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請(qǐng)問什么情況下,IGBT的驅(qū)動(dòng)需要負(fù)壓電源?zt

在HCPL316J 的手冊(cè)中,部分圖中有負(fù)壓電源,目的使讓IGBT可靠關(guān)斷嗎?這樣做必要性大不大?很多IGBT不都是單電源驅(qū)動(dòng)嗎?用于驅(qū)動(dòng)1200V、25A的PIM,HCPL3120是否合適?

謝謝.

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2005-03-19 11:09
總得來(lái)說(shuō),IGBT關(guān)斷時(shí)用-10V左右的電壓較好!!
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ihmdove
LV.5
3
2005-03-19 15:13
tlp251(sop)驅(qū)動(dòng)1200V、25A的PIM,HCPL3120應(yīng)該也可以
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lancefeng
LV.4
4
2005-03-19 15:52
IGBT的輸入實(shí)際上是MOSFET,關(guān)斷沒有必要加負(fù)壓.
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2005-03-19 20:47
@lancefeng
IGBT的輸入實(shí)際上是MOSFET,關(guān)斷沒有必要加負(fù)壓.
IGBT加負(fù)壓可以提高抗干擾能力.
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debugwd
LV.5
6
2005-03-19 22:11
@江湖電源
IGBT加負(fù)壓可以提高抗干擾能力.
謝謝指教!再請(qǐng)教一下,制動(dòng)電阻應(yīng)該如何接?
圖中接法是否恰當(dāng)?如果是純電阻負(fù)載,制動(dòng)回路的二極管可不可以省掉,或用較小額定電流的快恢復(fù)整流管?

謝謝

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/27/1111241359.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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debugwd
LV.5
7
2005-03-19 22:20
另外,HCPL316J 這個(gè)圖中 -5V 電源的符號(hào)是否反了?
應(yīng)該是+在下,-在上.昨天看了很久很困惑.
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debugwd
LV.5
8
2005-03-20 20:45
@debugwd
另外,HCPL316J這個(gè)圖中-5V電源的符號(hào)是否反了?應(yīng)該是+在下,-在上.昨天看了很久很困惑.
繼續(xù)請(qǐng)教.
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tiger武
LV.6
9
2005-03-20 22:13
@江湖電源
IGBT加負(fù)壓可以提高抗干擾能力.
比較同意!
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wydian
LV.4
10
2005-03-21 09:13
@debugwd
繼續(xù)請(qǐng)教.
一定要用負(fù)電壓,在管子關(guān)斷的時(shí)候要用負(fù)的電壓,因?yàn)槿绻昧汶妷耗窃谄渌茏娱_關(guān)變化時(shí)候產(chǎn)生很大的du/dt 使關(guān)斷的管子產(chǎn)生誤導(dǎo)通,燒毀管子
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debugwd
LV.5
11
2005-03-24 14:47
@wydian
一定要用負(fù)電壓,在管子關(guān)斷的時(shí)候要用負(fù)的電壓,因?yàn)槿绻昧汶妷耗窃谄渌茏娱_關(guān)變化時(shí)候產(chǎn)生很大的du/dt使關(guān)斷的管子產(chǎn)生誤導(dǎo)通,燒毀管子
謝謝wydian的回答.

不贊成一定要用負(fù)壓,因?yàn)楹芏郔PM的驅(qū)動(dòng)就是只采用正壓.
問題是什么時(shí)候需要用負(fù)壓,有沒有定性的參考、比如多大功率等級(jí)以上的IGBT驅(qū)動(dòng)應(yīng)該用負(fù)壓.

繼續(xù)請(qǐng)教.
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wydian
LV.4
12
2005-03-24 14:58
@debugwd
謝謝wydian的回答.不贊成一定要用負(fù)壓,因?yàn)楹芏郔PM的驅(qū)動(dòng)就是只采用正壓.問題是什么時(shí)候需要用負(fù)壓,有沒有定性的參考、比如多大功率等級(jí)以上的IGBT驅(qū)動(dòng)應(yīng)該用負(fù)壓.繼續(xù)請(qǐng)教.
我做的大功率的都用負(fù)壓,一般IGBT都用負(fù)壓,IPM里面應(yīng)該做相應(yīng)的處理.
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debugwd
LV.5
13
2005-03-26 14:38
@wydian
我做的大功率的都用負(fù)壓,一般IGBT都用負(fù)壓,IPM里面應(yīng)該做相應(yīng)的處理.
wydian您好

