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DC-DC模塊(UC3843做的),效率過低,僅76%

最近用UC3843做了一個隔離的DC-DC模塊電源.輸入9-18V,輸出22V-200mA.
采用的是ER11/5的磁芯,材質(zhì)為PC44,B在環(huán)境溫度120度時為390.
骨架用的5*5的貼片骨架,因為有高度限制.
變壓器初級8T,線徑為0.29mm.電流密度為8A
次級11T,線徑為0.29mm.
輔助繞組為6T,線徑為0.14mm.
設(shè)計最大占空比為35%.

現(xiàn)在的情況是效率為76%.想要提高效率.變壓器溫度為50度(環(huán)境溫度為23度時的測試值).
骨架的限制,無法繞更多的線.

這個電源的要求是在環(huán)境溫度為90度時可以正常工作.按現(xiàn)在的情況來看估計60度應該都過不了.

哪位高手可以幫忙看看.估計是變壓器設(shè)計的不好,幫忙算算看!
小弟不甚感激!
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xiawenjin
LV.4
2
2008-10-07 17:17
ER11/5磁芯的Ae為11.9
幫忙算算,謝謝了!
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11119
LV.6
3
2008-10-07 17:31
@xiawenjin
ER11/5磁芯的Ae為11.9幫忙算算,謝謝了!

 

