反激式開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,通常在開關(guān)管D與S之間增加一個(gè)100pF高壓陶瓷電容和一個(gè)10Ω~100Ω電阻組成的吸收電路,可以大大降低開關(guān)噪聲,對EMI測試非常有利.誠意推薦一個(gè)高壓陶瓷電容器DEJB3E2101K,是日本村田(murata)基于日本《電氣設(shè)備和材料安全法》的產(chǎn)品,希望對廣大工程師的設(shè)計(jì)有幫助.
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如何降低開關(guān)電源噪聲的方法
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@wjc5230
加了那個(gè)電容之后的后果是,會(huì)犧牲電源的整個(gè)工作效率.MOS上面的熱能也會(huì)增加.
對于硬開關(guān)的電路來說,效率和EMI永遠(yuǎn)是矛盾的,正如需要品質(zhì)很好的元器件又要求其價(jià)格極其低廉一樣.電源設(shè)計(jì)中絕大部分項(xiàng)參數(shù)的選擇都是折衷的平衡,設(shè)計(jì)電源的工程師應(yīng)該深有體會(huì).就以上吸收電路來說,如果設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路合理和選擇的MOSFET有相當(dāng)?shù)脑Ａ?增加的損耗是很小一部分的.其實(shí)這個(gè)電路的作用和在次級(jí)整流二極管上并聯(lián)的吸收電路作用是一樣的,但效果可能會(huì)更好.特別是在多路輸出和次級(jí)空間有限情況下,這種電路從成本和節(jié)省空間角度看更有優(yōu)越性.
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@laumaggie
對于硬開關(guān)的電路來說,效率和EMI永遠(yuǎn)是矛盾的,正如需要品質(zhì)很好的元器件又要求其價(jià)格極其低廉一樣.電源設(shè)計(jì)中絕大部分項(xiàng)參數(shù)的選擇都是折衷的平衡,設(shè)計(jì)電源的工程師應(yīng)該深有體會(huì).就以上吸收電路來說,如果設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路合理和選擇的MOSFET有相當(dāng)?shù)脑Ａ?增加的損耗是很小一部分的.其實(shí)這個(gè)電路的作用和在次級(jí)整流二極管上并聯(lián)的吸收電路作用是一樣的,但效果可能會(huì)更好.特別是在多路輸出和次級(jí)空間有限情況下,這種電路從成本和節(jié)省空間角度看更有優(yōu)越性.
你說的糟聲指的是什么,是變壓器的聲音嗎?
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