硅后級(jí)和電路計(jì)算的那些事情，從單硅到四硅，其實(shí)結(jié)構(gòu)上單硅最簡(jiǎn)單，四硅看是最復(fù)雜。原理上四硅最簡(jiǎn)單健壯，單硅的參數(shù)計(jì)算最復(fù)雜。那先從單硅的原理說起，借一張圖說話

要能可靠關(guān)斷，必須i2能夠吸收全部的I1電流，才能讓I3穩(wěn)定可靠的負(fù)壓關(guān)斷（KCL電流定律），如果要可靠截?cái)?，假設(shè)都是理想元件，那1/2 c*Vmax*Vmax= 1/2L * Imax *Imax，其中，臨界時(shí)，Vmax=v=700v，I3=0,Imax= I2，此時(shí)Imax=I2=sqrt（C/L）*v 。I1=v/R ；Imax>I1 聯(lián)立方程可以得到sqrt(C/L)>1/R 所以最后的臨界結(jié)果是R>sqrt(L/C) ，帶入上面的公式，如果電感是1ml的話，那么R>sqrt(L/c)=sqrt(1*e-3/3*e-6)=10*sqrt(10/3）=18.3歐姆，也就是說單硅對(duì)負(fù)載的電阻有要求，至少要滿足R>sqrt(L/C) 這決定了單硅幾乎難以用于海水中，無法滿足關(guān)斷的要求。在滿足關(guān)斷的條件下，C越大適應(yīng)的電阻范圍越大，L越大適應(yīng)的范圍越小。

至于橋四硅機(jī)，

就太簡(jiǎn)單了，只要C上有電壓，14 ，23 電橋強(qiáng)迫關(guān)斷彼此，用KVL環(huán)一算橋四硅加電感那已是多余。四硅機(jī)的負(fù)載電阻可以比較低，不像單硅還要受制于負(fù)載電阻才能可靠關(guān)斷。至于雙硅機(jī)器，有并串雙硅，實(shí)現(xiàn)方式多樣，不過基本是單硅的簡(jiǎn)化版，就不想再提出來了。

目前淡水中可以用單硅，夏季用單硅水溫過30度后，水的電導(dǎo)率高了，超出關(guān)斷臨界，單硅機(jī)是會(huì)不起振導(dǎo)致保護(hù)，如果保護(hù)不到位，直接燒掉也是可能的，四硅機(jī)的那個(gè)電容很有意思，所以的電荷是通過那個(gè)換向電容泵出去的，所以有類似恒流的效果，而且四硅機(jī)的頻率可以加的很大來提升功率，更換電容和驅(qū)動(dòng)頻率很好控制四硅機(jī)、所以四硅機(jī)凡人都能做的好，不要求驅(qū)動(dòng)四硅的觸發(fā)對(duì)稱這些，甚至干擾也不影響，只要 做好高低壓隔離，單硅機(jī)的適應(yīng)性沒那么好，需要高手才能用好，也需要條件，比如水太能導(dǎo)電不行。