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xiawenjin
LV.4
4
2008-10-07 19:12
@xiawenjin
ER11/5磁芯的Ae為11.9幫忙算算,謝謝了!
之前測試在環(huán)境溫度為25度時變壓器的溫度到68度左右.
我改了一下,
變壓器初級7T,線徑為0.29mm.
次級17T,線徑為0.29mm.
輔助繞組為12T,線徑為0.14mm.
測試了一下,當帶載到180mA時,MOSFET門級驅(qū)動信號出現(xiàn)一個小脈沖+一個大脈沖;估計是進入了電流連續(xù)模式.
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xiawenjin
LV.4
5
2008-10-07 19:12
@xiawenjin
之前測試在環(huán)境溫度為25度時變壓器的溫度到68度左右.我改了一下,變壓器初級7T,線徑為0.29mm.次級17T,線徑為0.29mm.輔助繞組為12T,線徑為0.14mm.測試了一下,當帶載到180mA時,MOSFET門級驅(qū)動信號出現(xiàn)一個小脈沖+一個大脈沖;估計是進入了電流連續(xù)模式.
之前的那個也會進入連續(xù)模式
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xiawenjin
LV.4
6
2008-10-07 19:41
@xiawenjin
之前的那個也會進入連續(xù)模式
測了一下,溫度沒有多大的改善.環(huán)境溫度25.5度時變壓器的溫度為67度.
帶載200mA時的效率為77%,效率有所改善
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11119
LV.6
7
2008-10-07 19:47
@xiawenjin
測了一下,溫度沒有多大的改善.環(huán)境溫度25.5度時變壓器的溫度為67度.帶載200mA時的效率為77%,效率有所改善
你這樣應該改善不大
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xiawenjin
LV.4
8
2008-10-08 15:06
@11119
你這樣應該改善不大
今天又改了一下,把次級線圈增加了幾T,效率上升到81%.溫度下降到60度.
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LV.1
9
2008-10-08 16:32
體積要求如何,可以考慮增加core的大小,匝數(shù)不要變,換更粗的線,應該ok
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xiawenjin
LV.4
10
2008-10-08 22:16
@
體積要求如何,可以考慮增加core的大小,匝數(shù)不要變,換更粗的線,應該ok
對大小、高度都有要求.我之前用EE10做過,效率可以到86%,但是過不了高度限制
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LV.1
11
2008-10-09 09:27
@xiawenjin
對大小、高度都有要求.我之前用EE10做過,效率可以到86%,但是過不了高度限制
想高效率,可以考慮采用平面變壓器,或者提高最大占空比到0.5以上,優(yōu)化磁的選擇
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xiawenjin
LV.4
12
2008-10-09 22:49
@
想高效率,可以考慮采用平面變壓器,或者提高最大占空比到0.5以上,優(yōu)化磁的選擇
同時工作連續(xù)模式和斷續(xù)模式,會使電路工作不穩(wěn)定的.采用平面變壓器也要考慮成本啊.買小批量的磁芯,別人都不買啊,很郁悶的
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LV.1
13
2008-10-10 10:38
@xiawenjin
同時工作連續(xù)模式和斷續(xù)模式,會使電路工作不穩(wěn)定的.采用平面變壓器也要考慮成本啊.買小批量的磁芯,別人都不買啊,很郁悶的
不會不穩(wěn)定的,跨越連續(xù)斷續(xù)模式
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hutushen
LV.4
14
2008-10-10 16:49
@
不會不穩(wěn)定的,跨越連續(xù)斷續(xù)模式
說了半天,都不知道用的什么拓撲,頻率多少,最大占空比怎么只有35%?
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LV.1
15
2008-10-10 17:17
@hutushen
說了半天,都不知道用的什么拓撲,頻率多少,最大占空比怎么只有35%?
提高占空比,恩
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xiawenjin
LV.4
16
2008-10-11 18:40
@hutushen
說了半天,都不知道用的什么拓撲,頻率多少,最大占空比怎么只有35%?
這個好要說啊,不說也知道是反激了.設(shè)計變壓器的時候,設(shè)計的最大占空比.
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xiawenjin
LV.4
17
2008-10-11 18:43
@
提高占空比,恩
提高占空比到50%左右的時候,MOSFET驅(qū)動信號就會出現(xiàn)一小脈沖后面跟一個大脈沖.工作會不穩(wěn)定,變壓器的發(fā)熱量就更大了
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LV.1
18
2008-10-13 09:10
@xiawenjin
提高占空比到50%左右的時候,MOSFET驅(qū)動信號就會出現(xiàn)一小脈沖后面跟一個大脈沖.工作會不穩(wěn)定,變壓器的發(fā)熱量就更大了
然后迢環(huán)路調(diào)穩(wěn)定啊,你這個是斜坡補償沒加夠吧
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xiawenjin
LV.4
19
2008-10-14 16:57
@
然后迢環(huán)路調(diào)穩(wěn)定啊,你這個是斜坡補償沒加夠吧
就是在3腳和4腳之間加的電容太小了,還太大了!怎么該?我該該試試
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xiawenjin
LV.4
20
2008-10-18 18:42
@xiawenjin
這個好要說啊,不說也知道是反激了.設(shè)計變壓器的時候,設(shè)計的最大占空比.
今天改了一下電路,效率可以做到87%了,溫度也下降了不少啊!
估計在環(huán)境溫度90度下工作應該沒有什么問題了
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LV.1
21
2008-10-20 09:03
@xiawenjin
今天改了一下電路,效率可以做到87%了,溫度也下降了不少啊!估計在環(huán)境溫度90度下工作應該沒有什么問題了
呵呵,可以說說怎么改了嗎
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huxiaowei
LV.3
22
2008-10-30 18:57
@xiawenjin
就是在3腳和4腳之間加的電容太小了,還太大了!怎么該?我該該試試
也可以在6腳和三角加電阻啊
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xiawenjin
LV.4
23
2008-11-02 10:29
@huxiaowei
也可以在6腳和三角加電阻啊
能說說為什么不?
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mbyd
LV.6
24
2008-11-02 21:03
@xiawenjin
今天改了一下電路,效率可以做到87%了,溫度也下降了不少啊!估計在環(huán)境溫度90度下工作應該沒有什么問題了
電路改一下就長了十個點,怎么改的呀,我也想見識一下呀,呵呵,分享一下嘛
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xiawenjin
LV.4
25
2008-11-03 13:24
@mbyd
電路改一下就長了十個點,怎么改的呀,我也想見識一下呀,呵呵,分享一下嘛
初級采用雙繞,增加初級電流.在原來的變比基礎(chǔ)上給次級增加了2,降低占空比.
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LV.1
26
2008-11-03 15:07
@xiawenjin
初級采用雙繞,增加初級電流.在原來的變比基礎(chǔ)上給次級增加了2,降低占空比.
占空比降低?應該對效率沒啥好處.
呵呵,說明還是雙線并繞起到了效果.原邊銅損比較大吧
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LV.1
27
2008-11-03 15:11
@
占空比降低?應該對效率沒啥好處.呵呵,說明還是雙線并繞起到了效果.原邊銅損比較大吧
另外之前的輔助繞組如果是和輸出是6比8的關(guān)系的話,VCC可能比較高
(22*3/4-0.7)=15.8,損耗是個問題,現(xiàn)在改為6比10的話,原邊Vcc就只有12.5,這可能起了效果
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huxiaowei
LV.3
28
2008-11-05 18:19
你的圖呢?從你的敘述只能看到占空比有點小啊1
起碼要用到0.4啊  這樣沒什么辦法啊!
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xiawenjin
LV.4
29
2008-11-08 18:02
@
另外之前的輔助繞組如果是和輸出是6比8的關(guān)系的話,VCC可能比較高(22*3/4-0.7)=15.8,損耗是個問題,現(xiàn)在改為6比10的話,原邊Vcc就只有12.5,這可能起了效果
基本如你所說!之前的占空比在滿載的時候大與40,電路處于不穩(wěn)定狀態(tài),增加了MOSFET的開關(guān)損耗;因為我的板很小,所以散熱方面就不好解決.更改后滿載占空比小于40,解決了這個問題.改占空比主要是應對熱問題
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2012-10-17 13:53
@xiawenjin
今天又改了一下,把次級線圈增加了幾T,效率上升到81%.溫度下降到60度.

那有成效了.

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2012-10-17 13:54
@xiawenjin
能說說為什么不?

關(guān)注中

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