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LinkSwitch-HP產(chǎn)品疑問

LinkSwitch-HP產(chǎn)品系列時，產(chǎn)生了幾個疑問：

產(chǎn)品在簡化電源設計時，社區(qū)了光耦和次級控制電路，這使得電路簡單，經(jīng)濟；并且指出在230VAc輸入時空載功耗低于30mW（LNK67xx）；于是疑問：

1、空載待機損耗指的是電源在接通市電220VAc，且不連接任何耗電設備時，電源內部元器件、線路產(chǎn)生的熱損耗。規(guī)范中最為嚴格的要求空載待機功耗不得大于2W，因此芯片能做到輸入功率低于30mW是怎么計算的？是否包含RCD鉗位的損耗，前級側電路損耗的忽略是不是也不好？

2、圖中給出了適配器原理圖，該圖輸入側無壓敏、NTC、Y電容等保護器件，是不是可以理解為為了簡化電路刻意為之，實際性能是否做過測試，132kHz的高開關頻率，EMI僅是通過布線實現(xiàn)嗎？

3、過壓保護是通過檢測反饋引腳的電壓來確定輸入電壓是否過壓，那輸入過壓和輸出過壓保護怎么界定？

4、裸焊盤的絕緣如何處理？

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2021-11-19 17:15

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2021-11-19 17:15

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2021-11-19 20:52

這個30mW應該是芯片的待機功耗吧，整機功耗很難做到這么小，NTC和壓敏這些應該是刻意省掉的，畢竟輸入過壓多是壓敏保護

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2021-11-25 15:22

在可能的情況下，應在各PCB層上復制裸露焊盤，這將為所有接地提供較厚的散熱連接，從而快速散熱，對于高功耗器件尤其重要。在電氣方面，這將為所有接地層提供良好的等電位連接。在底層上復制裸露焊盤時，它可以用作去耦接地點和安裝散熱器的地方。

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fengxbj
LV.8
6
2021-11-25 15:38

30mW的待機功耗是肯定全部電路的功耗的。不過功率小于2.5W的時候是可以省掉鉗位元件，降低成本。

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fengxbj
LV.8
7
2021-11-25 15:39
@henchsuen1984
[圖片]

不同的封裝模式，電源的支持功率不同，散熱工藝也有差異的。

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阿飛啊
LV.6
8
2021-11-25 16:50

反激式電源IC在一個封裝中集成了初級側穩(wěn)壓(PSR)控制器和高壓功率MOSFET。

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Marcia
LV.6
9
2021-11-25 17:54

看了一下  這幾個問題 需要專業(yè)的大神來回答，坐等答案

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小燕紙
LV.5
10
2021-11-25 22:39

空載待機功耗的輸入功率低于30mW真的是很小了

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20年前
LV.7
11
2021-11-26 10:47

絕緣問題灌膠就好啦

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ehi763
LV.6
12
2022-01-11 20:03
@小燕紙
空載待機功耗的輸入功率低于30mW真的是很小了

LNK67xx還具有±5% 或更好的輸出電壓容差，不同的封裝不同的最大輸出功率。

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spowergg
LV.10
13
2022-01-11 20:38
@fengxbj
30mW的待機功耗是肯定全部電路的功耗的。不過功率小于2.5W的時候是可以省掉鉗位元件，降低成本。

芯片在過載故障期間，自動重啟將電力輸送限制為 3%，保護電路。

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ehi763
LV.6
14
2022-02-10 22:14
@fengxbj
不同的封裝模式，電源的支持功率不同，散熱工藝也有差異的。

esop-12b封裝的熱量是通過PCB來散熱的，輸出功率最小，另外兩個封裝是用金屬散熱，散熱效果比較好。

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tabing_dt
LV.10
15
2022-07-03 20:30

如果CCM強制連續(xù)導通模式使電感電流工作在連續(xù)導通模式，因此輸出紋波會比較較小。

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2022-07-03 20:42
@tabing_dt
如果CCM強制連續(xù)導通模式使電感電流工作在連續(xù)導通模式，因此輸出紋波會比較較小。

因為工作頻率是固定的，所以在輕載狀態(tài)下，芯片內部的損耗占比過大，導致輕載時的效率過低。

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2022-07-03 20:43
@ehi763
esop-12b封裝的熱量是通過PCB來散熱的，輸出功率最小，另外兩個封裝是用金屬散熱，散熱效果比較好。

金屬散熱的話輸出功率肯定能設計出更大功率的電源，但是體積大，成本高。

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2023-02-20 15:42
@小燕紙
空載待機功耗的輸入功率低于30mW真的是很小了

電源的空載功耗還是比較小的了，裸焊盤的絕緣處理可以物理隔離。

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