價(jià)格貴，質(zhì)量好，性價(jià)比一般，特殊的產(chǎn)品適合用。

用這個(gè)氮化鎵可以把尺寸做低，功率密度大，發(fā)明這種管出來就是為了尺寸小的，價(jià)格會(huì)隨著工藝的提高降低

設(shè)計(jì)上可以用更高頻率，那變壓器的磁芯有什么影響呢

由于內(nèi)阻的減小，意味著有更大的短時(shí)電流將作用于母線上，這種現(xiàn)象，可以在母線串聯(lián)熱敏電阻，防止冷啟機(jī)炸管子問題

這個(gè)問題考慮過。最終發(fā)現(xiàn)在熱機(jī)以后，再斷電，再開機(jī)。這時(shí)候熱敏電阻是失效狀態(tài)，依然有隱患。

過小的RDSon也并不一定總能帶來好事。這就是個(gè)大麻煩。

手頭上能找到的磁芯都試過。普遍只能跑到400K以內(nèi)。頻率再高的話，電感量已經(jīng)非常小，對(duì)測(cè)量初級(jí)電感量來說，我的300K最高頻率的電橋已經(jīng)遠(yuǎn)超量程了，再貴的電橋得兩萬起步，不是我這種普通愛好者玩得起的。

一個(gè)是測(cè)量電感量不易，另一個(gè)就是磁芯的高頻損耗明顯加大了。雖然可以靠外殼散熱，但小磁芯，大熱量，依然是會(huì)影響磁芯周圍零件壽命的。這很不理想。

說真的，我還真沒看到有頻率可以干400K的二極管，特別是工作在CCM模式下，二極管的反向恢復(fù)更是一個(gè)問題，不知道有沒有GAN的二極管

剛看了一下PI官網(wǎng)的講解視頻  加上這個(gè)分析  真的是受益匪淺

目前在PD行業(yè)大都用Gan的方案了

性能參數(shù)很好，實(shí)際應(yīng)用還有樓主提出的這些實(shí)際問題待解決

這才是大佬，學(xué)習(xí)了

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能通過量變把價(jià)格降下來，別的缺點(diǎn)就可以取舍

由于內(nèi)阻的減小，意味著有更大的短時(shí)電流將作用于母線上

溫度曲線比較穩(wěn)定，適用于一些對(duì)工作環(huán)境溫度比較嚴(yán)格的環(huán)境；

內(nèi)阻減少發(fā)熱量少，減少設(shè)備自身功耗百利無一害

工作頻率可以使用較低的頻率，溫度高了是個(gè)好事情，其工藝帶來的成本是比較高。

目前氮化鎵迭代更新較快，有些產(chǎn)品剛出來沒多久就不在技術(shù)前沿了。

磁材的選擇上面也會(huì)有要求了，高頻磁材安排下

價(jià)格貴

看了不少有關(guān)GaN的帖子，大多是比較得來的優(yōu)點(diǎn)，向樓主么這樣把GaN缺點(diǎn)也一一列出來分析的真不太多見， 真的是受益匪淺。

溫度和價(jià)格是這個(gè)最大的缺點(diǎn)了

在buck boost電路中有那種將MOSFET代替二極管的電路拓?fù)?，是不是可以用GAN直接

溫度怎么會(huì)是缺點(diǎn)？到200度都能保持90％以上的性能，無散熱片都能抗很久。這是個(gè)優(yōu)點(diǎn)才對(duì)啊。

200K以上就需要軟開關(guān)了。

如果硬開關(guān)干400K，就算是待機(jī)的時(shí)候，開關(guān)損耗都能熱到融化焊錫。

至于高頻二極管倒是有的。都是低壓小電流的居多。做驗(yàn)證看波形沒問題，做產(chǎn)品不行。

價(jià)格與質(zhì)量是天敵。

氮化鎵的最大優(yōu)點(diǎn)就是支持體積更小的變壓器以及其他電感元件，功率密度大。

在目前電子設(shè)備越來越追求小型化的情況下，它還是很有前途的

由于內(nèi)阻的減小，意味著有更大的短時(shí)電流將作用于母線上，走線形成的干擾將勢(shì)必影響整機(jī)的EMC？這個(gè)也算缺點(diǎn)？mos管內(nèi)阻小了 不有同樣問題；內(nèi)阻做小了還成缺點(diǎn)了？

開關(guān)器件的損耗包含開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，需要綜合考慮；同等功率下，使用氮化鎵開關(guān)器件確實(shí)可以減小產(chǎn)品尺寸。

以前看到的都是講優(yōu)點(diǎn)的，講了缺點(diǎn)才能更深刻地認(rèn)識(shí)，謝謝樓主的分享。