出的持續(xù)性，所以實(shí)際次級(jí)供電只工作了一個(gè)周期的一小部分（實(shí)際多大，主要看電源占空比），另一部分的周期由電解放電，所以為什么會(huì)有紋波電壓的原因就在這里，所以需要加大電解容量來(lái)降低紋波。就不要問(wèn)我為什么變壓器和二極管能產(chǎn)生導(dǎo)通和截止，這個(gè)你們要把高中的知識(shí)扔回給老師嗎，高中老師可要哭了。

同行，請(qǐng)問(wèn)在哪家公司高就？

版主也是FAE?有可能還互相知道呢，這個(gè)圈子很小

我也快7年了，現(xiàn)在已經(jīng)是老大叔了

是的

轉(zhuǎn)行做FAE好啊，年紀(jì)大了沒(méi)精力折騰技術(shù)。

原邊反饋用來(lái)設(shè)計(jì)功率不大的電源，精度沒(méi)有光藕反饋的精度高。

王工哪家公司高就，對(duì)國(guó)產(chǎn)電源IC現(xiàn)狀如何看待，未來(lái)空間多大，做FAE需要哪些經(jīng)驗(yàn)，對(duì)個(gè)人成長(zhǎng)和職業(yè)規(guī)劃如何，可否分享下

 注意積累整理，多記筆記，將遇到的問(wèn)題現(xiàn)象和解決思路 驗(yàn)證思路記錄下來(lái)，多總結(jié)。

是的，5%的精度，對(duì)電壓要求高的，不建議，現(xiàn)在很多用來(lái)做櫥柜燈，鏡柜燈的，還是挺多用原邊恒壓的

以前在昂寶的代理做FAE，現(xiàn)在和朋友一起做啟達(dá)和歐創(chuàng)芯的代理。我還是蠻看好國(guó)產(chǎn)IC的，未來(lái)發(fā)展前景很大，想想以前，基本清一色的國(guó)外品牌，ST、NXP、NCP這些，現(xiàn)在基本100W以內(nèi)的反激方案都以國(guó)產(chǎn)為主，性能經(jīng)過(guò)這些年的技術(shù)沉淀，基本都很穩(wěn)定，性價(jià)比很高。加上服務(wù)水平對(duì)比國(guó)外的品牌，好的不是一星半點(diǎn)。以前剛做研發(fā)的時(shí)候，用的都是ST和和NCP的，只有規(guī)格書，其他全靠自己理解和調(diào)試?，F(xiàn)在，很多公司的研發(fā)只要遇到問(wèn)題，直接找FAE了，直接幫調(diào)試好。

如果你是剛?cè)胄校沂墙ㄗh先去工廠做2-4年的研發(fā)，如果再工廠做研發(fā)做的好，受到老板的賞識(shí)，那我就建議一直做研發(fā)就好了。這個(gè)不是騙你的意思，如果只是想做FAE，就真沒(méi)必要做FAE了。

現(xiàn)在的IC  FAE挺累的，不管是原廠的還是代理的，每天忙不完的案子，調(diào)不完的機(jī)，上升渠道很小，大的IC原廠就那么幾家，能讓你升職的空間不多，代理呢，F(xiàn)AE職位又比較少，一般一個(gè)代理也就1-2個(gè)FAE。因?yàn)閷?duì)代理來(lái)說(shuō)，銷售團(tuán)隊(duì)才是最重要的。

大哥厲害了?。?/p>

工作原理說(shuō)完了，下面我們說(shuō)說(shuō)參數(shù)設(shè)計(jì)和變壓器設(shè)計(jì)，也是按這個(gè)原理圖來(lái)選型吧。上面原理圖的參數(shù)根據(jù)輸出功率來(lái)改變，CR6234這個(gè)IC我調(diào)過(guò)，MOS管驅(qū)動(dòng)能力不夠，如果是驅(qū)動(dòng)平面MOS，最大只能驅(qū)動(dòng)7A65的MOS，這個(gè)就限制了電源的功率。正常7A的MOS加散熱片的話，功率在36W左右（不排除有些用來(lái)做60W，實(shí)際看扇熱情況）。如果是驅(qū)動(dòng)COOLMOS，最大可以驅(qū)動(dòng)550MR左右，也就是12A左右的COOLMOS，這樣，功率就大很多了，可以做60W左右，那為什么只能驅(qū)動(dòng)7A的平面MOS卻能驅(qū)動(dòng)12A的COOLMOS？因?yàn)镃OOLMOS需要的驅(qū)動(dòng)能力會(huì)小點(diǎn)。

