對于電源芯片的熱處理問題通過采用在芯片的底部加散熱硅脂來解決。這個使比較普遍的做法。

一般情況下這種做法是有效果的，但是很多情況下該做法不能取得很好效果，還是會出現(xiàn)芯片溫度過高問題。

InnoSwitch3采用了多種最新技術(shù)，使得設(shè)計者可以在任意輸入電壓和負(fù)載條件下輕松取得很高的的效率。

電源效率的提升，就是無散熱片設(shè)計的秘密，其僅從散熱方面考慮的體積可以降低70%。

InnoSwitch通過減小損耗，提高效率，這樣可以不用外加散熱片的情況下可以做到65W的功率。

芯片通過加銅箔，既能傳導(dǎo)熱能，又可以減少傳導(dǎo)和輻射的干擾。

InnoSwitch芯片集成度高，可以省去多個散熱片，一個導(dǎo)熱片可以覆蓋所有熱源，減小產(chǎn)品的體積。

這個系列的IC散熱還是比較好處理，散熱片與芯片散熱的熱阻盡可能要小，處理好接觸。

與其他產(chǎn)品相比，InnoSwitch還有極低的空載功耗和非常高的待機(jī)效率。

InnoSwitch3在同步整流時序更精準(zhǔn)的控制和QR(準(zhǔn)諧振)模式的增加，也可以使效率提升。

一般的IC主要散熱是靠PCB鋪銅面積，如果溫度降額不夠，可采用外加散熱器，這樣會增加體積。

新的控制方式讓產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了極快速的動態(tài)響應(yīng)和較低的輸出紋波。

一個是加散熱片，將MOS固定在散熱塊上，或者貼散熱硅脂。加大MOS貼片的鋪銅面積，也可以很好的改善散熱。

可以增加散熱片，增加不同的大小的散熱片對散熱效果不一樣！

這個IC同時集成了過壓、過流、過功率等多種保護(hù)模式，完善了產(chǎn)品的安全特性。

對于大功率的電源設(shè)計散熱很重要，尤其需要降低芯片與散熱片的熱阻，提升散熱效率。

在多大功率下才需要加風(fēng)扇？

通過使用導(dǎo)熱片的直接散熱方法可以有效將芯片產(chǎn)生的熱量直接帶走

封裝尺寸大的話，散熱較容易可以看實(shí)際情況進(jìn)行處理

不同材料的導(dǎo)熱系數(shù)差異很大，空氣的導(dǎo)熱系數(shù)非常小

對于導(dǎo)熱硅脂的選擇，這個導(dǎo)熱系數(shù)有啥明確要求？

這款芯片的熱效率曲線是什么樣子的

使用軟開關(guān)技術(shù)使開關(guān)管在零電壓、零電流時進(jìn)行開關(guān)轉(zhuǎn)換可以有效地抑制電磁干擾

原邊MOS管關(guān)斷時，諧振電流并沒有減小到和勵磁電流相等，實(shí)現(xiàn)副邊整流二極管軟關(guān)斷

滿載效率和靜態(tài)功耗影響不大，相對輸出電壓高效率會高不少

根據(jù)變壓器原邊電流是否減小到零，可以將單端反激式開關(guān)電源分為斷續(xù)和連續(xù)兩種工作模式

電容產(chǎn)生的電流尖峰及次級端整流器的反向恢復(fù)時間不會引起開關(guān)脈沖的提前誤關(guān)斷

處于VOUT和次級接地引腳之間的外部電阻分壓器網(wǎng)絡(luò)的中點(diǎn)連接至反饋引腳，以調(diào)整輸出電壓

反向恢復(fù)時間長的二極管，反向電流過沖就大，反映到原邊，就是電壓過沖了

降低自動重啟占空比和頻率可以增強(qiáng)在開環(huán)故障、短路或電壓失調(diào)狀況下對電源和負(fù)載的保護(hù)能力