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各位大佬看看這是什么拓?fù)洌?/h1>

如題:

全部回復(fù)(9)
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2023-12-20 22:42

串聯(lián)LLC諧振,另外一個(gè)L在副邊,這個(gè)結(jié)構(gòu)不錯(cuò)的,基本不會(huì)有容性狀態(tài)

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2023-12-21 11:39
@米山人家
串聯(lián)LLC諧振,另外一個(gè)L在副邊,這個(gè)結(jié)構(gòu)不錯(cuò)的,基本不會(huì)有容性狀態(tài)

謝謝回復(fù),請問原邊吸收電路發(fā)熱厲害如何解決

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2023-12-21 21:47
@風(fēng)琉璃
謝謝回復(fù),請問原邊吸收電路發(fā)熱厲害如何解決

這肯定發(fā)熱啊,電阻R承受全部熱量,RC在這里,電阻除了消耗能量,沒 有任何意義。

除了發(fā)熱,吸收不了任何東西。不應(yīng)該放在這個(gè)位置。

吸收電容是用來保護(hù)IGBT的

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2023-12-22 09:08
@米山人家
這肯定發(fā)熱啊,電阻R承受全部熱量,RC在這里,電阻除了消耗能量,沒 有任何意義。除了發(fā)熱,吸收不了任何東西。不應(yīng)該放在這個(gè)位置。吸收電容是用來保護(hù)IGBT的

那有沒有什么辦法減小發(fā)熱呢?還有就是驅(qū)動(dòng)這個(gè)全橋的PWM頻率是固定的,好像不是串聯(lián)LLC諧振

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2023-12-22 15:47
@風(fēng)琉璃
那有沒有什么辦法減小發(fā)熱呢?還有就是驅(qū)動(dòng)這個(gè)全橋的PWM頻率是固定的,好像不是串聯(lián)LLC諧振

這個(gè)電容直接跨接在IGBT的CE端,不能用電阻,電容是吸收過沖電壓保護(hù)IGBT的,加電阻后就沒意義了,而且會(huì)發(fā)熱。

有時(shí)候,在IGBT兩端加吸收電容會(huì)引起IGBT發(fā)熱,這說明有超前的電流成份,不過這個(gè)發(fā)熱是控制計(jì)算失誤引起的,就是設(shè)計(jì)時(shí)沒有對電流超前的措施,只能靠IGBT硬扛,這時(shí)候,發(fā)熱的現(xiàn)象實(shí)際上降低了IGBT炸機(jī)的風(fēng)險(xiǎn)。

這種情況解決,要從改善柘樸結(jié)構(gòu),改善控制策略入手,不過這是一個(gè)非常大的技術(shù)框架,不是那么容易解決的

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2023-12-27 17:14
@米山人家
這個(gè)電容直接跨接在IGBT的CE端,不能用電阻,電容是吸收過沖電壓保護(hù)IGBT的,加電阻后就沒意義了,而且會(huì)發(fā)熱。有時(shí)候,在IGBT兩端加吸收電容會(huì)引起IGBT發(fā)熱,這說明有超前的電流成份,不過這個(gè)發(fā)熱是控制計(jì)算失誤引起的,就是設(shè)計(jì)時(shí)沒有對電流超前的措施,只能靠IGBT硬扛,這時(shí)候,發(fā)熱的現(xiàn)象實(shí)際上降低了IGBT炸機(jī)的風(fēng)險(xiǎn)。這種情況解決,要從改善柘樸結(jié)構(gòu),改善控制策略入手,不過這是一個(gè)非常大的技術(shù)框架,不是那么容易解決的

這個(gè)好像不是LLC串聯(lián)諧振,用的是NMOS不是IGBT,而且吸收電路也不是加在MOS的SD兩端的

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2023-12-28 08:34

這個(gè)是全橋電路

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2023-12-28 08:37
@風(fēng)琉璃
那有沒有什么辦法減小發(fā)熱呢?還有就是驅(qū)動(dòng)這個(gè)全橋的PWM頻率是固定的,好像不是串聯(lián)LLC諧振

RC是不是用的小了點(diǎn),我們一般是R在100歐以上,C在1nF

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11455355
LV.9
10
2024-01-30 00:56

這是一個(gè)硬開關(guān)全橋變換器,RC吸收電路R發(fā)熱,排除變壓器漏感過大的情況下,要考慮RC選值是否恰當(dāng),一般R用20--47歐姆,3-10W,C用102--222J,(1nf-2.2nf),耐壓630V--1200V。C用的容量過大很容易引起R發(fā)熱。

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