你做的產(chǎn)品功率一般多大?
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wydian
LV.4
14
2005-03-26 18:59
@debugwd
wydian您好你做的產(chǎn)品功率一般多大?
60KVA 吧
用的igbt是1700V 200A 的
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xlg324
LV.3
15
2005-03-28 10:29
我覺得這個(gè)主要作用是兩個(gè)~一是防止誤導(dǎo)通,二是加速關(guān)斷.前一個(gè)主要是因?yàn)橐话愕腎GBT的開啟電壓比較低,大概只有2.5~3V,而現(xiàn)在新出的IGBT都把開啟電壓提到了4-6V左右,這樣一定程度上就抑制了誤導(dǎo)通的發(fā)生.另一個(gè)原因就要看各位的實(shí)際應(yīng)用了.總的來(lái)說(shuō)現(xiàn)在的IGBT可以不加負(fù)壓,但是推薦加負(fù)壓.上傳個(gè)IGBT資料大家參考下1111976931.pdf
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nihaohong
LV.4
16
2005-03-28 12:20
@debugwd
謝謝wydian的回答.不贊成一定要用負(fù)壓,因?yàn)楹芏郔PM的驅(qū)動(dòng)就是只采用正壓.問題是什么時(shí)候需要用負(fù)壓,有沒有定性的參考、比如多大功率等級(jí)以上的IGBT驅(qū)動(dòng)應(yīng)該用負(fù)壓.繼續(xù)請(qǐng)教.
負(fù)壓還是要的好,安全,IGBT的驅(qū)動(dòng)環(huán)境一般是電磁干擾比較強(qiáng)烈的,負(fù)壓可以保證快速可靠關(guān)斷.IPM的驅(qū)動(dòng)是做在里面的,外面只要加電源就可以了,
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debugwd
LV.5
17
2005-03-28 15:25
@xlg324
我覺得這個(gè)主要作用是兩個(gè)~一是防止誤導(dǎo)通,二是加速關(guān)斷.前一個(gè)主要是因?yàn)橐话愕腎GBT的開啟電壓比較低,大概只有2.5~3V,而現(xiàn)在新出的IGBT都把開啟電壓提到了4-6V左右,這樣一定程度上就抑制了誤導(dǎo)通的發(fā)生.另一個(gè)原因就要看各位的實(shí)際應(yīng)用了.總的來(lái)說(shuō)現(xiàn)在的IGBT可以不加負(fù)壓,但是推薦加負(fù)壓.上傳個(gè)IGBT資料大家參考下1111976931.pdf
謝謝各位指教.
其實(shí)我要設(shè)計(jì)的變頻器功率較小,以前的參考方案中也沒有加.考慮到該變頻器用于特定行業(yè),成本不敏感,所以現(xiàn)在聽取大家的意見,還是加上的好.
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debugwd
LV.5
18
2005-03-29 12:58
@debugwd
謝謝各位指教.其實(shí)我要設(shè)計(jì)的變頻器功率較小,以前的參考方案中也沒有加.考慮到該變頻器用于特定行業(yè),成本不敏感,所以現(xiàn)在聽取大家的意見,還是加上的好.
那么,大家選用的IGBT 驅(qū)動(dòng)芯片又是什么呢?

我主要用Agilent 的,但有計(jì)劃用IR的非隔離型驅(qū)動(dòng).
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debugwd
LV.5
19
2005-03-29 13:03
@debugwd
那么,大家選用的IGBT驅(qū)動(dòng)芯片又是什么呢?我主要用Agilent的,但有計(jì)劃用IR的非隔離型驅(qū)動(dòng).
另外,如果要負(fù)壓電源,需要很多組輸出,這個(gè)電源設(shè)計(jì)上有些麻煩.
變壓器骨架通常沒有那么多管腳.
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dale
LV.3
20
2005-03-29 15:29
@debugwd
另外,如果要負(fù)壓電源,需要很多組輸出,這個(gè)電源設(shè)計(jì)上有些麻煩.變壓器骨架通常沒有那么多管腳.
小功率的驅(qū)動(dòng)其實(shí)也就只需要四組輸出:上橋臂3組,下橋臂共一組.
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dale
LV.3
21
2005-03-29 15:33
@debugwd
那么,大家選用的IGBT驅(qū)動(dòng)芯片又是什么呢?我主要用Agilent的,但有計(jì)劃用IR的非隔離型驅(qū)動(dòng).
如果功率比較小那用IR的就不需要那么多組電源,也挺好啊.
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debugwd
LV.5
22
2005-04-06 14:43
@dale
小功率的驅(qū)動(dòng)其實(shí)也就只需要四組輸出:上橋臂3組,下橋臂共一組.
有時(shí)還要考慮制動(dòng)的問題,當(dāng)然也可以和下管共用電源.
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LV.1
23
2005-04-06 15:09
你有沒有HCPL316J的資料?我找了一下,沒有找到.
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debugwd
LV.5
24
2005-04-16 21:37
@
你有沒有HCPL316J的資料?我找了一下,沒有找到.
到這兒:http://www.alldatasheet.com/
應(yīng)有盡有
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2005-04-17 15:10
@lancefeng
IGBT的輸入實(shí)際上是MOSFET,關(guān)斷沒有必要加負(fù)壓.
有必要加負(fù)壓
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ljxnuaa
LV.1
26
2012-09-06 17:18
@xlg324
我覺得這個(gè)主要作用是兩個(gè)~一是防止誤導(dǎo)通,二是加速關(guān)斷.前一個(gè)主要是因?yàn)橐话愕腎GBT的開啟電壓比較低,大概只有2.5~3V,而現(xiàn)在新出的IGBT都把開啟電壓提到了4-6V左右,這樣一定程度上就抑制了誤導(dǎo)通的發(fā)生.另一個(gè)原因就要看各位的實(shí)際應(yīng)用了.總的來(lái)說(shuō)現(xiàn)在的IGBT可以不加負(fù)壓,但是推薦加負(fù)壓.上傳個(gè)IGBT資料大家參考下1111976931.pdf

如果是制動(dòng)回路中的IGBT呢?也需要考慮這么多么?

目前遇到個(gè)問題:外接制動(dòng)電阻回路中的IGBT ,能否直接用15V的單電源驅(qū)動(dòng)這個(gè)IGBT呢?

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