DER-889Q利用功率集成的INN3996CQ描述了30-1200VDC輸入，12V/1.25A電源

變壓器一次側(cè)一端連至直流母線，另一端至高壓MOSFET（Q1），MOSFET是連接至INN3996CQ IC（U1），內(nèi)部集成功率MOSFET，有效漏源額定電壓為1700 VPK。高壓陶瓷電容器C1和C2用于傳感器去耦電容，D1、D3、R4、R1、R2和C3組成低成本RCD鉗位，由于變壓器漏感的影響，在1200 VDC輸入下，電壓約為1460 V。電容C7/Y電容器，用于衰減高頻公共信號噪聲。IC是自啟動的，使用內(nèi)部高壓電流源為BPP充電。反激繞組使用二極管D2以及電容器C4進行整流和濾波，齊納二極管VR1和VR2將最大漏極-源極電壓鉗制在800V一下，VR3確保Q1的最大柵極源電壓不超過15 V。

INN3996CQ 二次側(cè)提供輸出電壓、輸出電流驅(qū)動同步整流MOSFET。12V輸出的輸出整流由SR FET Q2和Q3提供。低ESR電容器C11、C12、C13、C16、C17和輸出電感器L1提供濾波。RC緩沖器由用于Q2和Q3的R9、R10和C8組成的網(wǎng)絡(luò)可抑制整個網(wǎng)絡(luò)的高頻振鈴，Q2和Q3的門級通過R8和IC的FWD引腳檢測繞組電壓。

在連續(xù)傳導模式操作中，功率MOSFET在二次側(cè)控制器一個新的控制切換周期命令之前關(guān)閉。在不連續(xù)模式下，當MOSFET上的壓降低于GND時，MOSFET關(guān)閉。一次側(cè)MOSFET的二次側(cè)控制確保其永不開啟，同時采用同步整流MOSFET。

二次側(cè)控制確保它永遠不會與同步整流一次側(cè)MOSFET的同時開啟。MOSFET驅(qū)動信號在SR引腳上輸出。IC的二次側(cè)由二次繞組正向電壓或輸出電壓自供電。輸出電壓為設(shè)備供電，饋入VO引腳。