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自己頂下!

可以啊,不過一般是在前面放大電解,后面放CBB

可以給些較詳細(xì)的理由嗎,有什么理論依據(jù)沒有?

沒什么原因,主要是考慮電容的感抗,你用的是三相電,可以不放電解,放個(gè)幾十微法的CBB也可的

你所提到的支撐電容如果在電路中的用來濾波和儲(chǔ)能,那么選用的概念應(yīng)該是電解電容或者現(xiàn)在論壇上探討比較多的大容量的膜電容.
如果是這樣,再去看它的位置,應(yīng)該適當(dāng)遠(yuǎn)離IGBT,而不是靠近IGBT.
為什么呢?
IGBT開關(guān)的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生尖峰的脈沖對(duì)所在電路產(chǎn)生沖擊,這個(gè)大家都知道,而這個(gè)沖擊呢又可以分解為高中低三個(gè)分量.
高頻高壓的無感吸收電容用于吸收高頻的突波分量,要求dv/dt要大,在很短的時(shí)間內(nèi)能夠完成吸收的工作.
中頻的分量一般可以在你所提到的IGBT中間加入一個(gè)稍微大容量但不需太高頻率的電容來做進(jìn)一步的吸收.當(dāng)然視情況而定也可不加.
低頻的分量基本上已經(jīng)不是太受影響,這個(gè)時(shí)候膜電容可以吸收來自后端電路過來的沖擊.如果是使用電解因?yàn)殡娊馐怯袠O性的需要在它的兩端再并上一個(gè)無感的電容來做吸收.