順便說(shuō)個(gè)小知識(shí)，COOLMOS的命名規(guī)則，耐壓+內(nèi)阻，基本每家的COOLMOS的都遵循了這個(gè)命名。比如說(shuō)安海的COOLMOS,ASA65R550E      實(shí)際就是650V 550MR的內(nèi)阻，ASA65R350E  ：650V350MR的內(nèi)阻，ASA80R290E:800V290MR的內(nèi)阻，最近剛好有個(gè)單管正激  48V200W的項(xiàng)目上用到（磁吸電源）

看到內(nèi)阻就大約是知道是多少A的MOS了，這平常需要看一些規(guī)格書的時(shí)候，要讓自己記下來(lái)，比如  2A650V的內(nèi)阻大約在4R左右，4A650V的內(nèi)阻在2R左右，7A650V的MOS，內(nèi)阻再1.2R左右。這些參數(shù)對(duì)于研發(fā)來(lái)說(shuō)都是需要記憶的，因?yàn)榫г叫。瑑?nèi)阻就越大，所以你知道為什么同樣是4A/7A的MOS，但是價(jià)格還是有差吧，你可能認(rèn)為是品牌決定，其實(shí)品牌只是占一小部分，這個(gè)差價(jià)大多來(lái)源于MOS的晶元和框架。為什么有些牌子的4A的MOS會(huì)價(jià)格低點(diǎn)，你剪開(kāi)MOS就知道價(jià)格差在哪了。當(dāng)你記得這些內(nèi)阻參數(shù)，誰(shuí)想忽悠你都比較難

有點(diǎn)扯遠(yuǎn)了，回到驅(qū)動(dòng)能力的問(wèn)題，以前老IC的驅(qū)動(dòng)能力會(huì)在規(guī)格書里標(biāo)注，現(xiàn)在的IC規(guī)格書已經(jīng)慢慢不標(biāo)注這個(gè)參數(shù)了，但是我們可以從驅(qū)動(dòng)波形來(lái)看驅(qū)動(dòng)能力，之前推廣啟達(dá)的IC時(shí)，剛好測(cè)試了CR6234的驅(qū)動(dòng)波形，所以留有波形

可以看到驅(qū)動(dòng)10N65的平面MOS時(shí)，驅(qū)動(dòng)的上升沿明顯拉長(zhǎng)了，而且驅(qū)動(dòng)波形已經(jīng)畸變的很嚴(yán)重了，這個(gè)導(dǎo)致MOS開(kāi)關(guān)損耗很大，效率低,MOS管發(fā)熱嚴(yán)重。平常我們整改輻射時(shí)，比較難整30M-80M位置時(shí)，改大驅(qū)動(dòng)電阻是有效果，但是還是需要注意下驅(qū)動(dòng)波形，如果改的太大，驅(qū)動(dòng)的上升沿太長(zhǎng)，輻射是過(guò)了，但是MOS管發(fā)熱嚴(yán)重，導(dǎo)致電源工作不穩(wěn)定，并有可能有炸機(jī)的風(fēng)險(xiǎn)，那就得不償失了。一般上升沿 1-1.2US為宜，如果還整不過(guò)，就建議改其他位置了，畢竟，改變壓器繞法不香嗎。

王工，我司需要電源芯片，是否有合適的渠道幫忙推薦

有的，我就是做IC代理的，具體什么方案，可以私聊

我是來(lái)跟大家學(xué)習(xí)的！

王總好 我是做Xray檢測(cè)設(shè)備的 能和您合作嗎

這樣的驅(qū)動(dòng)波形還有多大的應(yīng)用意義呢

樓主  可以細(xì)講講變壓器的參數(shù)設(shè)計(jì)選型嗎。因?yàn)槲乙驗(yàn)楣ぷ鞯脑蛴械臅r(shí)候需要用到變壓器這塊，但對(duì)于變壓器這塊我只關(guān)心輸入的電壓輸入頻率，和變壓比，但實(shí)際做出來(lái)的，副邊輸出電壓比計(jì)算值小很多。

在輻射能過(guò)的情況下，是不是上升沿越短越好呢

150w適配器有什么好方案沒(méi)