反激式開(kāi)關(guān)芯片滿載情況下實(shí)現(xiàn)95%的效率，更具可靠性的應(yīng)用.

小功率電源雖然體積小，但由于功率大電流大，散熱要處理好。

100W電路的恒功率輸出特性非常適合于QC3.0的快充設(shè)計(jì)

選擇超薄的eSOP-R16B封裝，可以設(shè)計(jì)體積更小的快充充電器。

電壓和電流均在次級(jí)側(cè)進(jìn)行控制，恒壓恒流精度達(dá)±3%.

次級(jí)側(cè)同步整流MOSFET進(jìn)行精確控制以及對(duì)初級(jí)側(cè)集成高壓開(kāi)關(guān)進(jìn)行準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)從而在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)維持高效率

同步整流驅(qū)動(dòng)器總功率可以到35W，效率在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)大于90%。

效率在整個(gè)負(fù)載范圍高空載功耗小于30mW,同時(shí)電路集成多種保護(hù)功能。

同步整流的MOSFET的體二極管恢復(fù)速度很慢，通常大約為 1μs。

它不適宜作為整流管,如果是電網(wǎng)整流二極管用超快恢復(fù)二極管也不是好主意

USB PD快充充電器的體積屬于比較小巧的一類，功率密度相對(duì)較高。

USB-C口不僅支持QC3.0快充，還支持USB PD3.0，PPS快充協(xié)議，

使用了同步整流MOSFET，負(fù)載電流的變化都不會(huì)影響輸出效率。

現(xiàn)在采用超薄的eSOP-R16B封裝可以設(shè)計(jì)體積更小的快充充電器。

INN3168C集成的同步整流功能有效提高整個(gè)適配器效率。功耗降低，發(fā)熱降低，產(chǎn)品更具有競(jìng)爭(zhēng)力。

INN3168C在滿足大功率手機(jī)充電器等其它電源的設(shè)計(jì)要求

具有內(nèi)置的同步整流(SR)驅(qū)動(dòng)器使用低成本的低壓MOSFET進(jìn)行同步整流可提高系統(tǒng)效率。

新貼片安裝方式在無(wú)外加散熱片的情況下最大設(shè)計(jì)功率可達(dá)65W。

新功能技術(shù)可在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)始終保持高效率，損耗也比較小。

采用InSOP-24D封裝體積更小，散熱性能更好，可以提供更大的輸出功率。

快充電源的設(shè)計(jì)一般質(zhì)量都很不錯(cuò)的，保證大電流充電時(shí)的溫度下正常運(yùn)行。

處于VOUT和次級(jí)接地引腳之間的外部電阻分壓器網(wǎng)絡(luò)的中點(diǎn)連接至反饋引腳，以調(diào)整輸出電壓

當(dāng)接入電源時(shí)，電感的初期作用，是抑制電流變化，等于是將加在二極管上的反向電壓前期削弱

峰值初級(jí)電流可以通過(guò)變壓器的圈數(shù)比及輸出電感中的紋波電流計(jì)算出來(lái)

在整流橋?qū)ǖ倪x通脈沖期間，峰值檢波器測(cè)量最大信號(hào)的幅值

當(dāng)功率MOSFET導(dǎo)通時(shí)，器件利用儲(chǔ)存在初級(jí)旁路引腳電容內(nèi)的能量工作

通過(guò)改變?nèi)?shù)比、偏置電容的大小及主輸出最小負(fù)載的方法可以對(duì)偏置電壓進(jìn)行調(diào)整

較低的電流限流值使開(kāi)關(guān)頻率保持在音頻范圍之上， 降低變壓器的磁通密度從而減輕了音頻噪音

與過(guò)壓保護(hù)穩(wěn)壓管串聯(lián)在一起的電阻同樣可以控制流入旁路引腳的最大電流

電容產(chǎn)生的電流尖峰及次級(jí)端整流器的反向恢復(fù)時(shí)間不會(huì)引起開(kāi)關(guān)脈沖的提前誤關(guān)斷