這是對(duì)稱半橋諧振,占空比相等

因?yàn)閯倓傞_(kāi)始接觸,對(duì)有些概念有點(diǎn)模糊.對(duì)如上圖和諧振腔一端位于兩個(gè)MOS中間,另一端位于兩個(gè)電解電容中間的這兩種半橋,叫法上有什么區(qū)別?還有各自有什么優(yōu)缺點(diǎn)呢?

對(duì)稱半橋與不對(duì)稱半橋是指兩個(gè)占空比是否對(duì),各自的優(yōu)缺點(diǎn)本人水平有限,還是讓高手來(lái)說(shuō)

用6599控制的話肯定是對(duì)稱,如果不考慮死區(qū)時(shí)間,占空比D1=D2=0.5

大家有沒(méi)有用過(guò)duty不是相等的呢?就是說(shuō)不是變頻的,而是定頻的用于半橋的,但是duty可以打不同的.請(qǐng)高手幫忙推薦一款I(lǐng)C.

這兩種結(jié)構(gòu)本質(zhì)是一樣的,多一個(gè)電容可以減少流過(guò)每個(gè)高壓電容的RMS值,還可以減少電容上的通態(tài)損耗.

這是常見(jiàn)於音頻功放的「單端推挽」半橋結(jié)杓,如果是諧振,也該是「負(fù)載諧振」吧?

不知道別亂說(shuō).
接兩個(gè)電容的方式叫電容分壓方式,必須另外再加一個(gè)諧振電容.分壓電容不是諧振電容,對(duì)諧振頻率沒(méi)有影響,是為了解決高壓應(yīng)用場(chǎng)合下的電容耐壓?jiǎn)栴}而派生出的電路.

LLC或SRC是可以用兩個(gè)小容量CBB串聯(lián)后并在大電解兩端作為諧振電容的

貽笑大方!

haibin是對(duì)的,做過(guò)了才有發(fā)言權(quán)啊,不要誤導(dǎo)人家了,luan3703

單端推挽的供電是脈動(dòng)輸出的,半橋架構(gòu)的兩個(gè)電容交替充放,電源不單輸出穩(wěn)定,且可利用電容兼作高頻旁路,使EMI外泄減少.

理論上,, 半橋架構(gòu) 應(yīng)該是可使電源輸出 比單端推挽模式平穩(wěn)得多的,, 這用中學(xué)學(xué)科基本理論已可解釋.

你說(shuō)的不管是接一個(gè)電容還是兩個(gè)電容,如果都是用6599控制的話多半會(huì)是對(duì)稱半橋的,對(duì)稱半橋TON1=TON2,不對(duì)稱半橋TON1=T-TON2,只是由控制方試來(lái)決定的!兩個(gè)電容應(yīng)該是可以提高較輕載時(shí)的整機(jī)效率!

不對(duì)稱半橋的方案很多,現(xiàn)在聽(tīng)說(shuō)ST推出了專門的AHB的控制芯片,好像是L6591.

首先L6599做的是LLC架構(gòu)(漏電感,主電感及諧振電容)是對(duì)稱半橋,因?yàn)閮蓚€(gè)MOS開(kāi)關(guān)的占空比忽略死區(qū)都約0.5,電路的控制方式是PFM控制方式,重載的時(shí)候頻率低,輕載的時(shí)候頻率高,而不對(duì)稱半橋是ZVS方式,兩個(gè)MOS開(kāi)關(guān)的占空比一個(gè)為D,則另一個(gè)為1-D,電路的控制方式是PWM控制方式,兩種架構(gòu)各有其優(yōu)缺點(diǎn),LLC架構(gòu)控制IC價(jià)格稍貴,電路副邊同步整流不容易,由于是變頻控制可能會(huì)對(duì)其他電路造成干擾,但它掉電維持時(shí)間長(zhǎng),副邊的整流管需求耐壓低,不需后面儲(chǔ)能電感,效率高M(jìn)OS開(kāi)關(guān)和整流管的散熱片都可以做的很小,而不對(duì)稱半橋由于其占空比是互補(bǔ)的所以變壓器原邊可能會(huì)出現(xiàn)偏磁,由于兩個(gè)占空比不一樣所以需要一個(gè)小的儲(chǔ)能電感,掉電維持時(shí)間短,副邊的整流管是硬開(kāi)關(guān)而且需求耐壓高,所以副邊整流管損耗大效率低,電路需要箝位元件,但由于它是PWM控制方式,所以副邊很容易用MOSFET做同步整流,電路的實(shí)現(xiàn)可以用UC38XX擴(kuò)展為兩路驅(qū)動(dòng)即可,當(dāng)然也可以用ST的L6591

高手解答,就是不一樣,頂
  但如今半橋應(yīng)用很少,一般用橋式多,

不同意樓上說(shuō)的.現(xiàn)在我見(jiàn)過(guò)很多200W-1000W多半用半橋

那全橋諧振ZVS中LC應(yīng)該怎么選擇呢,就以串聯(lián)諧振考慮
除了諧振[頻率還應(yīng)該考慮什么嗎

“全橋諧振”和“全橋準(zhǔn)方波”還是不同的,起碼調(diào)制方法不一樣

因?yàn)榭梢酝ㄟ^(guò)移相、輔助開(kāi)關(guān)管等方法實(shí)現(xiàn)所有MOS準(zhǔn)方波軟開(kāi)通,全橋一般不用完全諧振

半橋用完全諧振比較多,尤其是MOS實(shí)現(xiàn)ZVS或IGBT實(shí)現(xiàn)ZCS

在看全橋電路中涉及到了開(kāi)關(guān)管的ZVS
就是請(qǐng)問(wèn)LC的條件有什么限制呢
除了一般所說(shuō)的諧振頻率,那特征阻抗怎么確定(以滿載為考慮對(duì)象)

像6599做成普通半橋方式行嗎(不用LLC方式做)?雙電容方式!

我用過(guò)全橋諧振,不知道半橋怎么用?

那又何必呢?優(yōu)點(diǎn)反應(yīng)不出來(lái),倒變得有點(diǎn)利用了缺點(diǎn)了

hehe

...

你好!請(qǐng)問(wèn)你一下,半橋諧振電路為PFM控制,那為什么輕載時(shí)頻率高,而重載時(shí)工作頻率又降低了呢?能否給個(gè)詳細(xì)的解釋?謝謝!

我也想知道

輕載時(shí)可能是電感量小