用柵極驅(qū)動器驅(qū)動MOS,MOS發(fā)熱嚴(yán)重，表面測量溫度達(dá)到90℃以上。這種情況可以從哪些角度去改善？
RF+需要輸出1.7M 峰峰值200V的正弦波信號驅(qū)動壓電陶瓷換能器
1.從硬件的角度，MOS的驅(qū)動要考慮MOS的驅(qū)動電平、內(nèi)阻、柵極電容、驅(qū)動波形是否陡峭？還可以從哪些角度進行改善？內(nèi)阻和柵極電容是選型的問題。那驅(qū)動電平和驅(qū)動波形是電路設(shè)計的問題。這個MOS用5V方波驅(qū)動是沒有問題的吧！怎么使得驅(qū)動波形更接近方波而不會發(fā)生波形的失真呢？以上這些是否可以改善溫升的問題？
2.從嵌入式角度，柵極驅(qū)動器是經(jīng)過DDS給信號的，DDS是經(jīng)過MCU控制的，因此嵌入式可以從哪些角度進行溫升的改善？
3.從結(jié)構(gòu)的角度，進行通風(fēng)孔對流、散熱片導(dǎo)熱到外殼、加微型高速的風(fēng)扇，或者加銅管、液冷？除了這些還可以進行怎樣的處理？MOS規(guī)格書：chrome-extension://ibllepbpahcoppkjjllbabhnigcbffpi/https://atta.szlcsc.com/upload/public/pdf/source/20171123/C114889_15114107965411137412.pdf
