一直疑惑這個問題,請高手指點一二.自己先頂!!!

其實電源並非電壓越高越好,當開關管的開關應力大時就會在電壓欲高效率反而欲低,除非改為零電壓諧振.

采取零電壓諧振無非是降低開關損耗,而且18~32v是輸入電壓的波動范圍,不是刻意要取32v.我想談論的問題是如何解釋這種現(xiàn)象.如果從MOSFET的正向輸出特性來看,18v輸入是開關損耗要比32v輸入是要低,從Ps＝Cs×U×U×Fs/2來看,損耗的確如此.在穩(wěn)定導通時,損耗就不一樣了,有好幾種因素,比如Id,Ron,Ugs,等.如何分析這些參數(shù)對效率的影響?

這兩天剛看看了書,還是沒能完全解決這個問題.MOSFET的Ron受到電路工作條件的影響,如工作結溫越高,Ron就越大;Uds越大,Ron也越大.在大電流區(qū),即飽和區(qū),MOSFET表現(xiàn)為負電流溫度特性.盡管這樣,還是得不出輸入電壓升高時,mosfet損耗增大的原因(注意輸入電壓升高,在同樣輸出功率下,輸入電流是減小的).如何解釋,請高手出招啊!!!

輸入電壓高時,雖然輸入電流減少,但開關管開關的電流不變,這時又因為Vds 變高,所以開關損耗就高了.

為什么輸入電流減小,開關管電流不變?我的電路是推挽,能具體解釋一下嗎?

因為輸出功率不變,開關管電流的初值和終值都是不變的,變的只是占空比,所以平均輸入電流減少.

醍醐灌頂,老兄謝謝!!!

對不起,還有個問題:(mosfet的穩(wěn)態(tài)損耗計算公式)Ps＝Id×Id×Ron×D,Id不變,當Uds升高是,Ron變大,但占空比減小啊(同一輸出功率),那么如何評斷這兩個因數(shù)的影響?

通常穩(wěn)態(tài)損耗比起開關損耗來低得多,開關損耗是主要的.
另外, Rdson只跟Vgs和Id有關,跟Vds沒多大關系.

你講的是溝道電阻,由于MOSFET具有短溝道,因此Uds對其影響可不計.但是Ron主要是由柵極與漏極之間的積累層電阻和漏極外延層電阻組成,外延層電阻取決于參雜濃度和厚度,與Uds無關;而柵漏積累層電阻卻與Uds有關,當Uds變大時,積累層厚度變薄,積累層電阻變大,即Ron變大.

須知積累層電阻Rj跟外延層電阻Ry之比是一比幾百,Rj的分量小的可以忽略.所以說溝道電阻Ron跟Vds沒多大關系.